一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法技术

一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，所述处理方法包括如下步骤：S1、运用单乙醇胺、四甲基氢氧化铵、环糊精和水等配置环糊精衍生水性剥离剂；S2、将剥离剂加入加压罐内，并保持恒温恒压；S3、将喷嘴出口和氧化铟锡电极表面之间的喷射距离保持在50～100 mm之间，喷嘴内需配有涡流室；S4、喷涂时喷嘴流量≤500 mL/min，喷涂时间保持在30～40秒，且在恒温条件下进行，喷雾结构和冲击力需使得修正韦伯数(We*)＜200～300；S5、喷涂完成后将氧化铟锡电极板进行冲洗、干燥。该种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，运用可高效收集光刻胶残留物的环糊精衍生水性剥离剂，结合喷嘴喷射的喷雾结构、雾化和冲击条件，应用低的去除温度和快速的去除时间，不仅可去除在氧化铟锡电极上的光刻胶，保持电极电学和光学性能的稳定，同时可减少光刻胶去除工艺步骤中环境污染物的产生。骤中环境污染物的产生。骤中环境污染物的产生。

【技术实现步骤摘要】
一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法


[0001]本专利技术涉及光刻胶去除
，特别涉及用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法。

技术介绍

[0002]在生产半导体、集成电路或LCD（液晶显示器）器件的微电路时，光刻技术被广泛用于在基板上形成规则的图案。标准光刻包括以下工艺步骤：在基板上形成的金属或电极层上沉积光刻胶，通过选择性紫外线曝光和显影形成光刻胶图案，使用图案化光刻胶层掩模蚀刻金属或电极层，以及用剥离剂去除光刻胶残留物。
[0003]光刻胶通常用于ITO（氧化铟锡）层上的电极图案化，氧化铟锡层用于沉积在玻璃上的光学透明的和导电的电极。光刻胶是一种具有光敏结构的合成树脂，主要与基于DNQ（重氮萘醌）的酚醛清漆树脂（一种酚醛树脂）混合。随着光刻技术的越来越广泛的应用，光刻胶残留物的去除，即剥离剂消耗量的也在同步快速增长，由此带来了剥离剂相关的毒性和环境污染问题。有机剥离剂在性能和效率方面具有优势的特性，但含有大量对环境有害的有机物质。在这种情况下，越来越需要通过使用基于安全溶剂（例如水性）的剥离剂来减少光刻胶去除工艺步骤中环境污染物的产生。水性剥离剂易造成对金属的腐蚀，因而，如何使用水性剥离剂实现快速地去除光刻胶而不会损坏电极层，同时亦可发挥其对光刻胶的去除性能而不留下任何光刻胶残留物，是个难题。为此，我们提出一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，可以有效解决
技术介绍
中的问题。
[0005]一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，所述处理方法包括如下步骤：S1、运用单乙醇胺、四甲基氢氧化铵、环糊精和水等配置环糊精衍生水性剥离剂；S2、将剥离剂加入加压罐内，并保持恒温恒压；S3、将喷嘴出口和氧化铟锡电极表面之间的喷射距离保持在50～100 mm之间，喷嘴内需配有涡流室；S4、喷涂时喷嘴流量≤500 mL/min，喷涂时间保持在30～40秒，且在恒温条件下进行，喷雾结构和冲击力需使得修正韦伯数(We*)＜200～300；S5、喷涂完成后将氧化铟锡电极板进行冲洗、干燥。
[0006]进一步，所述步骤S1中包括：
①ꢀ
以剥离剂为100份重量份计，其中至少含有单乙醇胺15～22份、四甲基氢氧化铵2～4份、环糊精4～7份和水71～76.8份：
②ꢀ
剥离剂还含有金属钝化剂。
[0007]进一步，所述步骤S2包括：
①ꢀ
加压罐的工作压力为1 bar;
②ꢀ
加压罐内温度保持在40℃。
[0008]进一步，所述步骤S3中包括：
①ꢀ
喷嘴的孔口直径为0.8～1.0 mm；
②ꢀ
喷嘴内涡流室的喷射角度在30～35
°
之间。
[0009]进一步，所述步骤S4中包括：
①ꢀ
喷涂保持在40℃的剥离温度下进行；
②ꢀ
修正韦伯数为冲击动能与表面能的比值，由下式确定： We*=ρv
2 d/(12σ)其中ρ=密度，v=速度，d=直径，σ=表面张力。
[0010]进一步，所述步骤S5中包括：在异丙醇中冲洗30～40秒并在空气中干燥。
[0011]本专利技术提供的一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，运用单乙醇胺、四甲基氢氧化铵、环糊精和水等配置环糊精衍生水性剥离剂，以剥离剂为100份重量份计，其中至少含有单乙醇胺15～22份、四甲基氢氧化铵2～4份、环糊精4～7份、水71～76.8份，另还含有金属钝化剂，环糊精衍生的剥离剂由于其亲水性OH基团而具有良好的水溶性，并且由于亲脂性大环而具有优异的光刻胶残留物收集效率，剥离剂允许在剥离后提取受污染的光刻胶作为剥离剂重复使用，从而有助于减少废物和节省成本；将剥离剂加入工作压力为1 bar的加压罐内，并保持恒温40℃；将喷嘴出口和氧化铟锡电极表面之间的喷射距离保持在50～100 mm之间，喷嘴内涡流室的喷射角度在30～35
°
之间，喷嘴的孔口直径为0.8～1.0 mm，从而确保喷涂过程所需的影响幅度，同时保持适当粒径；喷涂时喷嘴流量≤500 mL/min，喷涂时间保持在30～40秒，且在恒温40℃条件下进行，喷雾结构和冲击力需使得修正韦伯数(We*)＜200～300，从而达到经济的剥离剂消耗管理效果，同时实现适当的传质和传热，并保持冲击水平诱导化学活化；喷涂完成后将氧化铟锡电极板在异丙醇中冲洗30～40秒并在空气中干燥，从而实现光刻胶的有效去除，并在整个喷涂过程中保持了氧化铟锡电极的电学和光学性能的稳定。
附图说明
[0012]图1为本专利技术一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法的流程示意图。
具体实施方式
[0013]为使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本专利技术。
[0014]如图1所示，一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，处理方法包括如下步骤：S1、运用单乙醇胺、四甲基氢氧化铵、环糊精和水等配置环糊精衍生水性剥离剂；S2、将剥离剂加入加压罐内，并保持恒温恒压；
S3、将喷嘴出口和氧化铟锡电极表面之间的喷射距离保持在50～100 mm之间，喷嘴内需配有涡流室；S4、喷涂时喷嘴流量≤500 mL/min，喷涂时间保持在30～40秒，且在恒温条件下进行，喷雾结构和冲击力需使得修正韦伯数(We*)＜200～300；S5、喷涂完成后将氧化铟锡电极板进行冲洗、干燥。
[0015]根据本专利技术提供的技术方案，步骤S1中包括：
①ꢀ
以剥离剂为100份重量份计，其中至少含有单乙醇胺15～22份、四甲基氢氧化铵2～4份、环糊精4～7份和水71～76.8份：
②ꢀ
剥离剂还含有金属钝化剂。
[0016]根据本专利技术提供的技术方案，步骤S2包括：
①ꢀ
加压罐的工作压力为1 bar;
②ꢀ
加压罐内温度保持在40℃。
[0017]根据本专利技术提供的技术方案，步骤S3中包括：
①ꢀ
喷嘴的孔口直径为0.8～1.0 mm；
②ꢀ
喷嘴内涡流室的喷射角度在30～35
°
之间。
[0018]根据本专利技术提供的技术方案，步骤S4中包括：
①ꢀ
喷涂保持在40℃的剥离温度下进行；
②ꢀ
修正韦伯数为冲击动能与表面能的比值，由下式确定： We*=ρv
2 d/(12σ)其中ρ=密度，v=速度，d=直径，σ=表面张力。
[0019]根据本专利技术提供的技术方案，步骤S5中包括：在异丙醇中冲洗30～40秒并在空气中干燥。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，其特征在于：所述处理方法包括如下步骤：S1、运用单乙醇胺、四甲基氢氧化铵、环糊精和水等配置环糊精衍生水性剥离剂；S2、将剥离剂加入加压罐内，并保持恒温恒压；S3、将喷嘴出口和氧化铟锡电极表面之间的喷射距离保持在50～100 mm之间，喷嘴内需配有涡流室；S4、喷涂时喷嘴流量≤500 mL/min，喷涂时间保持在30～40秒，且在恒温条件下进行，喷雾结构和冲击力需使得修正韦伯数(We*)＜200～300；S5、喷涂完成后将氧化铟锡电极板进行冲洗、干燥。2.根据权利要求1所述的一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，其特征在于：所述步骤S1中包括：
①ꢀ
以剥离剂为100份重量份计，其中至少含有单乙醇胺15～22份、四甲基氢氧化铵2～4份、环糊精4～7份和水71～76.8份：
②ꢀ
剥离剂还含有金属钝化剂。3.根据权利要求1所述的一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，其特征在于：所述步...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵振合，刘絮霏，
申请(专利权)人：筑磊半导体技术上海有限公司，
类型：发明
国别省市：