一种多晶硅还原炉的底盘进出气结构制造技术

本实用新型专利技术涉及多晶硅生产设备技术领域，尤其涉及一种多晶硅还原炉的底盘进出气结构，其包括:底盘、冷却水管、排气管和进气管；底盘上设置有冷却水腔；底盘上设置有连接孔；连接孔包括：第一孔和第二孔；第二孔与第一孔同轴设置；第一孔和第二孔将底盘的上侧和底盘的下侧连通；第二孔的直径较第一孔的直径大；多个连接孔以底盘的圆心为中心阵列设置；冷却水管与第二孔连接，通过第二孔与冷却水腔连通；排气管嵌套在冷却水管内；排气管与第一孔连接，通过第一孔与底盘的上侧连通；进气管嵌套在排气管内；进气管的一端延伸至底盘的上侧；进气管的一端设置有喷嘴。采用本实用新型专利技术能够改善还原炉内硅芯的沉积反应效果，节约能耗。节约能耗。节约能耗。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅还原炉的底盘进出气结构


[0001]本技术涉及多晶硅生产设备
，尤其涉及一种多晶硅还原炉的底盘进出气结构。

技术介绍

[0002]多晶硅是制造光伏发电的太阳能电池片的基础材料，被广泛应用。目前，多晶硅的生产主要采用改良西门子法，即是用氢气、四氯化硅和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯；提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后通入多晶硅还原炉内，在一定的温度和压力下，在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅，反应温度控制在1080摄氏度左右，最终生成棒状多晶硅产品。由于进入还原炉反应的物料，需要在高温下在通电高温硅芯上进行沉积反应，为了让物料快速进入反应温度，需要对进入还原炉的物料进行预热。
[0003]多晶硅氢还原炉是生产多晶硅的主要设备，还原炉的底盘上设有有进气口，用于加入反应物料；底盘上设置有出气口，用于排出反应后的气体物料，进气口和出气口独立设置。底盘上还设置有冷却水腔，用于给底盘和排出的气体降温，但是，冷却水同时也会给进气口进入到反应物料进行降温，降低了物料温度，不利于多晶硅在还原炉内沉积，同时会增加能耗。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术提供一种多晶硅还原炉的底盘进出气结构，主要目的在于改善还原炉内硅芯的沉积反应效果，节约能耗。
[0005]为达到上述目的，本技术主要提供如下技术方案：
[0006]本技术的实施例提供一种多晶硅还原炉的底盘进出气结构，包括:底盘、冷却水管、排气管和进气管；
[0007]所述底盘为圆形盘状结构；所述底盘上设置有冷却水腔；所述底盘上设置有连接孔；所述连接孔包括：第一孔和第二孔；所述第二孔与所述第一孔同轴设置；所述第二孔与所述第一孔相互连通；所述第一孔和所述第二孔将所述底盘的上侧和所述底盘的下侧连通；
[0008]所述第二孔位于所述冷却水腔的下侧；所述第一孔位于所述冷却水腔的上侧；所述第二孔的直径较所述第一孔的直径大；
[0009]所述连接孔为多个；多个所述连接孔以所述底盘的圆心为中心阵列设置；
[0010]所述冷却水管用于输入或输出冷却水；所述冷却水管与所述第二孔连接，通过所述第二孔与所述冷却水腔连通；所述冷却水管为多个；多个所述冷却水管与所述第二孔一一对应设置；所述冷却水管上设置有进水口一；所述冷却水管上设置有出水口一；
[0011]所述排气管的外径较所述冷却水管的内径小；所述排气管嵌套在所述冷却水管内；所述排气管与所述第一孔连接，通过所述第一孔与所述底盘的上侧连通；所述排气管为
多个；多个所述排气管与所述第一孔一一对应设置；
[0012]所述进气管的外径较所述排气管的内径小；所述进气管嵌套在所述排气管内；所述进气管的一端延伸至所述底盘的上侧；所述进气管的一端设置有喷嘴；所述进气管为多个；多个所述进气管与所述排气管一一对应设置。
[0013]进一步地，还包括：排气延伸管和冷却延伸管；
[0014]所述排气延伸管与所述排气管连通；
[0015]所述冷却延伸管与所述冷却水管连通；
[0016]所述冷却延伸管套装在所述排气延伸管的外侧，与所述排气延伸管同轴设置；
[0017]所述冷却延伸管上设置有进水口二；
[0018]所述冷却延伸管上设置有出水口二。
[0019]进一步地，所述连接孔为4～8个。
[0020]进一步地，所述进水口一上设置有法兰连接构件一；
[0021]所述出水口一上设置有法兰连接构件二；
[0022]所述进水口二上设置有法兰连接构件三；
[0023]所述出水口二上设置有法兰连接构件四。
[0024]进一步地，所述法兰连接构件一、所述法兰连接构件二、所述法兰连接构件三和所述法兰连接构件四的规格大小相同。
[0025]进一步地，所述排气管为不锈钢材质。
[0026]进一步地，所述进气管为不锈钢材质。
[0027]进一步地，所述冷却水管为不锈钢材质。
[0028]借由上述技术方案，本技术多晶硅还原炉的底盘进出气结构至少具有下列优点：
[0029]能够改善还原炉内硅芯的沉积反应效果，节约能耗。
[0030]上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
[0031]图1为本技术实施例提供的一种多晶硅还原炉的底盘进出气结构的示意图；
[0032]图2为本技术实施例提供的一种多晶硅还原炉的底盘进出气结构中底盘的剖视示意图；
[0033]图3为本技术实施例提供的一种多晶硅还原炉的底盘进出气结构中底盘的俯视示意图；
[0034]图4为本技术另一实施例提供的一种多晶硅还原炉的底盘进出气结构的示意图。
[0035]图中所示：
[0036]1为底盘，1
‑
1为冷却水腔，1
‑
2为第一孔，1
‑
3为第二孔，2为进气管，2
‑
1为喷嘴，3为排气管，4为冷却水管，4
‑
1为进水口一，4
‑
2为出水口一，5为排气延伸管，6为冷却延伸管，6
‑
1为进水口二，6
‑
2为出水口二。
具体实施方式
[0037]为更进一步阐述本技术为达成预定技术目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术申请的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。
[0038]如图1至图3所示，本技术的一个实施例提出的一种多晶硅还原炉的底盘1进出气结构，包括:底盘1、冷却水管4、排气管3和进气管2；
[0039]底盘1为圆形盘状结构；底盘1上设置有冷却水腔1
‑
1，用于冷却水的流通。底盘1上设置有连接孔；连接孔包括：第一孔1
‑
2和第二孔1
‑
3；第二孔1
‑
3与第一孔1
‑
2同轴设置；第二孔1
‑
3与第一孔1
‑
2相互连通；第一孔1
‑
2和第二孔1
‑
3将底盘1的上侧和底盘1的下侧连通；第二孔1
‑
3位于冷却水腔1
‑
1的下侧；第一孔1
‑
2位于冷却水腔1
‑
1的上侧；第二孔1
‑
3的直径较第一孔1
‑
2的直径大；连接孔为多个；多个连接孔以底盘1的圆心为中心阵列设置，以通过多个连接孔进行进气和排气，能够使进入的物料分布均匀，改善沉积反应效果。本实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉的底盘进出气结构，其特征在于，包括:底盘、冷却水管、排气管和进气管；所述底盘为圆形盘状结构；所述底盘上设置有冷却水腔；所述底盘上设置有连接孔；所述连接孔包括：第一孔和第二孔；所述第二孔与所述第一孔同轴设置；所述第二孔与所述第一孔相互连通；所述第一孔和所述第二孔将所述底盘的上侧和所述底盘的下侧连通；所述第二孔位于所述冷却水腔的下侧；所述第一孔位于所述冷却水腔的上侧；所述第二孔的直径较所述第一孔的直径大；所述连接孔为多个；多个所述连接孔以所述底盘的圆心为中心阵列设置；所述冷却水管用于输入或输出冷却水；所述冷却水管与所述第二孔连接，通过所述第二孔与所述冷却水腔连通；所述冷却水管为多个；多个所述冷却水管与所述第二孔一一对应设置；所述冷却水管上设置有进水口一；所述冷却水管上设置有出水口一；所述排气管的外径较所述冷却水管的内径小；所述排气管嵌套在所述冷却水管内；所述排气管与所述第一孔连接，通过所述第一孔与所述底盘的上侧连通；所述排气管为多个；多个所述排气管与所述第一孔一一对应设置；所述进气管的外径较所述排气管的内径小；所述进气管嵌套在所述排气管内；所述进气管的一端延伸至所述底盘的上侧；所述进气管的一端设置有喷嘴；所述进气管为多个；多个所述进气管与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹仁苏，
申请(专利权)人：新疆大全新能源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：