形成针对RF应用的复合结构的处理衬底的方法及处理衬底技术

本发明专利技术涉及一种用于复合结构的处理衬底(100)，所述处理衬底(100)包括：基础衬底(12)，所述基础衬底(12)由通过Czochralski拉制获得的单晶硅晶片(1)上的硅外延层(2)构成，所述单晶硅晶片(1)具有10到500ohm.cm之间的电阻率，所述硅外延层(2)具有高于2000ohm.cm的电阻率以及2到100微米之间的厚度；钝化层(3)，所述钝化层(3)在所述硅外延层(2)上并且与所述硅外延层(2)接触，所述钝化层(3)是非晶的或多晶的；

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成针对RF应用的复合结构的处理衬底的方法及处理衬底


[0001]本专利技术涉及用于与高性能RF应用兼容的复合衬底的处理衬底。本专利技术还涉及形成这种处理衬底的方法。

技术介绍

[0002]高电阻率(HR)硅衬底是制造RF器件的最常用的处理衬底。HR硅衬底通常表现出大于1000ohm.cm的电阻率，更一般地，表现出大于5000ohm.cm的电阻率。
[0003]诸如SOI(绝缘体上硅)之类的具有HR硅处理衬底的复合结构(包括或不包括处理衬底与掩埋氧化物之间的电荷俘获层)在射频(RF)领域是众所周知的。特别地，具有电荷俘获层的复合结构保证了在所述结构上生产的RF器件的高性能品质，条件是当该结构暴露于高温时(例如，在其制造期间或在RF器件的制造期间)，电荷俘获层不会受到损坏。例如，当由多晶硅制成的电荷俘获层再结晶时，即使是部分再结晶，复合结构和形成于其上的集成器件的RF性能品质都会受到影响，这显然是不可取的。
[0004]另一个问题来自于HR衬底的供应，随着RF器件的制造的增加，HR衬底的供应越来越受到限制。结果，这种材料变得越来越本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于复合结构的处理衬底(100)，所述处理衬底(100)包括：
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基础衬底(12)，所述基础衬底(12)由通过Czochralski拉制获得的单晶硅晶片(1)上的硅外延层(2)形成，所述单晶硅晶片(1)具有10到500ohm.cm之间的电阻率，所述硅外延层(2)表现出大于2000ohm.cm的电阻率以及从2到100微米范围内的厚度，
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钝化层(3)，所述钝化层(3)在所述硅外延层(2)上并且与所述硅外延层(2)接触，所述钝化层(3)是非晶的或多晶的，
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电荷俘获层(4)，所述电荷俘获层(4)在所述钝化层(3)上并且与所述钝化层(3)接触，所述处理衬底(100)的特征在于：
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所述钝化层(3)是通过所述硅外延层(2)的表面的碳化而形成的碳化硅层，或者
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所述钝化层(3)是通过所述硅外延层(2)的表面的氮化而形成的氮化硅层。2.一种用于射频应用的复合结构(110)，所述复合结构(110)包括：
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根据权利要求1所述的处理衬底(100)，
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介电层(5)，所述介电层(5)在电荷俘获层(4)上并且与所述电荷俘获层(4)接触，
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薄膜(6)，所述薄膜(6)在所述介电层(5)上，所述薄膜(6)适用于射频器件。3.一种形成用于复合结构的处理衬底(100)的方法，所述方法包括以下步骤：a)提供通过Czochralski拉制获得的具有10到500ohm.cm之间的电阻率的单晶硅晶片(1)；b)在通过Czochral...

【专利技术属性】
技术研发人员：金勇必，D，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：