一种硅晶圆结构制造技术

本申请公开了一种硅晶圆结构，该硅晶圆结构包括：切割面以及<111>腐蚀面，所述切割面和所述<111>腐蚀面的夹角为45

【技术实现步骤摘要】
一种硅晶圆结构


[0001]本申请属于硅晶圆
，涉及湿法腐蚀制作45
°
反射镜，具体涉及一种硅晶圆结构。

技术介绍

[0002]45
°
反射镜在光学系统中广泛应用，起到光路90
°
转换的作用。在硅光子集成芯片中，45
°
反射镜可以将波导中的光垂直反射出芯片，因为集成需求，所以硅腐蚀45
°
反射镜有很高的应用价值。在硅晶体中，<100>面与<110>面夹角是45
°
。大量文献实验都是基于<100>面的硅晶圆和<110>面的硅晶圆，通过调整腐蚀液配方，腐蚀温度等条件，得到<100>面和<110>面的45
°
作为反射镜。但是因为<110>面和<100>面腐蚀速率选择比不高，镜面无法避免腐蚀坑。常规湿法腐蚀前通常采<100>晶面硅片，利用<100>面和<111>面的高选择比，一般大于100：1，腐蚀出斜面<111>面。<111>面的腐蚀效果稳定且光滑，可做为光学反射镜面使用，但是<111>面和<100>面夹角是54.74
°
，不满足45
°
的要求。

技术实现思路

[0003]针对上述现有技术的缺点或不足，本申请要解决的技术问题是提供一种硅晶圆结构。
[0004]为解决上述技术问题，本申请通过以下技术方案来实现：
[0005]本申请一方面提出了一种硅晶圆结构，包括：切割面以及<111>腐蚀面，所述切割面和所述<111>腐蚀面的夹角为45
°
。
[0006]可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述切割面以<110>平边按照顺时针偏离<100>面9.74
°
。
[0007]可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述切割面以<110>平边按照逆时针偏离<100>面9.74
°
。
[0008]可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述切割面以垂直于<110>平边的方向为轴线，偏离<100>面9.74
°
。
[0009]可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述偏离的方向是顺时针方向或逆时针方向。
[0010]可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述硅晶圆掺杂为N型或P型。
[0011]可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述<110>平边可由SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International，国际半导体产业协会)标准的定位槽替代。
[0012]可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述<111>腐蚀面还蒸镀有金层。
[0013]可选地，上述的硅晶圆结构，其中，所述金层的厚度为0.4
‑
0.6μm。
[0014]本申请另一方面还提出了一种上述的硅晶圆结构的制造方法，采用<100>晶向生长的硅单晶棒，偏离<100>面9.74
°
切割形成切割面；腐蚀得到非对称的<111>腐蚀面，其中一<111>腐蚀面与所述切割面的夹角为45
°
。
[0015]可选地，上述的制造方法，其中，在上述的偏离<100>面9.74
°
切割形成切割面中，
包括：以<110>平边按照顺时针或逆时针偏离<100>面9.74
°
形成所述切割面。
[0016]可选地，上述的制造方法，其中，在上述的腐蚀得到非对称的<111>腐蚀面中，包括：将掩膜平行或垂直与所述<110>平边，采用碱性溶液腐蚀得到非对称的<111>腐蚀面。
[0017]可选地，上述的制造方法，其中，还包括：在所述<111>腐蚀面上蒸镀0.4
‑
0.6μm的金层。
[0018]与现有技术相比，本申请具有如下技术效果：
[0019]本申请利用硅片的角度切割，使<111>腐蚀面与切割面成45
°
夹角，这样可利用<111>腐蚀面的成熟腐蚀工艺与完美的光滑表面，形成45
°
反射镜；具体地，本申请形成一切割面，然后在腐蚀形成<111>腐蚀面，克服了现有技术中<111>面和<100>面夹角是54.74
°
而非45
°
的问题，实现了切割面和<111>腐蚀面的夹角为45
°
的要求，可获得45
°
反射镜，满足市场使用需求。
附图说明
[0020]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0021]图1：本申请一实施例硅晶圆结构的示意图；
[0022]图2：如图1所示结构的侧视图；
[0023]图3：本申请另一实施例硅晶圆结构的示意图；
[0024]图4：本申请经腐蚀后形成的硅晶圆结构的示意图。
具体实施方式
[0025]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0026]实施例一
[0027]如图1至图2所示，在本实施例中，一种硅晶圆结构，包括：切割面2以及<111>腐蚀面3，所述切割面2和所述<111>腐蚀面3的夹角为45
°
。本实施例通过先形成一切本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅晶圆结构，其特征在于，包括：切割面以及<111>腐蚀面，所述切割面和所述<111>腐蚀面的夹角为45
°
。2.根据权利要求1所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述切割面以<110>平边按照顺时针偏离<100>面9.74
°
。3.根据权利要求1所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述切割面以<110>平边按照逆时针偏离<100>面9.74
°
。4.根据权利要求1所述的硅晶圆结构，其特征在于，所述切割面以垂直于&...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐建卫，汪鹏，李蜀文，
申请(专利权)人：赫芯浙江微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：