【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备
[0001]本公开涉及半导体芯片
，尤其涉及一种三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备。
技术介绍
[0002]随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂，这造成2D或者平面NAND闪存的存储密度接近上限。为克服2D或者平面NAND闪存带来的限制，业界已经研发了具有三维结构的存储器(3D NAND)，通过将存储单元三维地布置在衬底之上来提高存储密度。
[0003]在三维存储器的实际制备过程中，为了实现接触部与堆叠结构中的栅极层之间的电连接，需要在覆盖堆叠结构的介质层中蚀刻形成显露出阶梯区域的各栅极层的接触孔，然后在接触孔中填充导电材料以形成接触部。
[0004]然而，随着三维存储器集成程度的提高以及堆叠层数的增加，接触孔的深度日益加深，在形成接触孔的过程中易造成位于高层的栅极层被蚀穿。在这种情况下，在接触孔中填充用于形成接触部的导电材料之后，会导致不同栅极层之间的短接(即不同层之间的字线电连接)，从而引发存储器的失效。<...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：堆叠结构，包括交替设置的栅极层和介质层；所述堆叠结构包括台阶结构，所述台阶结构包括多个沿第一方向设置、且沿第二方向具有不同高度的阶梯结构；所述阶梯结构包括多个台阶；所述第一方向与所述第二方向相互垂直；多个沿所述第一方向设置的第一停止部，位于至少一个所述阶梯结构的多个台阶上，每个所述第一停止部设置于一个所述台阶上；保护层，覆盖所述台阶结构和所述第一停止部，所述保护层的至少部分位于所述第一停止部和与所述第一停止部相邻的台阶之间；多个接触柱，所述接触柱贯穿所述保护层和所述第一停止部，与所述第一停止部所对应的台阶中的栅极层连接。2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括：隔离结构，沿所述第一方向延伸，且贯穿所述堆叠结构；所述隔离结构将所述堆叠结构划分成多个存储块，每个存储块包括所述台阶结构；其中，所述第一停止部所在的阶梯结构与所述隔离结构间隔设置。3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，沿所述第二方向，所述存储块包括第一阶梯结构、第二阶梯结构和第三阶梯结构，所述第二阶梯结构的多个台阶上设置有所述第一停止部。4.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，沿所述第二方向，所述存储块包括第一阶梯结构和第二阶梯结构，所述第一阶梯结构与所述隔离结构间隔设置，所述第一阶梯结构的多个台阶上设置有所述第一停止部。5.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，每个存储块还包括一个侧墙；所述隔离结构包括第一隔离结构和第二隔离结构；沿所述第二方向，所述第一隔离结构位于相邻的两个侧墙之间，所述第二隔离结构位于相邻的两个台阶结构之间；沿所述第二方向，与所述第二隔离结构相邻的两个存储块中的台阶结构对称设置。6.根据权利要求5所述的三维存储器，其特征在于，沿所述第二方向，且由所述第一隔离结构朝向所述第二隔离结构，所述存储块中的多个阶梯结构的高度逐渐降低。7.根据权利要求5所述的三维存储器，其特征在于，沿所述第二方向，与所述第二隔离结构两侧相邻的两个阶梯结构的高度相同。8.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，还包括：多个沿第一方向设置的第二停止部，位于多个所述阶梯结构中除设置有第一停止部的阶梯结构外的其他阶梯结构的多个台阶上；其中，所述保护层还覆盖所述第二停止部，所述保护层的至少部分位于所述第二停止部和与所述第二停止部相邻的台阶之间。9.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，还包括：多个沿所述第一方向延伸的栅线隔离结构，位于相邻的两个所述隔离结构之间，所述栅线隔离结构贯穿所述第二停止部及所述堆叠结构；沿所述第一方向，每个栅线隔离结构包括多个相互分离的子隔离结构；其中，所述第二停止部的材料与所述栅极层的材料相同。
10.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述第二停止部的材料与所述第一停止部的材料相同。11.根据权利要求1～10中任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述第一停止部的材料包括氮化硅。12.根据权利要求1～10中任一项所述的三维存储器，其特征在于，沿第三方向，所述第一停止部的厚度与上一台阶的栅极层的厚度相同；所述上一台阶与所述第一停止部所对应的台阶相邻，且高于所述第一停止...
【专利技术属性】
技术研发人员：张中，王迪，周文犀，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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