升压电路制造技术

本发明专利技术提供升压电路。涉及需要高于电源电压的正或者负的高电压的非易失性存储器的升压电路，本申请发明专利技术即使在３Ｖ以下的低电源电压下也能够发生１２Ｖ左右的高电压，用同一个电路不仅能够发生正的高电压，还能够发生负的高电压，另外，通过把作为本申请发明专利技术的升压电路的衬底控制型并联电气供给泵与串联型电气供给泵组合起来，能够有效地发生两种高电压，能够减小芯片面积。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发生比动作电压高的电压或负电压的半导体电气供给泵电路以及使用了该电路的半导体集成电路。
技术介绍
在Flash、EEPROM的非易失性存储器的清除、写入时，为了使用隧道效应或热电子、热空穴技术，需要12V左右的高电压。发生高电压的以往的电气供给泵(charge pump)方式的升压电路在文献IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS，VOL.32，NO.8，AUGUST 1997“A Dynamic Analysis of the Dicson Charge Pump”中介绍、解析的那样，一般已知把使电荷移动的MOS晶体管(以后，称为「传输MOS」)连接到二极管的Dicson型电气供给泵，由于电路构成非常简单，因此广泛地被使用。在图1、图2中示出Dicson型电气供给泵的结构图。图1是也在上述IEEE文献中记载的概念框图，图2是把图1的缓冲器置换成n型MOS的例子。在图2中，使n型MOS的漏极与栅极短路，连接在漏极与源极上的电容器的另一侧施加CLK。CLK与CLKn如图3所示，为互补的关系。在CLKn为“High”、CLK为“Low”时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种升压电路，该升压电路连接了Ｎ级基本泵单元进行升压，其特征在于：上述基本泵单元至少具有第１ＭＩＳＦＥＴ、第２ＭＩＳＦＥＴ、第３ＭＩＳＦＥＴ和第１电容器，上述第１ＭＩＳＦＥＴ的反向栅极连接于第１节点，其源漏路径连接在第２节点 与第３节点之间，上述第２ＭＩＳＦＥＴ的反向栅极连接于上述第１节点，其源漏路径连接在上述第１节点与第２节点之间，上述第３ＭＩＳＦＥＴ的反向栅极连接于上述第１节点，其源漏路径连接在上述第１节点与上述第３节点之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山添孝德，金井健男，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]