MEMS可变电容器及其驱动方法技术

技术编号:8275340 阅读:224 留言:0更新日期:2013-01-31 12:50
本文公开了一种MEMS可变电容器及其驱动方法,该MEMS可变电容器包括:第一电极,浮置在第一电极的上部上方的第二电极,在第二电极的侧面处分离开的固定电极,以及设置在第二电极和固定电极之间、连接至第二电极并且通过施加到固定电极的电压来与固定电极物理接触的漂移电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及MEMS可变电容器及其驱动方法
技术介绍
在移动通信系统中,RF (射频)块被设计为支持若干个频带,具体地,在与频带直接相关的滤波器中所使用的电容器必须使用对于每个频带具有不同电容值的可变电容器(也称为可变电抗)。此外,RF块的部件中的压控振荡器(VCO)可以通过对施加到可变电容器的电压进行调节来改变电容值,从而改变谐振频率。因此,可变电容器是RF块的可调滤波器或压控振荡器中的非常重要的器件。
技术实现思路
技术问题由于电极之间的间距不改变,所以本专利技术解决了以下挑战能够防止由高RF信号的功率所导致的可变电容器的自激。问题的解决方案本公开提供一种MEMS可变电容器,包括第一电极;浮置在第一电极的上部上方的第二电极;在第二电极的侧面处分离开的固定电极;以及设置在第二电极和固定电极之间、连接至第二电极并且通过施加到固定电极的电压来与固定电极物理接触的漂移电极。通过改变施加到第一电极的电压来改变第一电极和第二电极之间的间距。第一电极和固定电极被形成在衬底的上部处,第二电极和漂移电极连接至固定到衬底上的弹簧以使得第二电极浮置在第一电极的上部上方。此外,形成覆盖第一电极的用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴栋灿尹浚宝崔东勋杨贤昊赵盛培宋珠荣李尚勋韩昌训金昌郁
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司韩国高等科学技术研究所
类型:
国别省市:

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