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本申请提供一种存储器的制作方法、存储器以及存储器系统，该方法包括：在衬底上形成堆叠层，堆叠层具有靠近衬底的第一侧与背离所述衬底的第二侧；形成贯穿堆叠层并延伸至衬底内的存储沟道孔；去除衬底；从第一侧在存储沟道孔中形成存储沟道结构，存储沟道结构...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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