一种肖特基二极管制造技术

本实用新型专利技术公开一种肖特基二极管，所述肖特基二极管包括自下向上依次层叠设置的N型外延层以及势垒金属层，所述N型外延层的上侧形成有沿前后向延伸的沟槽，所述沟槽内填充有沟道结构，所述沟道结构包括栅氧化层、位于所述栅氧化层两侧的两个多晶硅层和位于所述两个多晶硅层两侧的两个P型轻掺杂层，所述N型外延层的上侧设有与所述P型轻掺杂层连接的P型重掺杂层，且所述P型重掺杂层与所述势垒金属层接触。本实用新型专利技术提供的肖特基二极管，正是利用P型重掺杂层与势垒金属层形成欧姆接触，P型轻掺杂层做电导调制层，在不影响肖特基二极管开关特性的前提下，大大提高器件的抗浪涌能力。力。力。

【技术实现步骤摘要】
一种肖特基二极管


[0001]本技术涉及二极管
，特别涉及一种肖特基二极管。

技术介绍

[0002]肖特基二极管在快充电源领域应用非常广泛，但其抗浪涌能力较差，为了提高肖特基二极管的抗浪涌能力，现有的做法将PN结与肖特基结集成在一起，但这种做法会降低器件开关频率，因此，制作出一种既不降低器件开关频率又能提高抗浪涌能力的肖特基二极管极为重要。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的是提出一种肖特基二极管，旨在提供一种既不降低器件开关频率又能提高抗浪涌能力的肖特基二极管。
[0004]为实现上述目的，本技术提出一种肖特基二极管，包括自下向上依次层叠设置的N型外延层以及势垒金属层，所述N型外延层的上侧形成有沿前后向延伸的沟槽，所述沟槽内填充有沟道结构，所述沟道结构包括栅氧化层、位于所述栅氧化层两侧的两个多晶硅层和位于所述两个多晶硅层两侧的两个P型轻掺杂层，所述N型外延层的上侧设有与所述P型轻掺杂层连接的P型重掺杂层，且所述P型重掺杂层与所述势垒金属层接触。
[0005]可选地，所述P型重掺杂层对应所述沟道结构设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括自下向上依次层叠设置的N型外延层以及势垒金属层，所述N型外延层的上侧形成有沿前后向延伸的沟槽，所述沟槽内填充有沟道结构，所述沟道结构包括栅氧化层、位于所述栅氧化层两侧的两个多晶硅层和位于所述两个多晶硅层两侧的两个P型轻掺杂层，所述N型外延层的上侧设有与所述P型轻掺杂层连接的P型重掺杂层，且所述P型重掺杂层与所述势垒金属层接触。2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述P型重掺杂层对应所述沟道结构设置，且所述P型重掺杂层的两端分别与所述沟道结构的两个所述P型轻掺杂层连接。3.如权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述沟道结构设有多个，多个所述沟道结构沿其宽度方向间隔设置；在任意的相邻两个所述沟道结构中，相邻的两个所述P型轻掺杂层之间对应设有所述P型重掺杂层，且所述P型重掺杂层的两端分别与两个所述P型轻掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：单亚东，谢刚，胡丹，
申请(专利权)人：广微集成技术深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：