存储器的制作方法、存储器以及存储器系统技术方案

本申请提供一种存储器的制作方法、存储器以及存储器系统，该方法包括：在衬底上形成堆叠层，堆叠层具有靠近衬底的第一侧与背离所述衬底的第二侧；形成贯穿堆叠层并延伸至衬底内的存储沟道孔；去除衬底；从第一侧在存储沟道孔中形成存储沟道结构，存储沟道结构包括存储功能层和沟道层，且具有靠近第二侧的第二端部；去除第二端部中的存储功能层，并暴露出第二端部中的沟道层；在堆叠层的所述第二侧上形成半导体层，半导体层覆盖暴露出的沟道层，从而能在不损伤存储沟道结构的前提下，制作高度统一的存储沟道结构，提高存储器性能，且有利于降低沟道孔的制作要求，降低工艺难度。降低工艺难度。降低工艺难度。

【技术实现步骤摘要】
存储器的制作方法、存储器以及存储器系统


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种存储器的制作方法、存储器以及存储器系统。

技术介绍

[0002]三维存储器(3D NAND)是一种新兴的存储器类型，不同于2DNAND二维存储器将存储单元放置在平面，3D NAND技术垂直堆叠了多层存储单元，从而打造出存储容量比2D NAND技术高达数倍的存储器。
[0003]在3D NAND制造的各个工艺步骤中，沟道孔的刻蚀一直是很重要的步骤。由于低温刻蚀工艺能实现较高的纵横比刻蚀，且能为氧化氮膜层和多晶硅带来较快的刻蚀速率，故在现有3D NAND中，沟道孔通常采用低温刻蚀工艺来制造。但是，随着堆叠层数的逐渐增加，高深宽比的沟道孔越来越难制造，而挖孔深度过深或过浅，都容易对后续工艺产生影响，比如在后续打薄衬底的CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光)工艺中，容易损伤存储沟道结构，进而影响存储器的性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术在于提供一种存储器的制作方法、存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的制作方法，其特征在于，所述存储器包括存储阵列器件，所述制作方法包括：在衬底上形成堆叠层，所述堆叠层具有靠近所述衬底的第一侧与背离所述衬底的第二侧；形成贯穿所述堆叠层并延伸至所述衬底内的存储沟道孔；去除所述衬底；从所述第一侧在所述存储沟道孔中形成存储沟道结构，所述存储沟道结构包括存储功能层和沟道层，且具有靠近所述第二侧的第二端部；去除所述第二端部中的所述存储功能层，并暴露出所述第二端部中的所述沟道层；在所述堆叠层的所述第二侧上形成半导体层，所述半导体层覆盖暴露出的所述沟道层，以得到所述存储阵列器件。2.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述存储器还包括外围电路器件，在从所述第一侧在所述存储沟道孔中形成存储沟道结构的步骤之后，还包括：从所述堆叠层的所述第一侧，将所述存储阵列器件与所述外围电路器件进行键合。3.根据权利要求2所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述存储沟道结构还包括靠近所述第一侧的第一端部，在从所述堆叠层的所述第一侧，将所述存储阵列器件与外围电路器件进行键合的步骤之前，还包括：在所述堆叠层的所述第一侧上形成介电层；在所述介电层中形成插塞结构，所述插塞结构贯穿所述介电层且连接所述第一端部中的所述沟道层。4.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，在去除所述衬底的步骤之前，还包括：从所述第二侧在所述存储沟道孔中形成牺牲沟道结构，所述牺牲沟道结构填充所述存储沟道孔；以及在去除所述衬底的步骤之后，还包括：从所述第一侧去除所述牺牲沟道结构。5.根据权利要求4所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述牺牲沟道结构的材料包括碳化物。6.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，在去除所述衬底的步骤之前，还包括：从所述堆叠层的所述第二侧，将所述存储阵列器件与牺牲基板进行键合。7.根据权利要求6所述的存储器的制作方法，其特征在于，在从所述堆叠层的所述第二侧，将所述存储阵列器件与牺牲基板进行键合的步骤之前，还包括：在所述堆叠层的所述第二侧上形成间隔层；在所述间隔层上形成互连层；所述从所述堆叠层的所述第二侧，将所述存储阵列器件与牺牲基板进行键合的步骤，包括：将所述互连层与牺牲基板进行键合。8.根据权利要求7所述的存储器的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文龙，李思晢，刘沙沙，张天辉，高晶，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：