【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种整流电路的拓扑结构,特别涉及一种可以实现整流的多电平变换器的拓 扑结构。
技术介绍
两电平变换器电路在铁路,工业等各个领域有着十分广泛的应用,然后在高压领域的应 用中,两电平变换器由于受到器件耐压的限制,必须通过变压器与高压电网相连,笨重的工 频变压器大大增加了电力电子变换装置的成本和体积。目前,在现有的多电平变换器的拓扑结构中,随着电平数量的增多,所需的半导体器件的数量急剧增加;随着电平数增加,各个电容电压不容易平衡是现有多电平结构中常见的问 题,使得多电平在实际使用中有一定的限制。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是解决传统两电平及传统多电平变换器在高压领域应用的 局限性,可以实现无需工频变压器,提供了一种可直接应用于高压整流,提高交流电压电流 波形质量的新的多电平拓扑结构。为了达到上述目的,本专利技术的技术方案如下通过电容Cn、 CT2……Cw、 CTk, CB1、 CB2……CBk.,、 Cek共2k个电容构成T型变换 器的纵轴;通过Sp S2……Sw、 Sk共k个双向可控开关构成T型变换器的横轴;其中S,、 Si+1(i=l,2 ...
【技术保护点】
多电平整流的T型变换器拓扑结构,其特征在于:通过电容C↓[T1]、C↓[T2]……C↓[T(k-1)]、C↓[Tk]及C↓[B1]、C↓[B2]……C↓[B(k-1)]、C↓[Bk](k为一个正整数常数,下同)共2k个电容串联构成T型变换器的纵轴;双向开关S↓[1]、S↓[2]……S↓[k-1]、S↓[k]构成T型变换器的横轴;双向开关S↓[i]、S↓[i+1](i=1,2……k-1,以下i的定义相同)之间的节点D↓[i]和C↓[Ti]、C↓[T(i+1)]的节点D↓[Ti]之间有一条支路,是由单向开关S↓[Ti1],S↓[Ti2]……S↓[Ti(2i)]构成从横轴流向纵轴 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:郑琼林,贺明智,游小杰,林飞,孙湖,黄先进,张立伟,
申请(专利权)人:北京交通大学,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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