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本发明提供一种超结器件及制作方法，方法包括：1)提供第一衬底，所述第一衬底包括第一主面及第二主面，基于光掩模，通过光刻
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该专利属于上海功成半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海功成半导体科技有限公司授权不得商用。

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