本实用新型专利技术属于机动车辆起动装置的技术领域，具体涉及一种摩托车电子起动继电器，其特征在于该电子起动继电器由ＶＭＯＳ开关电路和正温度系数热敏电阻ＰＴＣ串联组成，该电子起动继电器无触点、无火花、寿命长、可靠性高，同时又具有自我保护的性能，不会因内部元件损坏造成继电器误动作而损坏起动电机和蓄电池。（*该技术在2009年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术属于机动车辆起动装置的
，具体涉及一种摩托车电子起动继电器。现有的摩托车起动继电器一般为电磁式继电器，它由磁铁、吸块、导线板及弹簧等组成。其工作原理为当电源接通时，继电器电磁导电线圈有电流通过，磁铁产生的吸力使吸块移动并克服弹簧压力，此时吸块端头的导线板的触点接触，导通起动电机的起动电路，起动电机开始运转；当电源断开后，继电器电磁导电线圈无电流通过，弹簧使吸块复位，吸块端头的导电板的触头不接触，起动电流被切断，起动电机停止运转。它存在着工作时电火花大、触点易烧结、怕振动、寿命短、易因内部元件损坏使继电器长时间工作而造成起动电机和蓄电池损坏等缺点。本技术的目的是为了克服上述现有技术的不足之处，而提供一种既无触点、无火花、寿命长、可靠性高，又同时具有自我保护的性能，不会因为内部元件损坏造成继电器误动作而损坏起动电机和蓄电池的摩托车电子起动继电器。本技术的目的是这样实现的该电子起动继电器由VMOS开关电路和正温度系数热敏电阻PTC串联组成，VMOS开关电路由VMOS场效应管、二极管D和电容C组成，二极管D的正极与VMOS场效应管的漏极相连，二极管D的负极与电容C的正极相连外，还通过控制开关K和VMOS场效应管的栅极相连，当控制开关K闭合时，VMOS场效应管的栅极电压升高，VMOS场效应管的漏极和源极导通，起动电流通过VMOS场效应管和正温度系数热敏电阻PTC，起动电路导通，起动电机工作，与此同时正温度系数热敏电阻PTC升温，当其温度达到转变点温度时，正温度系数热敏电阻PTC阻值急剧上升，具有开关的特性，从而达到实现本技术的目的。本技术的优点在于该继电器无触点、无火花、寿命长、可靠性高，同时又具有自我保护的性能，不会因内部元件损坏造成继电器误动作而损坏起动电机和蓄电池。附图说明图1，本技术电子起动继电器电路图。图2，本技术电子起动继电器实施例电路图。参照图1、图2，本技术电子起动继电器由VMOS开关电路和正温度系数热敏电阻PTC串联组成，VMOS开关电路由VMOS场效应管、二极管D和电容C组成，二极管D的正极与VMOS场效应管的漏极相连，二极管D的负极与电容C的正极相连外，还通过控制开关K和VMOS场效应管的栅极相连，电容器C的负极与VMOS场效应管的源极相连，其控制开关K由光耦合器控制电路和摩托车起动开关K’组成，光耦合器控制电路由光耦合器、偏置电阻R1和限流电阻R2组成，光耦合器控制端的正极通过限流电阻R2和摩托车起动开关K’和VMOS开关电路的VMOS场效应管的漏极相连，光耦合器控制端负极接地，光耦合器输出端的发射极与VMOS权利要求1.一种摩托车电子起动继电器，其特征在于该电子起动继电器由VMOS开关电路和正温度系数热敏电阻PTC串联组成，VMOS开关电路由VMOS场效应管、二极管D和电容C组成，二极管D的正极与VMOS场效应管的漏极相连，二极管D的负极与电容C的正极相连外，还通过控制开关K和VMOS场效应管的栅极相连，电容器C的负极与VMOS场效应管的源极相连。2.根据权利要求1所述的摩托车电子起动继电器，其特征在于该继电器还包括光耦合器控制电路，光耦合器控制电路和摩托车起动开关K’组成控制开关K，光耦合器控制电路由光耦合器、偏置电阻R1和限流电阻R2组成，光耦合器控制端的正极通过限流电阻R2和摩托车起动开关K’与VMOS开关电路的VMOS场效应管的漏极相连，光耦合器控制端的负极接地，光耦合器输出端的发射极与VMOS开关电路的VMOS场效应管的栅极相连，光耦合器输出端的集电极与VMOS开关电路的二极管D的负极相连，偏置电阻R1的一端与VMOS开关电路的VMOS场效应管的源极相连，其另一端与光耦合器输出端的发射极相连。专利摘要本技术属于机动车辆起动装置的
,具体涉及一种摩托车电子起动继电器,其特征在于该电子起动继电器由VMOS开关电路和正温度系数热敏电阻PTC串联组成,该电子起动继电器无触点、无火花、寿命长、可靠性高,同时又具有自我保护的性能,不会因内部元件损坏造成继电器误动作而损坏起动电机和蓄电池。文档编号H01H47/02GK2396504SQ99241189公开日2000年9月13日 申请日期1999年9月25日 优先权日1999年9月25日专利技术者陈万兴 申请人:陈万兴本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种摩托车电子起动继电器，其特征在于该电子起动继电器由ＶＭＯＳ开关电路和正温度系数热敏电阻ＰＴＣ串联组成，ＶＭＯＳ开关电路由ＶＭＯＳ场效应管、二极管Ｄ和电容Ｃ组成，二极管Ｄ的正极与ＶＭＯＳ场效应管的漏极相连，二极管Ｄ的负极与电容Ｃ的正极相连外，还通过控制开关Ｋ和ＶＭＯＳ场效应管的栅极相连，电容器Ｃ的负极与ＶＭＯＳ场效应管的源极相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈万兴，
申请(专利权)人：陈万兴，
类型：实用新型
国别省市：85[中国|重庆]
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