【技术实现步骤摘要】
超结器件及制作方法
[0001]本专利技术属于半导体器件设计及制造领域，特别是涉及一种超结器件及制作方法。
技术介绍
[0002]在功率半导体领域内，以垂直双扩散工艺形成的纵向金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)称为VDMOSFET，简称VDMOS。对于传统的VDMOS，一般通过增大外延层厚度和降低外延层掺杂浓度的方式提高击穿电压，但是，这种方式会使外延层电阻显著的提高。超结金属氧化物半导体场效应晶体管(Super Juction Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor，SJ
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MOSFET)是VDMOS器件的一种改进结构，其通过在外延层内加入交替的P
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N结构，形成P型立柱和N型立柱，使器件处于阻断状态时，外延层内的纵向电场几乎为恒值，这使器件的导通电阻对击穿电压的依赖关系大大降低，从而降低器件的通态损耗。因此，该结构在高击...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超结器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：1)提供第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一主面及第二主面，基于光掩模，通过光刻
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刻蚀工艺在所述第一衬底的第一主面刻蚀出沟槽，所述沟槽呈倒梯形；2)提供第二衬底，将所述第一衬底的第一主面与所述第二衬底键合；3)自所述第一衬底的第二主面减薄所述第一衬底，使所述第一衬底的第二主面与所述沟槽之间保留一支撑层；4)氧化所述支撑层形成氧化层，并通过腐蚀去除所述氧化层，以显露所述沟槽；5)基于与步骤1)的所述光掩模图形相同的硬掩膜版，通过所述硬掩膜版与所述沟槽对准后，直接对所述沟槽的底部进行刻蚀，以增大所述沟槽的底部宽度，使所述沟槽的形貌概呈矩形。2.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：步骤1)所述的沟槽的底部宽度为顶部宽度的四分之一至四分之三之间。3.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：所述沟槽的深度介于1～50微米之间。4.根据权利要求3所述的超结器件的制作方法，其特征在于：所述沟槽的深度介于30～45微米之间。5.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：步骤1)及步骤5)的刻蚀方法包括反应离子刻蚀RIE与深硅刻蚀ICP中的一种。6.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：步骤3)中，采用化学机械抛光工艺对所述第一衬底进行减薄，减薄后的所述支撑层的厚度介于0.5微米～2微米之间。7.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于，还包括步骤：6)所述第一衬底为第一导电类型掺杂，于所述沟槽中填充第二导电类型掺杂的半导体材料层，以与所述第一衬底共同...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐大朋，薛忠营，罗杰馨，柴展，
申请(专利权)人：上海功成半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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