电压控制型振荡器制造技术

本发明专利技术提供一种结构简单、适于小型化的电压控制型振荡器。在由放大器（１）、反馈电路（２）、晶体振子（３）构成的电压控制型振荡器中，连接两个ＭＯＳ晶体管（Ｍ１、Ｍ２），作为实施此频率调整的可变电容元件，并在连接晶体振子（３）的ＸＴ端子以及ＸＴＢ端子上，分别连接ＭＯＳ晶体管（Ｍ１、Ｍ２）的漏极，并令ＭＯＳ晶体管（Ｍ１、Ｍ２）的源极共用，通过电容（Ｃ３）连接在接地端子上，并令ＭＯＳ晶体管（Ｍ１、Ｍ２）的栅极共用，将作为温度补偿信号的电压和作为电压控制信号的电压相加后施加给栅极端子，来实施频率控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术，涉及一种使用电压可变电容元件的电压控制型振荡器。
技术介绍
作为现有的电压控制型振荡器，有使用变容二极管的、和使用由MOS晶体管的开关切换的电阻值的装置。根据专利文献1、2所述的现有技术，通过利用MOS晶体管的导通电阻的切换，来切换串联连接在固定电容上的MOS晶体管的导通电阻，从而改变从振子所见的负载电容，实施频率的变化。在给栅极设定偏置电压、并将漏极连接在晶体振子上的形态下，当漏极电压相比栅极电压为阈值电压以下时(MOS晶体管为导通状态)，源极一侧的电容变为可见。另外，通过给栅极施加温度补偿电压等，还能构成为TCXO。图14为表示现有的电压控制型振荡器的第1构成例的图，图15为表示MOS晶体管M1的开关动作的图，图16为表示现有的电压控制型振荡器的第2结构例的图。例如在图14所示的第1结构例中，晶体振子3的连接端子XT、XTB上并联连接着放大器1以及反馈电路2，并再将MOS晶体管M1、M2的漏极连接在晶体振子3的连接端子XT、XTB上，各个源极端子和GND端子间连接固定电容C1、C2。另外，连接MOS晶体管M1、M2的栅极端子，作为控制电压的施加端子。图15所示的M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压控制型振荡器，是由放大器和并联连接在该放大器的输入侧端子和输出侧端子上的反馈电路以及晶体振子构成的电压控制型振荡器，其特征在于：将所述晶体振子的两个端子分别和作为用于实施频率调整的可变电容元件的两个ＭＯＳ晶体管的漏极连接，并 令所述各个ＭＯＳ晶体管的源极共用，令所述各个ＭＯＳ晶体管的栅极共用，将温度补偿信号电压和外部频率控制信号电压相加后的电压的信号施加在两个栅极端子上，来实施频率控制。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：竹内久人，新宫圭悟，大塚崇，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]