一种用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法技术

一种用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法，所述处理方法包括如下步骤：S1、将SU

【技术实现步骤摘要】
一种用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法


[0001]本专利技术涉及光刻胶加工
，特别涉及用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法。

技术介绍

[0002]环氧树脂基光刻胶SU
‑
8已被广泛用于微加工3D微结构，适用于各种应用，例如组织工程、微机电系统和微流体。此外，SU
‑
8也是制造热解碳电极的最常见聚合物模板。由于对350nm以上的紫外波长的吸收率低，该抗蚀剂允许使用标准紫外光刻法制造具有高机械和化学稳定性的高纵横比微结构。但同时，低的紫外吸收使得通过SU
‑
8光刻的后续步骤制造悬垂或悬挂特征成为难题。过去已经提出了不同的制造工艺来制造悬浮的3D SU
‑
8微结构，诸如射线、电子束和双光子光刻等方法，但这些技术的生产能力较低，成为限制技术的因素。最常见的方法包括在要悬浮的结构和基板之间添加聚合停止层，或者在图案化模板顶部层压聚合物箔，然后对箔进行图案化。但随着结构变得多层（即更多3D），这些制造过程的复杂性增加。另一种方法包括用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法，其特征在于：所述处理方法包括如下步骤：S1、将SU
‑
8光刻胶分配在Si/SiO2基板上，并在旋涂机上进行涂覆；S2、通过在旋转晶片的边缘分配丙二醇甲醚乙酸酯，去除边缘珠；S3、将晶圆置于室温下的可编程加热板上进行低温烘烤；S4、第一次紫外线曝光；S5、将mr
‑
DWL 40光刻胶旋涂在SU
‑
8上，完成后进行软烘烤；S6、第二次紫外线曝光，曝光后烘烤、显影、冲洗并干燥。2.根据权利要求1所述的用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法，其特征在于：所述步骤S1中包括：
①ꢀ
将4～6ml的SU
‑
8光刻胶手动分配在4英寸Si/SiO2基板上；
②ꢀ
涂覆方式为：先在700rpm下以100rpm/s加速度进行30～40秒的铺展循环，然后在1600rpm下以100rpm/s加速度进行减薄循环55～65秒。3.根据权利要求1所述的用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法，其特征在于：所述步骤S2包括：旋转速度为300rpm，时间为30～40秒。4.根据权利要求1所述的用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法，其特征在于：所述步骤S3中包括：以2
°
C/min升温至50
°
C，然后在50
°
C下软烘烤5小时，自然冷却2小时。5.根据权利要求1所述的用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法，其特征在于：所述步骤S4中包括：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵振合，刘絮霏，
申请(专利权)人：筑磊半导体技术上海有限公司，
类型：发明
国别省市：