一种新型光刻胶去除工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种新型光刻胶去除工艺，包括以下步骤：S1：用固态二氧化碳颗粒轰击离子硅片，得到外部硬壳损伤的硅片，S2：将双氧水注入到硫酸溶液反应腔中，双氧水与硫酸发生放热反应形成高温的清洗液，S3：将S1得到的外部硬壳损伤的硅片置于具有清洗液的反应腔中，S4：将S2得到的清洗液与硅片上的光刻胶反应将光刻胶去除，S5：用等离子水冲反复喷向去除光刻胶后的硅片的表面，S6：在去除中，催化剂单独注入到反应腔中，用于反应活性。一种新型光刻胶去除工艺，通过固态二氧化碳颗粒轰击光刻胶，可以对光刻胶表面的硬壳造成足够高的损伤，这样清洗液可以进入到硬壳下方，将光刻胶去除，使得清洗更加方便。使得清洗更加方便。

【技术实现步骤摘要】
一种新型光刻胶去除工艺


[0001]本专利技术涉及光刻胶
，具体为一种新型光刻胶去除工艺。

技术介绍

[0002]光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体，在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料，半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像，光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类，在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，涂层材料为正性光刻胶，如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，涂层材料为负性光刻胶，按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X
‑
射线胶、电子束胶、离子束胶等，光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业，光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求，光刻胶在生产中表面会形成坚硬的、碳化交联聚合物硬壳，现有技术中，光刻胶表面形成的硬壳难以去除，导致光刻胶去除缓慢。

技术实现思路

[0003]（一）解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种新型光刻胶去除工艺，具备去除方便和快速等优点，解决了光刻胶表面形成的硬壳难以去除，导致光刻胶去除缓慢的问题。
[0004]（二）技术方案为实现上述可以对光刻胶表面的硬壳造成足够高的损伤，这样清洗液可以进入到硬壳下方，将光刻胶去除，使得清洗更加方便目的，本专利技术提供如下技术方案：一种新型光刻胶去除工艺，包括以下步骤：S1：用固态二氧化碳颗粒轰击离子硅片，得到外部硬壳损伤的硅片；S2：将双氧水注入到硫酸溶液反应腔中，双氧水与硫酸发生放热反应形成高温的清洗液；S3：将S1得到的外部硬壳损伤的硅片置于具有清洗液的反应腔中；S4：将S2得到的清洗液与硅片上的光刻胶反应将光刻胶去除；S5：用等离子水冲反复喷向去除光刻胶后的硅片的表面；S6：在去除中，催化剂单独注入到反应腔中，用于反应活性。优选的，所述固态二氧化碳的温度为
‑
30~
‑
85℃之间。
[0005]优选的，所述双氧水与硫酸的配比为（1~6.5）：（2~7.5）。
[0006]优选的，所述反应腔内部的温度位于50~160℃之间。
[0007]优选的，所述等离子注入束线的剂量在（0.5~6.0）*1014ions/cm2,40keV之间。
[0008]优选的，所述等离子水采用批次喷雾系统，每次时间间隔为1.5~7min。
[0009]优选的，所述清洗后的硅片放置在传送带上用等离子水冲洗，并通过传送带运输。
[0010]优选的，所述冲洗后的硅片集中收集，并静置晾干。
[0011]（三）有益效果与现有技术相比，本专利技术提供了一种新型光刻胶去除工艺，具备以下有益效果：1、一种新型光刻胶去除工艺，通过固态二氧化碳颗粒轰击光刻胶，可以对光刻胶表面的硬壳造成足够高的损伤，这样清洗液可以进入到硬壳下方，将光刻胶去除，使得清洗更加方便。
[0012]2、一种新型光刻胶去除工艺，通过催化剂单独注入到反应腔中，用于提高硅片的温度和增强清洗液的反应活性，使得清洗时间可以变短。
[0013]3、一种新型光刻胶去除工艺，通过批次喷雾系统可以将去除光刻胶的时间缩短，大大缩短去除时间。
具体实施方式
[0014]下面将结合本专利技术的实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0015]实施例一：一种新型光刻胶去除工艺，包括以下步骤：S1：用温度为
‑
30固态二氧化碳颗粒轰击离子硅片，得到外部硬壳损伤的硅片；S2：将双氧水注入到硫酸溶液反应腔中，双氧水与硫酸的配比为1：2，双氧水与硫酸发生放热反应形成高温的清洗液；S3：将S1得到的外部硬壳损伤的硅片置于具有清洗液的反应腔中，反应腔内部的温度为50℃；S4：将S2得到的清洗液与硅片上的光刻胶反应将光刻胶去除；S5：清洗后的硅片放置在传送带上用等离子水冲洗，并通过传送带运输，用等离子水冲反复喷向去除光刻胶后的硅片的表面，等离子水采用批次喷雾系统，每次时间间隔为1.5min，等离子注入束线的剂量在0.5*1014ions/cm2,40keV；S6：在去除中，催化剂单独注入到反应腔中，用于反应活性，冲洗后的硅片集中收集，并静置晾干。
[0016]实施例二：一种新型光刻胶去除工艺，包括以下步骤：S1：用温度为
‑
35固态二氧化碳颗粒轰击离子硅片，得到外部硬壳损伤的硅片；S2：将双氧水注入到硫酸溶液反应腔中，双氧水与硫酸的配比为1.5：2.5，双氧水与硫酸发生放热反应形成高温的清洗液；S3：将S1得到的外部硬壳损伤的硅片置于具有清洗液的反应腔中，反应腔内部的温度为60℃；S4：将S2得到的清洗液与硅片上的光刻胶反应将光刻胶去除；S5：用等离子水冲反复喷向去除光刻胶后的硅片的表面，等离子水采用批次喷雾系统，每次时间间隔为2min，等离子注入束线的剂量在1.0*1014ions/cm2,40keV；
S6：在去除中，催化剂单独注入到反应腔中，用于反应活性，冲洗后的硅片集中收集，并静置晾干。
[0017]实施例三：一种新型光刻胶去除工艺，包括以下步骤：S1：用温度为
‑
40固态二氧化碳颗粒轰击离子硅片，得到外部硬壳损伤的硅片；S2：将双氧水注入到硫酸溶液反应腔中，双氧水与硫酸的配比为2：3，双氧水与硫酸发生放热反应形成高温的清洗液；S3：将S1得到的外部硬壳损伤的硅片置于具有清洗液的反应腔中，反应腔内部的温度为70℃；S4：将S2得到的清洗液与硅片上的光刻胶反应将光刻胶去除；S5：清洗后的硅片放置在传送带上用等离子水冲洗，并通过传送带运输，用等离子水冲反复喷向去除光刻胶后的硅片的表面，等离子水采用批次喷雾系统，每次时间间隔为2.5min，等离子注入束线的剂量在1.5*1014ions/cm2,40keV；S6：在去除中，催化剂单独注入到反应腔中，用于反应活性，冲洗后的硅片集中收集，并静置晾干。
[0018]实验例四：一种新型光刻胶去除工艺，包括以下步骤：S1：用温度为
‑
45固态二氧化碳颗粒轰击离子硅片，得到外部硬壳损伤的硅片；S2：将双氧水注入到硫酸溶液反应腔中，双氧水与硫酸的配比为2.5：3.5，双氧水与硫酸发生放热反应形成高温的清洗液；S3：将S1得到的外部硬壳损伤的硅片置于具有清洗液的反应腔中，反应腔内部的温度为80℃；S4：将S2得到的清洗液与硅片上的光刻胶反应将光刻胶去除；S5：清洗后的硅片放置在传送带上用等离子水冲洗，并通过传送带运输，用等离子水冲反复喷向去除本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型光刻胶去除工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：用固态二氧化碳颗粒轰击离子硅片，得到外部硬壳损伤的硅片；S2：将双氧水注入到硫酸溶液反应腔中，双氧水与硫酸发生放热反应形成高温的清洗液；S3：将S1得到的外部硬壳损伤的硅片置于具有清洗液的反应腔中；S4：将S2得到的清洗液与硅片上的光刻胶反应将光刻胶去除；S5：用等离子水冲反复喷向去除光刻胶后的硅片的表面；S6：在去除中，催化剂单独注入到反应腔中，用于反应活性。2.根据权利要求1所述的一种新型光刻胶去除工艺，其特征在于，所述固态二氧化碳的温度为
‑
30~
‑
85℃之间。3.根据权利要求1所述的一种新型光刻胶去除工艺，其特征在于，所述双氧水...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭光辉，
申请(专利权)人：济南晶硕电子有限公司，
类型：发明
国别省市：