一种波导型ＦＥＴ振荡器制造技术

本发明专利技术公开的ＷＦＯ特征在于直流偏置片和ＦＥＴ的栅、漏极鳍片呈一体化结构，并且构成栅极偏置鳍片和波导腔等以及漏极偏置鳍片和输出波导系统等间的ＦＥＴ的栅极负载阻抗和漏极负载阻抗、源极短路带状线构成Ｚｓ，栅、漏偏置片相含部分构成Ｚｆ，保证了ＷＦＯ能在更高频段工作。与现有技术相比，本发明专利技术具有较佳的性能价格比，可以广泛应用在微波领域，特别是可以作为厘米波段和毫米波段的微波讯号源和微波接收机的本机振荡。（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种波导腔体稳频场效应晶体管振荡器（简称ＷＦＯ），它包括稳频波导腔（１），输出波导（２），ＦＥＴ（１１）和多个可调螺杆（１５）至（２０），上述的稳频波导腔（１）和输出波导（２）的公共壁（３）上有一窗口（８），本专利技术特征在于：Ａ、直流偏置 片（６）和栅极鳍片（９）构成一体化的ＦＥＴ栅极偏置鳍片，直流偏置片（７）和漏极鳍片（１０）构成一体化的ＦＥＴ漏极偏置鳍片；Ｂ、偏置片（６）和（７）分别安装在公共壁（３）的刻槽（４）和（５）内，偏置片（６）与刻槽（４）以及偏置片（７）与刻 槽（５）之间分别电绝缘，构成开路带状线；Ｃ、栅极鳍片（９）和漏极鳍片（１０）分别插入稳频波导腔（１）和输出波导（２）内；Ｄ、ＦＥＴ（１）的源极（１４）上设有附加片（２７），ＦＥＴ（１１）安装在公共壁（３）上的窗口（８）里，ＦＥＴ（１ １）的栅极（１２）和栅极鳍片（９）之间、ＦＥＴ（１１）的漏极（１３）和漏极鳍片（１０）之间、ＦＥＴ（１１）源极（１４）和附加片（２７）以及附加片（２７）和公共壁（３）之间都必须有良好的电接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林金清，苏凯雄，黄光华，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：35[中国|福建]