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金属氧化物半导体变容器及使用其的压控振荡器制造技术
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下载金属氧化物半导体变容器及使用其的压控振荡器的技术资料
文档序号:3399266
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提供了一种MOS变容器,其中振荡频率变化较小,且电容改变电压的变化较小,并且提供了使用所述MOS变容器的压控振荡器,连接了可变静电电容器,作为包括反馈电阻器(1)、放大器(2)和晶体振动器(3)的振荡电路的负载电容器,所述可变静电电容器是在...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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