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本实用新型涉及功率半导体技术领域，具体公开了一种超结构功率半导体器件，其中，包括：第一导电类型衬底、第一导电类型外延层以及第一导电类型柱和第二导电类型柱，第一导电类型柱和第二导电类型柱交替设置；第一导电类型源区和第二导电类型体区；第一类沟槽...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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