一种带有TSV通孔束的封装结构和3DIC芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种带有TSV通孔束的封装结构，包括：第一电接触部；第二电接触部；功能层，其布置在第一电接触部与第二电接触部之间；以及TSV通孔束，其具有多个具有第一尺寸的第一TSV通孔，所述多个第一TSV通孔贯穿所述功能层以用于将第一电接触部与第二电接触部彼此电连接，其中所述多个第一TSV通孔被布置为使得它们共同形成具有第二尺寸的TSV通孔，其中第一尺寸小于第二尺寸。该封装结构采用TSV通孔束可以加增大电流传输时的横截面积，有效降低TSV通孔的电阻，进而优化整个供电网络，还可以降低应力，进而降低产品失效的风险，还可以扩宽了信号的传输通道，可以有效的保证信号传输质量，提高产品可靠性。提高产品可靠性。提高产品可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种带有TSV通孔束的封装结构和3DIC芯片封装结构


[0001]本技术总体上涉及半导体封装
，具体而言涉及一种带有TSV通孔束的封装结构和3DIC芯片封装结构。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，集成电路的特征尺寸不断减小，摩尔定律受到了多方面的挑战。为了延续摩尔定律，人们开始把目光转向基于硅通孔(TSV)互联的2.5D/3DIC技术。2.5D/3DIC通过金属填充硅通孔来实现更短的互连线以使得互连线的延迟和功耗更小，同时通过垂直堆叠不同层的电路来实现更高的集成密度，进而使得电学性能更优。
[0003]然而，在载流能力、热应力以及电性能分析方面还有许多问题阻碍了2.5D/3DIC技术的发展。在传统的2.5D/3DIC工艺方案中，顶部功能裸片(Top Die)通过凸点与底部裸片(Bottom Die)或转接板(Interposer)上表面的微凸点(μbump)焊接形成互联，信号经由μbump
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RDL
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single TSV
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C4 Bump的结构完成传输。这种互连结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有TSV通孔束的封装结构，其特征在于，包括：第一电接触部；第二电接触部；功能层，其布置在第一电接触部与第二电接触部之间；以及TSV通孔束，其具有多个具有第一尺寸的第一TSV通孔，所述多个第一TSV通孔贯穿所述功能层以用于将第一电接触部与第二电接触部彼此电连接，其中所述多个第一TSV通孔被布置为使得它们共同形成具有第二尺寸的TSV通孔，其中第一尺寸小于第二尺寸。2.如权利要求1所述的带有TSV通孔束的封装结构，其特征在于，所述第一电接触部是金属布线层和焊盘中的一种或两种；以及所述第二电接触部是金属布线层、焊盘中的一种或两种。3.一种带有TSV通孔束的3DIC芯片封装结构，其特征在于，包括：转接板，包括：第一芯片；第一TSV通孔束，其贯穿所述第一芯片，所述第一TSV通孔束包括多个具有第一尺寸的TSV通孔，其中所述多个TSV通孔被布置为使得它们共同形成具有第二尺寸的TSV通孔，其中第一尺寸小于第二尺寸；第一金属布线层，其位于所述转接板的正面，并与所述第一TSV通孔束电连接；第一绝缘层，其包裹所述第一金属布线层；第一凸点，其与所述第一金属布线层电连接；第一焊盘，其位于所述转接板的背面，与所述第一TSV通孔束电连接；第一焊球，其与所述第一焊盘电连接；完成线路制作的芯片，其倒装在所述转接板的正面；3DIC芯片堆叠结构，其位于所述转接板的正面；以及封装基板，其位于所述转接板的背面。4.如权利要求3所述的带有TSV通孔束的3DIC芯片封装结构，其特征在于，所述完成线路制作的芯片包括：第二芯片；第二金属布线层，其位于所述第一芯片的正面；第二绝缘层，其位于所述第二芯片的正面，并包裹所述第二金属布线层；以及第二凸点，与所述第二金属布线层电连接。5.如权利要求3所述的带有TSV通孔束的3DIC芯片封装结构，其特征在于，所述3DIC芯片堆叠结构包括：多个第三芯片；第二TSV通孔束，其贯穿所述第三芯片，所述第二TSV通孔束包括多个具有第三尺寸的TSV通孔，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊嘉祺，孙鹏，徐成，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：