熔断式微波限幅器制造技术

技术编号:11963505 阅读:85 留言:0更新日期:2015-08-27 13:30
本实用新型专利技术公开了一种熔断式微波限幅器,用于雷达系统,其包括限幅器本体和熔断式电阻网络结构,所述熔断式电阻网络结构包括输入传输线、输出传输线、第一电阻、第二电阻和第三电阻,所述第二电阻一端与输入传输线相连且其另一端与输出传输线相接,所述第一电阻一端与输入传输线相连,所述第三电阻一端与输出传输线相连,所述第一电阻和所述第三电阻的另一端均接地线,在基本不增加尺寸的前提下提高了现有微波限幅器的性能而且永久保护后续电路,从而降低维护成本,而电阻网络结构能够和前后的电路端口阻抗匹配,不会使得微波电信号出现较大损耗。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于功率调制技术,尤其涉及一种熔断式微波无限幅器。
技术介绍
现有微波限幅器是利用PIN管的开关特性,当功率大于某一值时,PIN管趋向导 通,使部分功率反射回去。当耐功率要求较高、限幅电平较低时,需要用到多个型号的PIN 管通过逐级限幅来实现最终的小功率输出。然而,级数再多,微波限幅器存在最大的耐功率 指标,当输入功率大于微波限幅器的耐功率时,微波限幅器内部的PIN管会烧坏并处于开 路状态,微波限幅器失去限幅作用,从而烧坏接在微波限幅器后面的电子设备。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是:现有微波限幅器利用PIN管的开关特性,当输 入功率大于微波限幅器的耐功率时,微波限幅器内部的PIN管会烧坏并处于开路状态,微 波限幅器失去限幅作用,从而烧坏接在微波限幅器后面的电路。 为了解决以上问题,本技术提供的技术方案是:熔断式微波限幅器,包括 限幅器本体和熔断式电阻网络结构,所述熔断式电阻网络结构包括输入传输线、输出传 输线、第一电阻、第二电阻和第三电阻,所述第二电阻一端与输入传输线相连且其另一 端与输出传输线相接,所述第一电阻一端与输入传输线相连,所述第三电阻一端与输出 传输线相连,所述第一电阻和所述第三电阻的另一端均接地线,所述输出传输线与限幅 器本体的输入端相接,所述输入传输线作为熔断式微波限幅器的输入端,所述第一电阻 的耐功率与第二电阻的耐功率之比不小于【主权项】1.熔断式微波限幅器,用于雷达系统,其特征在于,包括限幅器本体和熔断式电阻网 络结构,所述熔断式电阻网络结构包括输入传输线、输出传输线、第一电阻、第二电阻和 第三电阻,所述第二电阻一端与输入传输线相连且其另一端与输出传输线相接,所述第 一电阻一端与输入传输线相连,所述第三电阻一端与输出传输线相连,所述第一电阻和 所述第三电阻的另一端均接地线,所述输出传输线与限幅器本体的输入端相接,所述输 入传输线作为熔断式微波限幅器的输入端,所述第一电阻的耐功率与第二电阻的耐功率 之比不小于所述第一电阻的耐功率与第二电阻的耐 功率之比不大于所述第二电阻的耐功率与第三电 阻的耐功率之比不大=所述第二电阻的耐功率与第三电阻的耐功率之比不小于其中Rl为第一电阻的阻值,R2为第 二电阻的阻值,R3为第三电阻的阻值,R为熔断式电阻网络结构的匹配负载,R3//R为第三 电阻R3与匹配负载R并联后的等值计算的阻值。【专利摘要】本技术公开了一种熔断式微波限幅器,用于雷达系统,其包括限幅器本体和熔断式电阻网络结构,所述熔断式电阻网络结构包括输入传输线、输出传输线、第一电阻、第二电阻和第三电阻,所述第二电阻一端与输入传输线相连且其另一端与输出传输线相接,所述第一电阻一端与输入传输线相连,所述第三电阻一端与输出传输线相连,所述第一电阻和所述第三电阻的另一端均接地线,在基本不增加尺寸的前提下提高了现有微波限幅器的性能而且永久保护后续电路,从而降低维护成本,而电阻网络结构能够和前后的电路端口阻抗匹配,不会使得微波电信号出现较大损耗。【IPC分类】H02H3-42, H03H7-38【公开号】CN204597908【申请号】CN201520399140【专利技术人】张园, 奚松涛 【申请人】南京信息职业技术学院【公开日】2015年8月26日【申请日】2015年6月10日本文档来自技高网...

【技术保护点】
熔断式微波限幅器,用于雷达系统,其特征在于,包括限幅器本体和熔断式电阻网络结构,所述熔断式电阻网络结构包括输入传输线、输出传输线、第一电阻、第二电阻和第三电阻,所述第二电阻一端与输入传输线相连且其另一端与输出传输线相接,所述第一电阻一端与输入传输线相连,所述第三电阻一端与输出传输线相连,所述第一电阻和所述第三电阻的另一端均接地线,所述输出传输线与限幅器本体的输入端相接,所述输入传输线作为熔断式微波限幅器的输入端,所述第一电阻的耐功率与第二电阻的耐功率之比不小于所述第一电阻的耐功率与第二电阻的耐功率之比不大于所述第二电阻的耐功率与第三电阻的耐功率之比不大于所述第二电阻的耐功率与第三电阻的耐功率之比不小于其中R1为第一电阻的阻值,R2为第二电阻的阻值,R3为第三电阻的阻值,R为熔断式电阻网络结构的匹配负载,R3//R为第三电阻R3与匹配负载R并联后的等值计算的阻值。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张园奚松涛
申请(专利权)人:南京信息职业技术学院
类型:新型
国别省市:江苏;32

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