一种超结构功率半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及功率半导体技术领域，具体公开了一种超结构功率半导体器件，其中，包括：第一导电类型衬底、第一导电类型外延层以及第一导电类型柱和第二导电类型柱，第一导电类型柱和第二导电类型柱交替设置；第一导电类型源区和第二导电类型体区；第一类沟槽，内填充第一类导电多晶硅；第二类沟槽，内填充第二类导电多晶硅，第二类沟槽的一部分位于第一导电类型柱内，另一部分位于第二导电类型柱内；绝缘介质层；源极金属，设置在绝缘介质层的上方，源极金属通过绝缘介质层内的第一类通孔与第二导电类型体区、第一导电类型源区以及第二导电类型柱之间欧姆接触。本实用新型专利技术提供的超结功率半导体器件能够减少反向恢复能量损耗。率半导体器件能够减少反向恢复能量损耗。率半导体器件能够减少反向恢复能量损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种超结构功率半导体器件


[0001]本技术涉及功率半导体
，尤其涉及一种超结构功率半导体器件。

技术介绍

[0002]超结金属氧化物半导体场效应晶体管（简称SJ MOSFET）固有一个与其并联的寄生二极管，寄生二极管的阳极与SJ MOSFET的源极相连，阴极与SJ MOSFET的漏极相连，因此SJ MOSFET也用来续流。这种寄生二极管与普通二极管一样，由少子参与导电，因此有反向恢复时间，从而降低开关速度、增加开关损耗。
[0003]由于肖特基二极管具有较低的正向二极管电压降等优势，常常用以改善器件开关动作的二极管恢复时间，可抑制器件运行时非开关部分的功率损耗，但是肖特基二极管的制造工艺与目前主流SJ MOSFET制造工艺相差很大，导致肖特基二极管与SJ MOSFET很难集成到一个芯片内。
[0004]因此，如何能够提供一种减少反向恢复能量损耗的功率器件成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本技术提供了一种超结构功率半导体器件，解决相关技术中存在的反向恢复能量损耗大的问题。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超结构功率半导体器件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底、设置在所述第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层以及设置在所述第一导电类型外延层内的第一导电类型柱和第二导电类型柱，所述第一导电类型柱和第二导电类型柱均由所述第一导电类型外延层背离所述第一导电类型衬底的表面朝向所述第一导电类型外延层内部延伸，所述第一导电类型柱和所述第二导电类型柱交替设置；第一导电类型源区和第二导电类型体区，沿所述第一导电类型柱的上表面朝向所述第一导电类型柱内延伸依次；第一类沟槽，依次穿过所述第一导电类型源区和所述第二导电类型体区延伸至所述第一导电类型柱内，所述第一类沟槽内填充第一类导电多晶硅，所述第一类导电多晶硅通过第一栅氧层与第二导电类型体区、第一导电类型源区和第一导电类型柱均绝缘，所述第一类导电多晶硅连接栅极电位；第二类沟槽，依次穿过所述第一导电类型源区和所述第二导电类型体区延伸至所述第一导电类型柱和所述第二导电类型柱内，且与所述第一类沟槽间隔设置，所述第二类沟槽的一部分位于所述第一导电类型柱内，另一部分位于所述第二导电类型柱内，所述第二类沟槽内填充第二类导电多晶硅，所述第二类导电多晶硅通过第二栅氧层与第二导电类型体区、第一导电类型源区、第一导电类型柱和第二导电类型柱绝缘，所述第一栅氧层的厚度大于所述第二栅氧层的厚度；绝缘介质层，设置在所述第一导电类型源区、所述第一类沟槽、所述第一导电类型柱、所述第二导电类型柱和所述第二类沟槽的上方；源极金属，设置在所述绝缘介质层的上方，所述源极金属通过所述绝缘介质层内的第一类通孔与所述第二导电类型体区、第一导电类型源区以及第二导电类型柱欧姆接触；第二类通孔，设置在所述绝缘介质层内，所述源极金属通过所述第二类通孔与所述第二类导电多晶硅欧姆接触；第四类通孔，设置在所述绝缘介质层内，所述源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，叶鹏，周锦程，杨卓，
申请(专利权)人：无锡新洁能股份有限公司，
类型：新型
国别省市：