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本实用新型公开一种肖特基二极管，所述肖特基二极管包括自下向上依次层叠设置的N型外延层以及势垒金属层，所述N型外延层的上侧形成有沿前后向延伸的沟槽，所述沟槽内填充有沟道结构，所述沟道结构包括栅氧化层、位于所述栅氧化层两侧的两个多晶硅层和位于所...
该专利属于广微集成技术（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广微集成技术（深圳）有限公司授权不得商用。

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