高线性可变电容器阵列制造技术

一种从多个小单元(100-0、100-1、……100-N)构造的高度线性可变电容器阵列(400)。每个小单元包括反平行连接的一对无源的两端子电容器组件。电容器组件可以是金属氧化物半导体MOS电容器。控制电路(410)将偏置电压(411-0、411-1、……411-N)施加到与每个电容器组件关联的偏置电压端子，以由此控制阵列的总体电容。每个小单元中的两个电容器反平行连接，以减少小单元的和阵列的电容的电压系数。MOS电容器优选地操作在反转模式或累积模式下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种可变电容器装置，包括：第一端子；第二端子；多个控制字输入端子，用于接收多个控制输入信号；多个电容小单元，每个小单元耦合在所述第一端子与所述第二端子之间，每个单元电容小单元包括一对无源的两端子电容器组件，每个电容器组件具有阳极端子和阴极端子以及偏置电压输入端子，所述一对电容器反平行连接，从而第一电容器的阳极连接到第二电容器的阴极，所述第二电容器的阳极连接到所述第一电容器的阴极；以及控制电路，其耦合到所述控制字输入端子和所述多个偏置电压输入端子，用于根据所述控制输入信号的状态有选择地控制施加到所述电容小单元的偏置电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：DV格普塔，赖志国，
申请(专利权)人：纽伦斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US