多晶硅还原炉制造技术

技术编号:33438822 阅读:23 留言:0更新日期:2022-05-19 00:26
本申请提供一种多晶硅还原炉,涉及多晶硅生产设备技术领域。多晶硅还原炉包括底盘、钟罩、电极和硅芯,钟罩罩设在底盘上形成容纳腔室,电极外部包裹有绝缘部件,绝缘部件插设于底盘;电极具有两个,硅芯为偶数个且个数不小于四;硅芯均设于容纳腔室内,偶数个硅芯包括第一硅芯和两个第二硅芯,第二硅芯与电极连接,底盘连接有绝缘构件,第一硅芯安装于绝缘构件,两个第二硅芯的上端分别通过第一横梁与其中一个第一硅芯的连接并能够实现导电,相邻两个第一硅芯的下端均通过第二横梁连接并能够实现导电,以使得偶数个硅芯能够构成一个电流回路。其能够减小因电极周围的绝缘部件被击穿后而导致的停炉情况的发生几率。穿后而导致的停炉情况的发生几率。穿后而导致的停炉情况的发生几率。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅还原炉


[0001]本申请涉及多晶硅生产设备
,具体而言,涉及一种多晶硅还原炉。

技术介绍

[0002]目前,国内大部分的多晶硅生产厂家均使用改良西门子法工艺,该工艺的主要设备均为还原炉,其工作原理是还原炉底盘上均匀布置一定数量电极,电极上安装石墨座,硅芯安装在石墨座上。通过控制硅芯上的电流来控制硅芯表面温度,以达到最佳的化学气相沉积条件。通常,还原炉中每两个电极构成一个电流回路,则设置多组电极就构成多个电流回路,每个电极周围均具有绝缘构件,在气相沉积反应时产生的硅粉落在还原炉底盘上,容易导致电极周围的绝缘部件被击穿,影响炉子的正常运行。由于多组电极构成多个电流回路,每一个电极周围的绝缘部件被击穿后均会影响还原炉的正常使用,则这种结构设计很容易造成炉子不能正常使用。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种多晶硅还原炉,其能够减小因电极周围的绝缘部件被击穿后而导致的停炉情况的发生几率。
[0004]本申请实施例是这样实现的:
[0005]本申请实施例提供一种多晶硅还原炉,多晶硅还原炉包括底盘、钟罩、电极和硅芯,钟罩罩设在底盘上形成容纳腔室,电极外部包裹有绝缘部件,绝缘部件插设于底盘;
[0006]电极具有两个,硅芯为偶数个且个数不小于四;硅芯均设于容纳腔室内,偶数个硅芯包括第一硅芯和两个第二硅芯,第二硅芯与电极连接,底盘连接有绝缘构件,第一硅芯安装于绝缘构件,两个第二硅芯的上端分别通过第一横梁与其中一个第一硅芯的连接并能够实现导电,相邻两个第一硅芯的下端均通过第二横梁连接并能够实现导电,以使得偶数个硅芯能够构成一个电流回路。
[0007]进一步地,第一硅芯包括硅棒和硅块,硅块与绝缘构件连接,且硅块设有硅芯夹持槽,硅棒的底端安装于硅芯夹持槽。
[0008]进一步地,硅块设有卡槽,第二横梁的两端分别固定于相邻两个硅块的卡槽内。
[0009]进一步地,底盘开设有安装槽,绝缘构件固定于安装槽内。
[0010]进一步地,绝缘构件均匀间隔分布于底盘上。
[0011]进一步地,电极安装有石墨卡座,石墨卡座具有石墨卡瓣,第二硅芯通过石墨卡瓣固定于石墨卡座。
[0012]进一步地,多晶硅还原炉具有连接于底盘的进气管道,进气管道与容纳腔室连通。
[0013]进一步地,钟罩包括内罩体和外罩体,钟罩间隔设置以形成冷却液腔,外罩体的侧部开设有进液口,外罩体的顶部开设有出液口。
[0014]进一步地,底盘开设尾气口,尾气口安装有出气管道,出气管道与容纳腔室连通。
[0015]进一步地,硅芯设置有四个。
[0016]本申请实施例的有益效果包括:
[0017]本申请实施例的多晶硅还原炉,电极通过绝缘部件与底盘绝缘,第一硅芯通过绝缘构件与底盘绝缘,由于两个第二硅芯的上端分别通过第一横梁与其中一个第一硅芯的连接并能够实现导电,相邻两个第一硅芯的下端均通过第二横梁连接并能够实现导电,以使得偶数个硅芯能够构成一个电流回路,则通过向电极通电即可实现对所有硅芯进行加热。由于本申请实施例的多晶硅还原炉中只需设置两个电极就能实现所有硅芯的加热,电极的数量较少,则相较于电极数量较多的设计方案,电极在底盘所占的空间较小,则电极周围的绝缘部件被击穿的几率较小,从而能够减小因电极周围的绝缘部件被击穿后而导致的停炉情况的发生几率。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0019]图1为本申请实施例的多晶硅还原炉的结构示意图;
[0020]图2为本申请实施例的硅芯、电极与底盘的配合结构示意图。
[0021]图标:10

多晶硅还原炉;11

底盘;12

钟罩;121

内罩体;122

外罩体;1221

进液口;1222

出液口;123

冷却液腔;13

电极;131

石墨卡座;1311

石墨卡瓣;14

第一硅芯;141

硅棒;142

硅块;1421

硅芯夹持槽;1422

卡槽;15

第二硅芯;16

第一横梁;17

第二横梁;18

出气管道;19

绝缘构件。
具体实施方式
[0022]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0023]因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
[0024]在本申请的描述中,需要说明的是,术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]在本申请的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本
领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0026]实施例
[0027]本实施例提供一种多晶硅还原炉10,请参照图1,多晶硅还原炉10包括底盘11、钟罩12、电极13和硅芯,钟罩12罩设在底盘11上形成容纳腔室,电极13外部包裹有绝缘部件(图中未示出),绝缘部件插设于底盘11。
[0028]需要说明的是,绝缘部件的具体结构本申请实施例中并不限定,现有的一些绝缘部件的结构只要能够保证电极13与底盘11绝缘,且能够向电极13通电,都是可行的。
[0029]其中,电极13具有两个,硅芯为偶数个且个数不小于四。即是说,硅芯可以设置为四个、六个、八个或更多个。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉,所述多晶硅还原炉包括底盘、钟罩、电极和硅芯,所述钟罩罩设在所述底盘上形成容纳腔室,所述电极外部包裹有绝缘部件,所述绝缘部件插设于所述底盘;其特征在于,所述电极具有两个,所述硅芯为偶数个且个数不小于四;所述硅芯均设于所述容纳腔室内,偶数个所述硅芯包括第一硅芯和两个第二硅芯,所述第二硅芯与所述电极连接,所述底盘连接有绝缘构件,所述第一硅芯安装于所述绝缘构件,两个所述第二硅芯的上端分别通过第一横梁与其中一个所述第一硅芯的连接并能够实现导电,相邻两个所述第一硅芯的下端均通过第二横梁连接并能够实现导电,以使得偶数个所述硅芯能够构成一个电流回路。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉,其特征在于,所述第一硅芯包括硅棒和硅块,所述硅块与绝缘构件连接,且所述硅块设有硅芯夹持槽,所述硅棒的底端安装于所述硅芯夹持槽。3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉,其特征在于,所述硅块设有卡槽,所述第二横梁的两端分别固定于相邻两个所述硅块的卡槽内。4.根据权利要求1~3任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:李宇辰马辉吉红平王琳胡西军郭光伟韩玲王秀菊童占忠李勇明祁永双
申请(专利权)人:亚洲硅业青海股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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