半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供能够容易地提高栅极耐压的半导体装置及其制造方法。本发明专利技术涉及的半导体装置具有：第1导电型的硅基板，其具有单元部和在俯视观察时将该单元部包围的末端部；第1导电型的发射极层，其设置于单元部的硅基板的表面；第2导电型的集电极层，其设置于单元部的硅基板的背面；第1导电型的漂移层，其设置于发射极层和集电极层之间；沟槽栅极，其是以从发射极层的表面到达漂移层的方式设置的；以及第2导电型的阱层，其设置于末端部的硅基板的表面，在单元部处晶体缺陷所包含的空位比在末端部处晶体缺陷所包含的空位少。在末端部处晶体缺陷所包含的空位少。在末端部处晶体缺陷所包含的空位少。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]用于IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)及二极管等功率半导体的晶片在尺寸为6英寸或8英寸的情况下主要是通过FZ(Floating Zone)法制造的。另一方面，为了削减直接材料费及晶片工艺费，晶片的大口径化不断发展。例如，12英寸的晶片主要是通过MCZ(Magnetic field applied Czochralski)法制造的。通过MCZ法制造的晶片与通过FZ法制造的晶片相比，晶片所包含的氧浓度高。氧浓度与COP(Crystal Originated Particle)等晶体缺陷有关，存在栅极耐压由于由氧引起的晶体缺陷而降低这样的问题。因此，为了使栅极耐压提高，优选降低晶片所包含的氧浓度。
[0003]作为降低由MCZ法制造的晶片所包含的氧浓度的方法，以往，公开了将载体晶片粘接于器件晶片，在有益的任意热处理中通过使氧从器件晶片向载体晶片扩散，从而将器件晶片内的氧浓度维持得低的技术(例如，参照专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具有：第1导电型的硅基板，其具有单元部和在俯视观察时将该单元部包围的末端部；第1导电型的发射极层，其设置于所述单元部的所述硅基板的表面；第2导电型的集电极层，其设置于所述单元部的所述硅基板的背面；第1导电型的漂移层，其设置于所述发射极层与所述集电极层之间；沟槽栅极，其是以从所述发射极层的表面到达所述漂移层的方式设置的；以及第2导电型的阱层，其设置于所述末端部的所述硅基板的表面，在所述单元部处晶体缺陷所包含的空位比在所述末端部处晶体缺陷所包含的空位少。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述单元部的填隙式硅比所述末端部的填隙式硅多。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述沟槽栅极的从表面起的深度为D1，在所述单元部处从表面起的深度小于D1处的氧浓度小于或等于1.8E17/cm3。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述D1为3～8μm。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，所述集电极层的氧浓度小于或等于4.0E17/cm3。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，所述漂移层的氧浓度与所述集电极层的氧浓度相同。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还具有栅极氧化膜，该栅极氧化膜设置于所述沟槽栅极的内壁，所述集电极层与所述发射极层之间的耐压大...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木健司，原口友树，南竹春彦，星泰晖，吉田拓弥，纐缬英典，宫田祐辅，清井明，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：