一种可编程的低噪声压控振荡器制造技术

本发明专利技术公开了一种可编程的低噪声压控振荡器，包括偏置电路、数控电流舵组和电流控制振荡器；所述偏置电路与数控电流舵组连接，数控电流舵组与电流控制振荡器连接。本发明专利技术具有可有效抑制来自电源的噪声以及降低VCO内部噪声，提高振荡器的噪声性能，采用可编程调节的电流信号，使得电流控制振荡器可获得不同的增益，可以在具有相同调节电压的范围内获得更宽的输出频率调节范围，可提供具有更宽频率范围和更好抖动性的时钟信号等优点。

A programmable low noise voltage controlled oscillator

The invention discloses a low noise programmable voltage controlled oscillator, including bias circuit, control current steering group and a current controlled oscillator; the bias circuit is connected with the NC current steering group, connecting NC current steering group and a current controlled oscillator. The invention can effectively suppress the noise from power supply and reduce the VCO internal noise, improve the noise performance of the oscillator, the current signal adjust, the current controlled oscillator can obtain different gain, can have the same voltage range was wide output frequency range, can provide more advantages wide frequency range and better jitter of clock signal.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种压控振荡器，尤其涉及一种可编程的低噪声压控振荡器。
技术介绍
随着集成电路设计规模的持续增大，工艺尺寸的不断减小，电路工作频率的不断提高，需要更加稳定输入时钟。锁相环担负着产生稳定时钟的关键电路，而锁相环的核心电路便是振荡器，振荡器的工作性能决定输出时钟信号的抖动性能。所以，一款输出频率可调控和低噪声性能的压控振荡器是设计高性能电路的关键，尤其是可编程电路增益对实现多功能电路是十分有意义的。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题就在于：针对现有技术存在的技术问题，本专利技术提供一种可有效抑制来自电源地的噪声，提高振荡器的抗噪声性能，在相同的调节电压的范围内有更宽的输出频率调节范围，能提供更宽频率范围和更好抖动性的时钟信号的可编程的低噪声压控振荡器。为解决上述技术问题，本专利技术提出的技术方案为：一种可编程的低噪声压控振荡器，包括偏置电路、数控电流舵组和电流控制振荡器；所述偏置电路与数控电流舵组连接，数控电流舵组与电流控制振荡器连接。作为本专利技术的进一步改进，所述偏置电路包括MOS管NM1、MOS管NM2、MOS管PM1和MOS管PM2；所述MOS管NM1和MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可编程的低噪声压控振荡器，其特征在于：包括偏置电路、数控电流舵组和电流控制振荡器；所述偏置电路与数控电流舵组连接，数控电流舵组与电流控制振荡器连接。

【技术特征摘要】
1.一种可编程的低噪声压控振荡器，其特征在于：包括偏置电路、数控电流舵组和电流控制振荡器；所述偏置电路与数控电流舵组连接，数控电流舵组与电流控制振荡器连接。2.根据权利要求1所述的可编程的低噪声压控振荡器，其特征在于：所述偏置电路包括MOS管NM1、MOS管NM2、MOS管PM1和MOS管PM2；所述MOS管NM1和MOS管NM2构成电流镜，MOS管NM1的栅极和MOS管NM2的栅极连接，MOS管NM1的栅极与漏极连接；所述MOS管PM1的栅极作为偏置电路的输入端VC，源极与输入电压VDDA连接，漏极与MOS管NM1的漏极连接；所述MOS管PM2的漏极与栅极连接，源极与输入电压VDDA连接，栅极作为偏置电压VC2输出端，漏极同时与所述MOS管NM2的漏极连接。3.根据权利要求2所述的可编程的低噪声压控振荡器，其特征在于：所述数控电流舵组包括第一MOS管组、第二MOS管组和第三MOS管组；所述第一MOS管组和第二MOS管组均包括三个级联的MOS管，前一级MOS管的漏极与下一级MOS管的源极连接，第一级MOS管的源极与输入电压VDDA连接，栅极与所述偏置电路的输入端VC连接，第二级MOS管的栅极与偏置电压VC2连接，第三极MOS管的栅极作为控制输入端，漏极作为输出端；所述第三MOS管组包括两个级联的MOS管，前一级MOS管的漏极与下一级MOS管的源极连接，第一级MOS管的源极与输入电压VDDA连接，栅极与所述偏置电路的输入端VC连接，第二级MOS管的栅极与偏置电压VC2连接，漏极作为输出端。4.根据权利要求3所述的可编程的低噪声压控振荡器，其特征在于：所述数控电流舵组中第一MOS管组、第二MOS管组和第三MOS管组的输出端连接，作为数控电流舵组的输出端。5.根据权利要求4所述的可编程的低噪声压控振荡器，其特征在于：所述第一MOS管组、第二MOS管组和第三MOS管组中的MOS管均为PMOS管。6.根据权利要求1至5任一项所述的可编程的低噪声压控振荡器，其特征在于：所述电流控制振荡器包括四个级联的振荡单元，所述每个振荡单元包括输入端VDDOSC，输入端inP，输入端inN，输出端outN和输出端outP；所述输入端VDDOSC与所述数...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭阳，袁珩洲，谭佳伟，梁斌，郭前程，刘尧，陈建军，胡春媚，池雅庆，陈希，韩中良，刘筱伟，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科学技术大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43