碳化硅半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

具备电场缓和层(3)，该电场缓和层(3)包括第2导电型的第1区域(3a)和第2导电型的第2区域(3b)，上述第1区域(3a)形成在比沟槽(7)深的位置，上述第2区域(3b)以与沟槽的长度方向相同的方向作为长度方向并在多个沟槽之间分别与沟槽的侧面分离地配置，并且将第1区域和基底区域相连。此外，设为如下结构：通过离子注入构成第1区域和第2区域，并且构成由第1区域和第2区域重叠而得到的二重注入区域(3c)，在二重注入区域中具有第2杂质浓度的峰值。重注入区域中具有第2杂质浓度的峰值。重注入区域中具有第2杂质浓度的峰值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】碳化硅半导体装置及其制造方法
[0001]关联申请的相互参照
[0002]本申请基于2019年10月30日申请的日本专利申请2019－197841号，这里通过参照而引入其记载内容。


[0003]本专利技术涉及具有沟槽栅构造的由碳化硅(以下称为SiC)构成的SiC半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0004]以往，作为提高了沟道密度以流过大电流的构造，有具有沟槽栅构造的SiC半导体装置。在这样的沟槽栅构造的SiC半导体装置中，SiC的击穿电场强度高，有可能电场应力作用于沟槽底部而产生绝缘击穿。因此，如专利文献1所示，进行了如下处理：在沟槽栅的两侧形成p型的电场缓和层，抑制高电场作用于沟槽底部从而防止绝缘击穿。关于电场缓和层，设为位于下方的高浓度区域和位于上方的低浓度区域的二层构造，并将它们通过离子注入等形成。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本专利第6428489号公报

技术实现思路

[0008]本专利技术者们研究了在具备专利文献1那样的二层构造的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具有：由碳化硅构成的第1导电型或第2导电型的基板(1)；漂移层(2)，形成在上述基板之上，由与上述基板相比为低杂质浓度的第1导电型的碳化硅构成；基底区域(4)，形成在上述漂移层之上，由第2导电型的碳化硅构成；源极区域(5)，形成在上述基底区域的上层部，由与上述漂移层相比为高浓度的第1导电型的碳化硅构成；接触区域(6)，在上述基底区域的上层部中形成在与上述源极区域不同的位置，由与上述基底区域相比为高浓度的第2导电型的碳化硅构成；沟槽栅构造，通过在从上述源极区域的表面起形成到比上述基底区域深的位置的以一个方向为长度方向而排列了多个的沟槽(7)内隔着栅极绝缘膜(8)形成有栅极电极(9)，从而构成该沟槽栅构造；源极电极(10)，与上述源极区域及上述接触区域电连接；漏极电极(12)，形成在上述基板的背面侧；以及电场缓和层(3)，配置在上述漂移层内，包括第2导电型的第1区域(3a)和第2导电型的第2区域(3b)，上述第1区域(3a)形成在比上述沟槽深的位置，上述第2区域(3b)以与上述沟槽的长度方向相同的方向作为长度方向并在多个上述沟槽之间分别与该沟槽的侧面分离地配置，并且上述第2区域(3b)将上述第1区域和上述基底区域相连，上述第1区域和上述第2区域都由离子注入层构成，上述第1区域和上述第2区域重叠而构成二重注入区域(3c)，在该二重注入区域中具有第2杂质浓度的峰值。2.如权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，与上述第1区域相比，至少上述第2区域中的成为上述第1区域侧的下方位置的部分的第2导电型杂质浓度更高。3.如权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，与上述第1区域相比，上述第2区域的整个区域的第2导电型杂质浓度更高。4.如权利要求2或3所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，上述第1区域的第2导电型杂质浓度为1
×
10
16
～1
×
10
19
cm
－3
，上述第2区域中的第2导电型杂质浓度比上述第1区域高的部分的第2导电型杂质浓度为1
×
10
17
～1
×
10
20
cm
－3
。5.如权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，上述第1区域中的成为上述第2区域侧的上层部(3d)，与比该上层部靠下方的下层部(3e)相比，第2导电型杂质浓度更高。6.如权利要求5所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，与上述下层部相比，至少上述第2区域中的成为上述第1区域侧的下方位置的部分的第2导电型杂质浓度更高。7.如权利要求5所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，与上述下层部相比，上述第2区域的整个区域的第2导电型杂质浓度更高。8.如权利要求5～7中任一项所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，
上述下层部的第2导电型杂质浓...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫原真一朗，辻村理俊，山下侑佑，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：