集成无源器件的结构制造技术

本实用新型专利技术提出了一种集成无源器件的结构，该集成无源器件的结构主要是衬底层、设置于衬底层上并用于形成电容器件的电容部、设置于衬底层的上方并用于形成电感器件的电感线圈部、用于形成绝缘层且设置于衬底层上的介电层、用于形成导电连接部的导电连接层等构成。其中，介电层用于覆盖电容部和电感线圈部，且至少有部分未覆盖电容部和电感线圈部的待连接区域。并且，导电连接层部分覆盖于所述介电层上，且至少一部分覆盖该待连接区域，以形成与电容部和电感线圈部相连的第一接触电极。与现有技术相比，本申请可以简化集成无源器件的导电连接部的结构，从而简化工艺，降低制造成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
集成无源器件的结构


[0001]本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种集成无源器件的结构。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，集成电路以及大型的集成电路得到广泛的应用，组成集成电路的元器件中可以是无源的或者是有源的，当元器件为无源器件时成为集成无源器件(integrated passive device，IPD)，IPD提供高精度电容及高性能电感等无源器件的集成，目前在射频上的应用成为新热点。
[0003]现有技术中，集成无源器件中的无源器件主要由无源电阻器、无源电容器以及无源电感器等多种集成，集成无源器件中的电感线圈部和电容器等单独设置导电连接部进行导电处理，并且，在实际应用中，由于导电连接部的结构较为复杂，从而导致工序较为复杂，因此增加了制造成本和制造时间。
[0004]因此，如何简化集成无源器件的导电连接部的结构，从而简化工艺，降低制造成本，是本技术亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种集成无源器件的结构，可简化集成无源器件的导电连接部的结构，从而简化工艺，降低制造成本。
[0006]为了实现上述目的，本技术提出了一种集成无源器件的结构，包括：衬底层；
[0007]电容部，设置于所述衬底层上，用于形成电容器件；
[0008]电感线圈部，设置于所述衬底层的上方，用于形成电感器件；
[0009]介电层，用于形成绝缘层，其设置于所述衬底层上，以覆盖所述电容部和所述电感线圈部，且至少有部分未覆盖所述电容部和所述电感线圈部的待连接区域；
[0010]导电连接层，用于形成导电连接部，其部分覆盖于所述介电层上，且至少一部分覆盖所述待连接区域，以形成与所述电容部和所述电感线圈部相连的第一接触电极。
[0011]进一步作为优选地，所述待连接区域包括：分布于所述电容部上的第一待连接区域；分布于所述电感线圈部上的第二待连接区域；其中，所述导电连接层至少有部分通过覆盖所述第一待连接区域和所述第二待连接区域，以共同形成所述第一接触电极。
[0012]进一步作为优选地，所述第一待连接区域和所述第二待连接区域为相互连通的区域。
[0013]进一步作为优选地，所述集成无源器件的结构还包括：与所述第一待连接区域间隔设置且分布于所述电容部上的第三待连接区域；其中，所述导电连接层至少有部分通过覆盖所述第三待连接区域，以形成第二接触电极。
[0014]进一步作为优选地，所述第一待连接区域和所述第三待连接区域位于所述电容部的上表面；所述第二待连接区域位于所述电感线圈部的上表面。
[0015]进一步作为优选地，所述导电连接层为沉积于所述介电层上的金属镀层；其中，所
述导电连接层至少有部分通过图形化处理后形成所述第一接触电极和/或所述第二接触电极。
[0016]进一步作为优选地，所述电容部包括：设置于所述衬底层上且用于构成下电极部的第一导电层；覆盖于所述第一导电层的上表面的电容介质层；一部分覆盖于所述电容介质层上表面形成上电极导出部，且一部分覆盖于所述第一导电层上表面形成下电极导出部的第二导电层；其中，所述上电极导出部与所述下电极导出部彼此相互隔开，且至少有一个与所述待连接区域相连，以用于与所述电感线圈部电连接。
[0017]进一步作为优选地，所述电感线圈部设置于所述衬底层上，且为覆盖于所述衬底层的上表面的第二导电层的一部分。
[0018]进一步作为优选地，所述介电层的厚度大于所述电容部和所述电感线圈部的厚度。
[0019]进一步作为优选地，所述介电层包括：旋涂玻璃、聚酰亚胺和环氧树脂中的任意一种材质或组合构成的涂层。
[0020]进一步作为优选地，所述电感线圈部的厚度为3～20um。
[0021]进一步作为优选地，所述衬底层包括：硅、玻璃、陶瓷中任意一种材质或其组合所构成的非金属层；其中，所述衬底层的硅阻值大于等于100Ω.cm。
[0022]进一步作为优选地，所述第一导电层包括：第一金属层；其中，所述第一金属层的材质为铝，铜，金和银中的任意一种材质或其组合；所述第一金属层的厚度为0.5～3um。
[0023]进一步作为优选地，所述第二导电层包括第二金属层；其中，所述第二金属层的材质为金、铜、银和铝中任意一种材质或其组合所构成。
[0024]进一步作为优选地，所述电容介质层包括氮化硅、二氧化硅、氧化铪，氧化锆和氧化钽中的任意一种材质或其组合；其中，所述电容介质层的厚度范围在200～5000A。
[0025]进一步作为优选地，所述第二导电层还包括：过渡金属层；所述过渡金属层和第二金属层从下至依次叠加设置；并且，所述过渡金属层的材质为钛，镍，铬和铂中任意一种或其组合。
[0026]进一步作为优选地，所述第二导电层的各区域的厚度均相同。
[0027]与现有技术相比，本技术的有益效果主要体现在：本申请可简化集成无源器件的导电连接部的结构，从而简化工艺，降低制造成本。
附图说明
[0028]图1为本技术第一实施例中集成无源器件在未设置导电连接层时的剖面结构示意图；
[0029]图2为本技术第一实施例中集成无源器件的剖面结构示意图；
[0030]图3为本技术第一实施例中又一优选的集成无源器件在未设置导电连接层时的剖面结构示意图；
[0031]图4为本技术第一实施例中又一优选的集成无源器件的剖面结构示意图；
[0032]图5为本技术第一实施例中又一优选的集成无源器件的剖面结构示意图；
[0033]附图标记说明：
[0034]衬底层1、第一导电层2、电容介质层3、介电层5、第二导电层4、上电极导出部41、下
电极导出部42、电感线圈部43、导电连接层6、第一接触电极61、第二接触电极62、第一待连接区域71、第二待连接区域72、第三待连接区域73。
具体实施方式
[0035]下面将结合示意图对本技术的集成无源器件的结构进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。
[0036]实施例一
[0037]请参考图1所示，本实施例提供了一种集成无源器件的结构，该集成无源器件的结构主要是衬底层1、设置于衬底层1上并用于形成电容器件的电容部、设置于衬底层1的上方并用于形成电感器件的电感线圈部43、用于形成绝缘层且设置于衬底层1上的介电层5、用于形成导电连接部的导电连接层6等构成。其中，介电层5用于覆盖电容部和电感线圈部43，且至少有部分未覆盖电容部和电感线圈部43的待连接区域7。并且，如图1所示，导电连接层6部分覆盖于介电层5上，且至少一部分覆盖该待连接区域7，以形成与电容部和电感线圈部43相连的第一接触电极61。
[0038]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成无源器件的结构，包括：衬底层；其特征在于，还包括：电容部，设置于所述衬底层上，用于形成电容器件；电感线圈部，设置于所述衬底层的上方，用于形成电感器件；介电层，用于形成绝缘层，其设置于所述衬底层上，以覆盖所述电容部和所述电感线圈部，且至少有部分未覆盖所述电容部和所述电感线圈部的待连接区域；导电连接层，用于形成导电连接部，其部分覆盖于所述介电层上，且至少一部分覆盖所述待连接区域，以形成与所述电容部和所述电感线圈部相连的第一接触电极。2.如权利要求1所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述待连接区域包括：分布于所述电容部上的第一待连接区域；分布于所述电感线圈部上的第二待连接区域；其中，所述导电连接层至少有部分通过覆盖所述第一待连接区域和所述第二待连接区域，以共同形成所述第一接触电极。3.如权利要求2所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述第一待连接区域和所述第二待连接区域为相互连通的区域。4.如权利要求2所述的集成无源器件的结构，其特征在于，还包括：与所述第一待连接区域间隔设置且分布于所述电容部上的第三待连接区域；其中，所述导电连接层至少有部分通过覆盖所述第三待连接区域，以形成第二接触电极。5.如权利要求4所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述第一待连接区域和所述第三待连接区域位于所述电容部的上表面；所述第二待连接区域位于所述电感线圈部的上表面。6.如权利要求4所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述导电连接层为沉积于所述介电层上的金属镀层；其中，所述导电连接层至少有部分通过图形化处理后形成所述第一接触电极和/或所述第二接触电极。7.如权利要求1所述的集成无源器件的结构，其特征在于，所述电容部包括：设置于所述衬底层上且用于构成下电极部的第一导电层；覆盖于所述第一导电层的上表面的电容介质层；一部分覆盖于所述电容介质层上表面形成上电极导出部，且一部分覆盖于所述第一导电层上表...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐建卫，
申请(专利权)人：赫芯浙江微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：