用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物，涉及一种能够用于制造显示器的所有工艺的光刻胶剥离液组合物。更具体地，本发明专利技术的用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物能够应用于所有过渡金属及氧化物半导体电线，具有优异的去除在硬烘烤(Hard Baked)工艺、注入(Implant)工艺及干法蚀刻(Dry Etch)工艺后产生的变性的光刻胶的能力。尤其，示出对于干法蚀刻后易受腐蚀的铜(Cu)线图案边缘部分进一步特化的腐蚀抑制效果。一步特化的腐蚀抑制效果。一步特化的腐蚀抑制效果。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物


[0001]本专利技术涉及一种用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物，涉及一种能够用于制造显示器的所有工艺的光刻胶剥离液组合物。更具体地，本专利技术的用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物能够应用于所有过渡金属及氧化物半导体电线，具有优异的去除在硬烘烤(Hard Baked)工艺、注入(Implant)工艺及干法蚀刻(Dry Etch)工艺后产生的变性的光刻胶的能力。尤其，示出对于干法蚀刻后易受腐蚀的铜(Cu)线图案边缘(pattern edge)部分进一步特化的腐蚀抑制效果。

技术介绍

[0002]在平面显示器(FPD)的制造工艺中，一种光刻技术工艺(Photo
‑
lithography)被广泛的用于在基板上形成规定的图案。这种光刻技术工艺主要由一系列如曝光工艺、干法或湿法蚀刻工艺和灰化(ashing)等的工艺组成，以及在基板上涂敷并曝光光刻胶(Photo Resist)后，在其上进行干法或湿法蚀刻以形成图案。因此，需要使用光刻胶剥离剂去除留在金属线上的光刻胶。
[0003]在开始使用剥离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物，其特征在于，包括：(a)0.01重量百分比～3重量百分比的下述化学式1的过渡金属及金属氧化物缓蚀剂；(b)0.05重量百分比～3重量百分比的下述化学式2的无硫缓蚀剂；(c)1重量百分比～10重量百分比的伯胺及仲胺的混合物；(d)1重量百分比～15重量百分比的环状醇；(e)1重量百分比～30重量百分比的非质子极性有机溶剂；(f)1重量百分比～30重量百分比的质子极性有机溶剂；以及(g)剩余量的超纯水，化学式1：化学式2：化学式3：其中，T1或T2各自独立地为
‑
O
‑
NH
4+
或
‑
O
‑
H；T3为
‑
O
‑
R或
‑
R`；R及R`各自独立地选自由氢、甲基、直链或支链C2～C
12
烷基、直链或支链C2～C
12
烯基、直链或支链C2～C
12
炔基、C3～C
12
环烷基、包含选自由N、O及S组成的组中的一种以上的杂原子的具有3个至10个核型原子的杂环烷基、C6～C
20
芳基、包含选自由N、O及S组成的组中的一种以上的杂原子的具有5个至20个核型原子的杂芳基、C1～C
12
烷氧基及C6～C
12
芳氧基组成的组中；化学式2的环A为化学式3的结构中的一种；
R1、R2及R3选自由甲基、直链或支链C2～C
12
烷基、直链或支链C2～C
12
烯基、直链或支链C2～C
12
炔基、C3～C
12
环烷基、包含选自由N、O及S组成的组中的一种以上的杂原子的具有3个至10个核型原子的杂环烷基、C6～C
20
芳基、包含选自由N、O及S组成的组中的一种以上的杂原子的具有5个至20个核型原子的杂芳基、C1～C
12
烷氧基及C6～C
12
芳氧基组成的组中；*是指形成化学式2的吡啶环与环A的融合的碳。2.根据权利要求1所述的用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物，其特征在于，上述过渡金属及金属氧化物缓蚀剂为选自由磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、磷酸三铵、甲基膦酸、乙基膦酸、丙基膦酸、丁基膦酸、叔丁基膦酸、戊基膦酸、正己基膦酸、磷酸三乙酯、辛基膦酸、癸基膦酸、十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、十八烷基膦酸、磷酸己酯、磷酸庚酯、辛基磷酸酯、磷酸壬酯、磷酸癸酯及磷酸十二烷基酯组成的组中的一种以上。3.根据权利要求1所述的用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物，其特征在于，上述无硫缓蚀剂为选自由咪唑[4,5
‑
b]吡啶、6
‑
甲基咪唑[4,5
‑
b]吡啶、咪唑[4,5
‑
b]吡啶
‑2‑
羧酸、6
‑
甲基咪唑[4,5
‑
b]吡啶
‑2‑
羧酸、1H
‑
吡唑并[3,4
‑
b]吡啶、3

【专利技术属性】
技术研发人员：崔好星，金圭祥，李锺淳，河相求，全炳宇，梁允模，卞杞天，崔然洙，金善正，
申请(专利权)人：LTC有限公司，
类型：发明
国别省市：