包括多触点互连件的堆叠管芯制造技术

本公开涉及包括多触点互连件的堆叠管芯。多个管芯位于第一树脂内，并且导电层位于第一树脂上。导电层耦接在延伸至第一树脂内的第一导电过孔中的一些第一导电过孔与多个管芯中的相应管芯之间。导电层和第一导电过孔将多个管芯中的一些管芯彼此耦接。第二导电过孔延伸至第一树脂内，到达基板的接触焊盘，并且导电层耦接至第二导电过孔，将多个管芯中的一些管芯耦接至基板的接触焊盘。第二树脂位于第一树脂上并覆盖第一树脂和第一树脂上的导电层。在一些实施例中，第一树脂包括多个台阶(例如台阶结构)。在一些实施例中，第一树脂包括倾斜表面(例如斜坡表面)。面(例如斜坡表面)。面(例如斜坡表面)。

【技术实现步骤摘要】
包括多触点互连件的堆叠管芯


[0001]本公开涉及一种包括利用多触点互连件耦接在一起的多个堆叠管芯的封装件。该封装包括多个管芯上的第一树脂和第一树脂上的第二树脂。

技术介绍

[0002]一般地，半导体器件封装、堆叠管芯封装和其它类型的半导体封装包括基板上由树脂(例如模塑料、密封剂或其它适当材料)覆盖的单个管芯或多个管芯。基板上的管芯一般耦接至基板中和基板上的电部件(例如电迹线、接触焊盘等)。基板的电部件可以通过延伸穿过树脂的电线或电迹线耦接至管芯。
[0003]当基板的电部件通过电线耦接至管芯时，电线可以通过引线键合技术(例如楔形键合、球形键合、顺应键合、挤压成形技术等)形成。例如，当使用球形键合技术和挤压成形技术时，在管芯的接触焊盘上形成导电材料的球，并且将导线从球挤出至基板的接触焊盘上。通过球形键合技术和挤压成形技术形成的电线将管芯电耦接至基板。
[0004]在一些其它情况下，可以通过首先在树脂内形成凹槽和开口来形成基板的电部件与管芯之间的电连接，开口暴露基板和管芯的接触焊盘。形成凹槽和开口之后，通过将基板的接触焊盘耦接至管芯的接触焊盘的镀覆技术，在凹槽中形成导电材料。

技术实现思路

[0005]减少这些常规工艺中形成半导体器件封装(诸如堆叠管芯封装)的步骤数会降低制造成本。此外，减少用于在半导体器件封装中形成电连接的材料量也会降低那些半导体器件封装的制造成本。
[0006]半导体器件封装的实施例以及本公开的或本公开范围内的半导体器件封装实施例的制造方法至少解决了减少用于在半导体器件封装实施例中形成电连接的步骤数和材料量的问题。根据本公开的实施例涉及至少堆叠管芯封装件。
[0007]本公开涉及堆叠管芯封装的至少一个实施例，该堆叠管芯封装包括第一树脂、第一树脂上的第二树脂，以及第一树脂和第二树脂之间的导电层。换句话说，导电层位于第一树脂上，并且第二树脂覆盖第一树脂和导电层。
[0008]堆叠管芯可以包括基板上的第一管芯、堆叠在第一管芯上的第二管芯，以及在基板上并且包封第一管芯和第二管芯的第一树脂。第二管芯堆叠在第一管芯上，使得第二管芯相对于第一管芯偏移。换句话说，第一管芯具有第一端部，并且第二管芯具有延伸超过第一端部的第二端部。第一树脂具有覆盖第一管芯和第二管芯的台阶结构(例如至少一个台阶或多个台阶)。
[0009]在一些实施例中，堆叠管芯与导电层耦接在一起。第一导电过孔延伸至第一树脂内，到达第一管芯，第二导电过孔延伸至第一树脂内，到达第二管芯，并且第三导电过孔延伸至第一树脂内，到达基板。导电层位于台阶结构上，耦接至第一导电过孔、第二导电过孔和第三导电过孔并且在第一导电过孔、第二导电过孔和第三导电过孔之间延伸。导电层将
第一导电过孔、第二导电过孔和第三导电过孔彼此电耦接，从而将第一管芯、第二管芯和基板彼此电耦接。导电层可以用激光直接成型(LDS) 工艺形成，该工艺将LDS兼容材料用于第一树脂。
[0010]在一个备选实施例中，第一树脂具有覆盖第一管芯和第二管芯的倾斜表面。第一导电过孔延伸至倾斜表面中，到达第一管芯，第二导电过孔延伸至倾斜表面中，到达第二管芯，并且第三导电过孔延伸至第一树脂内，到达基板。导电层位于倾斜表面上，并且将第一导电过孔、第二导电过孔和第三导电过孔彼此电耦接。
[0011]本公开中的堆叠管芯封装形成方法包括利用激光直接成型(LDS) 技术或工艺在第一树脂的表面上形成导电层，并且形成延伸至第一树脂内的导电过孔。LDS技术包括沿第一树脂的表面移动激光器，激活第一树脂内的添加剂，以及用导电材料镀覆第一树脂表面处的激活添加剂，将第一树脂内的堆叠管芯彼此电耦接并且电耦接至基板。
附图说明
[0012]为了更好地理解实施例，现在将通过示例的方式参考附图。在附图中，除非上下文另有指示，否则相同的附图标记标识相似元件或动作。附图中元件的尺寸和相对比例不一定按比例绘制。例如，这些元件中的一些元件可以被放大和定位以提高附图的易读性。
[0013]图1A是沿图1B中的线A
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A截取的堆叠管芯封装实施例的横截面图；
[0014]图1B是图1A所示堆叠管芯封装实施例的俯视平面图；
[0015]图2A是沿图2B中的线B
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B截取的堆叠管芯封装备选实施例的横截面图；
[0016]图2B是图2A所示的堆叠管芯封装备选实施例的俯视平面图；
[0017]图3A是沿图3B中的线C
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C截取的堆叠管芯封装备选实施例的横截面图；
[0018]图3B是堆叠管芯封装备选实施例的俯视平面图；
[0019]图4A是沿图4B中的线D
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D截取的堆叠管芯封装备选实施例的横截面图；
[0020]图4B是图4A所示的堆叠管芯封装备选实施例的俯视平面图；
[0021]图5是堆叠管芯封装备选实施例的横截面图；
[0022]图6A
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6C是如图1A和图1B所示的堆叠管芯封装实施例的制造方法实施例；
[0023]图7是如图3A和图3B所示的堆叠管芯封装备选实施例的制造方法实施例；并且
[0024]图8是如图4A和图4B所示的堆叠管芯封装备选实施例的制造方法实施例。
具体实施方式
[0025]在以下描述中，阐述了某些具体细节以提供对本公开各种实施例的透彻理解。然而，本领域技术人员将理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开。在其它情况下，未详细描述与电子部件、封装和半导体制造技术相关联的公知结构，以避免不必要地混淆对本公开实施例的描述。
[0026]除非上下文另有要求，否则在整个说明书和所附权利要求书中，词语“包括”及其变体，例如“包含”和“含有”应解释为开放的、包括性的含义，即“包括但不限于”。
[0027]诸如第一、第二、第三等序数的使用不一定暗示顺序的排序意义，而是可以仅在动作或类似结构或材料的多个实例之间进行区分。
[0028]说明书通篇中提到的“一个实施例”或“实施例”意味着与实施例有关的特定特征、
结构或特性包含在至少一个实施例中。因此，在整个说明书多处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。
[0029]术语“竖直”、“水平”、“下”、“上”、“顶”、“底”、“左”和“右”仅用于基于如下对本公开附图的讨论中的部件朝向讨论的目的。这些术语不是限制性的，因为可能的位置在本公开中明确地公开、隐含地公开或固有地公开。
[0030]术语“基本上”用于阐明当在现实世界中制造封装时，可能存在微小的差别，因为任何东西都无法完全等同或完全相同。换句话说，基本上意味着在实际实践中可能存在一些轻微的变化，并且备选地在可接受的公差内进行。
[0031]如在说明书和所附权利要求书中所用的，除非上下文有明确说明，否则单数形式“一”、“一个”、“所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，包括：基板；第一管芯，在所述基板上；第二管芯，在所述第一管芯上；第一树脂，在所述基板、所述第一管芯和所述第二管芯上，所述第一树脂具有多个台阶；第一导电层，电耦接至所述基板、所述第一管芯和所述第二管芯，所述第一导电层位于所述多个台阶上；以及第二树脂，位于所述第一树脂和所述第一导电层上。2.根据权利要求1所述的设备，其中：所述第一树脂包括第一侧壁；并且所述第二树脂包括第二侧壁，所述第二侧壁与所述第一树脂的所述第一侧壁共面。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一导电层还包括：第一触点，在所述基板上；第二触点，在所述第一管芯上；第三触点，在所述第二管芯上；第一导电过孔，延伸至所述第一树脂中到达所述第一触点，所述第一导电过孔将所述第一导电层电耦接至所述第一触点；第二导电过孔，延伸至多个台阶中的第一个台阶中到达所述第二触点，所述第二导电过孔将所述第一导电层电耦接至所述第二触点；以及第三导电过孔，延伸至所述多个台阶中的第二个台阶中到达所述第三触点，所述第三导电过孔将所述第一导电层电耦接至所述第三触点。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一树脂包封所述第一管芯和所述第二管芯，并且所述第二树脂包封所述第一管芯和所述第一导电层。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一树脂是激光直接成型(LDS)兼容树脂，所述第二树脂是与所述第一树脂不同的材料。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第一树脂包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，并且所述第二树脂包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第一树脂的第一侧壁与所述第二树脂的第一侧壁共面。7.根据权利要求6所述的设备，其中所述第一树脂的第一侧壁具有在第一方向上的第一尺寸，并且所述第二树脂的第一侧壁具有在所述第一方向上的第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸。8.根据权利要求7所述的设备，还包括：第二导电层，在所述第一树脂和所述第二树脂之间，所述第二导电层与所述第一导电层分离并且不同，所述第二导电层电耦接至所述基板。9.根据权利要求1所述的设备，还包括：贮存器，在所述第一树脂中，所述第二树脂位于所述贮存器中并且与所述第一导电层对准。10.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一树脂包括柱，所述柱形成所述贮存器的外侧壁和内壁。
11.一种设备，包括：基板；第一管芯，在所述基板上，所述第一管芯具有第一表面和多个侧壁；第二管芯，在所述第一表面上，所述第二管芯具有背对所述第一管芯的第二表面和多个第二侧壁；第一激光直接成型兼容树脂，在所述第一表面、所述第二表面、第一侧壁和所述第二侧壁上，所述第一树脂具有成角度表面；以及第一导电层，在所述第一树脂的所述成角度表面上，所述第一导电层电耦接至所述第一管芯、所述第二管芯和所述基板；以及第二树脂，在所述第一树脂上，所述第二树脂是与所述第一树脂不同的材料。12.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一导电层位于所述第二树脂和所述第一树脂之间。13.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一树脂完全覆盖所述第二表面、所述第一侧壁和所述第二侧壁，所述第一树脂包括多个外侧壁。14.根据权利要求13所述的设备，其中所述第二树脂包括与所述第一树脂的多个外侧壁共面的多个外侧壁。15.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：栾竟恩，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：