氮化物基半导体装置以及其制造方法制造方法及图纸

氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、晶格层、第三氮化物基半导体层、第一源极电极和第二电极，以及栅极电极。第一氮化物基半导体层掺杂到第一导电类型。第二氮化物基半导体层安置在第一氮化物基半导体层上方。晶格层安置在第一和第二氮化物基半导体层之间。晶格层包括交替地堆叠的多个第一III

【技术实现步骤摘要】
氮化物基半导体装置以及其制造方法
本申请是2021年11月09日提交的题为“氮化物基半导体装置以及其制造方法”的中国专利申请202180004419.2的分案申请。


[0001]本公开总体上涉及一种氮化物基半导体装置。更具体来说，本公开涉及一种具有电流阻挡层的氮化物基半导体装置。

技术介绍

[0002]近年来，关于高电子迁移率晶体管(HHMT)的深入研究已经非常普遍，尤其是对于高功率切换和高频率应用。III族氮化物基HHMT利用具有不同带隙的两种材料之间的异质结界面来形成量子阱类结构，所述量子阱类结构适应二维电子气(2DEG)区，从而满足高功率/频率装置的需求。除了HEMT之外，具有异质结构的装置的实例进一步包含异质结双极晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)和调制掺杂FET(MODFET)。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个方面，提供一种氮化物基半导体装置。氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、单个III
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V族半导体层、第三氮化物基半导体层、第一源极电极和第二电极，以及栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化物基半导体装置，其特征在于，包括：第一氮化物基半导体层，其掺杂到第一导电类型；第二氮化物基半导体层，其安置在所述第一氮化物基半导体层上方；晶格层，其安置在所述第一和第二氮化物基半导体层之间且掺杂到所述第一导电类型，其中所述晶格层包括交替地堆叠的多个第一III
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V层和多个第二III
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V层，所述第一III
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V层中的每一个具有高电阻率区以及由所述高电阻率区包围的电流孔，所述高电阻率区包括比所述电流孔更多的金属氧化物，以便实现比所述电流孔的电阻率高的电阻率，其中在所述高电阻率区与在所述第一III
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V层中的所述电流孔之间形成的界面彼此对准；第三氮化物基半导体层，其安置在所述第二氮化物基半导体层上方；第一源极电极和第二电极，其安置在所述第三氮化物基半导体层上方；以及栅极电极，其安置在所述第三氮化物基半导体层上方以及所述第一和第二源极电极之间，其中所述栅极电极与所述电流孔对准。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶格层在所述电流孔中具有第III族元素。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电流孔在所述第一氮化物基半导体层上的竖直突起具有彼此重合的边界。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述两个相邻电流孔通过所述第二III
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V层彼此间隔开。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一III
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V层中的平均氧浓度大于所述第二III
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V层中的平均氧浓度。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一III
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V层中的每一个具有横向地变化的所述电阻率。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一III
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V层中的每一个的所述电阻率在所述界面处改变。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述高电阻率区中的每一个具有横向地变化的所述电阻率。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：第四氮化物基半导体层，其掺杂到第二导电类型且安置在所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：周以伦，高双，李传纲，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：