一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法技术

一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，所述处理方法包括如下步骤：S1、运用单乙醇胺、四甲基氢氧化铵、环糊精和水等配置环糊精衍生水性剥离剂；S2、将剥离剂加入加压罐内，并保持恒温恒压；S3、将喷嘴出口和氧化铟锡电极表面之间的喷射距离保持在50～100 mm之间，喷嘴内需配有涡流室；S4、喷涂时喷嘴流量≤500 mL/min，喷涂时间保持在30～40秒，且在恒温条件下进行，喷雾结构和冲击力需使得修正韦伯数(We*)＜200～300；S5、喷涂完成后将氧化铟锡电极板进行冲洗、干燥。该种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，运用可高效收集光刻胶残留物的环糊精衍生水性剥离剂，结合喷嘴喷射的喷雾结构、雾化和冲击条件，应用低的去除温度和快速的去除时间，不仅可去除在氧化铟锡电极上的光刻胶，保持电极电学和光学性能的稳定，同时可减少光刻胶去除工艺步骤中环境污染物的产生。骤中环境污染物的产生。骤中环境污染物的产生。

【技术实现步骤摘要】
一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法


[0001]本专利技术涉及光刻胶去除
，特别涉及用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法。

技术介绍

[0002]在生产半导体、集成电路或LCD（液晶显示器）器件的微电路时，光刻技术被广泛用于在基板上形成规则的图案。标准光刻包括以下工艺步骤：在基板上形成的金属或电极层上沉积光刻胶，通过选择性紫外线曝光和显影形成光刻胶图案，使用图案化光刻胶层掩模蚀刻金属或电极层，以及用剥离剂去除光刻胶残留物。
[0003]光刻胶通常用于ITO（氧化铟锡）层上的电极图案化，氧化铟锡层用于沉积在玻璃上的光学透明的和导电的电极。光刻胶是一种具有光敏结构的合成树脂，主要与基于DNQ（重氮萘醌）的酚醛清漆树脂（一种酚醛树脂）混合。随着光刻技术的越来越广泛的应用，光刻胶残留物的去除，即剥离剂消耗量的也在同步快速增长，由此带来了剥离剂相关的毒性和环境污染问题。有机剥离剂在性能和效率方面具有优势的特性，但含有大量对环境有害的有机物质。在这种情况下，越来越需要通过使用基于安全溶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，其特征在于：所述处理方法包括如下步骤：S1、运用单乙醇胺、四甲基氢氧化铵、环糊精和水等配置环糊精衍生水性剥离剂；S2、将剥离剂加入加压罐内，并保持恒温恒压；S3、将喷嘴出口和氧化铟锡电极表面之间的喷射距离保持在50～100 mm之间，喷嘴内需配有涡流室；S4、喷涂时喷嘴流量≤500 mL/min，喷涂时间保持在30～40秒，且在恒温条件下进行，喷雾结构和冲击力需使得修正韦伯数(We*)＜200～300；S5、喷涂完成后将氧化铟锡电极板进行冲洗、干燥。2.根据权利要求1所述的一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，其特征在于：所述步骤S1中包括：
①ꢀ
以剥离剂为100份重量份计，其中至少含有单乙醇胺15～22份、四甲基氢氧化铵2～4份、环糊精4～7份和水71～76.8份：
②ꢀ
剥离剂还含有金属钝化剂。3.根据权利要求1所述的一种用环糊精衍生水性剥离剂去除氧化铟锡表面有机光刻胶的高效喷涂方法，其特征在于：所述步...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵振合，刘絮霏，
申请(专利权)人：筑磊半导体技术上海有限公司，
类型：发明
国别省市：