静电吸盘及其制造方法、以及基板固定装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种静电吸盘及其制造方法、以及基板固定装置，该静电吸盘包括：基体，其具有放置吸附目标对象的放置表面；热扩散层，其直接形成在基体的与放置表面相反的表面上；绝缘层，其在热扩散层的与基体相反的一侧布置成与热扩散层接触；以及发热体，其埋入在绝缘层中。热扩散层由热导率高于绝缘层的材料形成。热扩散层由热导率高于绝缘层的材料形成。热扩散层由热导率高于绝缘层的材料形成。

【技术实现步骤摘要】
静电吸盘及其制造方法、以及基板固定装置


[0001]本专利技术涉及一种静电吸盘及其制造方法、以及基板固定装置。

技术介绍

[0002]在现有技术中，在制造诸如IC、LSI等半导体器件时使用的成膜装置(例如CVD装置、PVD装置等)或等离子体蚀刻装置具有用于在真空处理室内准确地保持晶片的载物台。
[0003]作为这样的载物台，例如，提出了一种基板固定装置，该基板固定装置构造为通过安装在底板上的静电吸盘来吸附并保持作为吸附目标对象的晶片。静电吸盘例如具有发热体和用于使来自发热体的热量均匀化的金属层。
[0004]引文列表
[0005]专利文献
[0006]PTL 1：JP
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A
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2020
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88304

技术实现思路

[0007]然而，近年来，要求进一步改善静电吸盘的均热性，并且现有技术的结构难以满足改善均热性的要求。
[0008]本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种具有进一步改善的均热性的静电吸盘。r/>[0009]本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘，包括：基体，其具有放置吸附目标对象的放置表面；热扩散层，其直接形成在所述基体的与所述放置表面相反的表面上；绝缘层，其在所述热扩散层的与所述基体相反的一侧布置成与所述热扩散层接触；以及发热体，其埋入在所述绝缘层中，其中，所述热扩散层由热导率高于所述绝缘层的材料形成。2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述热扩散层形成在所述基体的与所述放置表面相反的一侧的整个表面上。3.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其中，所述热扩散层的热导率为400W/mK以上。4.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其中，所述热扩散层的材料为铜、铜合金、...

【专利技术属性】
技术研发人员：村松佑亮，竹元启一，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：