金属氧化物半导体变容器及使用其的压控振荡器制造技术

提供了一种ＭＯＳ变容器，其中振荡频率变化较小，且电容改变电压的变化较小，并且提供了使用所述ＭＯＳ变容器的压控振荡器，连接了可变静电电容器，作为包括反馈电阻器（１）、放大器（２）和晶体振动器（３）的振荡电路的负载电容器，所述可变静电电容器是在ＭＯＳ晶体管（５ａ）和（６ａ）的每个的漏极／源极端子和栅极端子之间产生的，所述ＭＯＳ晶体管（５ａ）和（６ａ）的每个的源极和漏极端子短路。ＭＯＳ晶体管（５ａ）和（６ａ）的每个的基体端子被连接到电阻器（１９）的一个端子，电压被施加到电阻器（１９）的另一端子，ＭＯＳ晶体管（５ａ）和（６ａ）的每个的基体端子被连接到电容器（２０）的一个端子，并且电容器（２０）的另一个端子接地。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种使用在ＭＯＳ晶体管的端子之间所产生的容性成份的ＭＯＳ变容器，包括：电阻器，一端连接至基体端子、另一端接地，其中，控制电压被施加到栅极端子，使源极／漏极端子和基体端子之间的静电电容能够变化，并且源极／漏极端子和栅极端子之间的静电电容能够变化。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：政井茂雄，立山雄一，大塚崇，竹内久人，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]