一种多晶硅还原炉视镜装置制造方法及图纸

本申请公开了一种多晶硅还原炉视镜装置，属于多晶硅技术领域，包括还原炉本体、喷嘴以及透镜。透镜安装在还原炉本体上，还原炉本体上设置有氢气通道，氢气通道设置在透镜的附近，氢气可以通过该氢气通道被送入到还原炉本体内。氢气沿氢气通道进入还原炉本体时，能够改变还原炉本体内透镜附近的流场，可以防止还原炉本体内产生的气体和硅粉通过返混到达透镜玻璃的表面，从而保证还原炉本体在运行过程中透镜表面的洁净，进而保证硅棒表面温度测量的准确性，以更好的控制多晶硅生产条件。以更好的控制多晶硅生产条件。以更好的控制多晶硅生产条件。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅还原炉视镜装置


[0001]本技术涉及多晶硅
，具体而言，涉及一种多晶硅还原炉视镜装置。

技术介绍

[0002]在多晶硅生产过程中，硅棒表面温度是多晶硅生长的主要控制参数之一，硅棒表面温度目前采用安装在还原炉炉筒上的高温红外测温仪器进行测量。
[0003]现有的多晶硅生产设备在还原炉运行过程中，其视镜表面经常被硅粉覆盖，使得通过视镜测量硅棒表面的温度产生较大的误差，从而影响多晶硅生产条件的控制。

技术实现思路

[0004]本技术公开了一种多晶硅还原炉视镜装置，以改善上述的问题。
[0005]本技术解决上述技术问题所采用的技术方案是：
[0006]基于上述的目的，本技术公开了一种多晶硅还原炉视镜装置，包括：
[0007]还原炉本体，所述还原炉本体上设置有安装口、通孔和氢气通道，所述安装口和所述氢气通道均与所述通孔连通，且所述安装口和所述氢气通道间隔设置；
[0008]喷嘴，所述喷嘴安装于所述氢气通道朝向所述通孔的一端，且所述喷嘴的输出端与所述通孔连通；以及
[0009]透镜，所述透镜安装于所述还原炉本体，所述透镜安装于所述还原炉本体上，且所述透镜位于所述安装口处。
[0010]可选地：所述还原炉本体包括：
[0011]炉体，所述炉体上设置有开口；以及
[0012]安装座，所述安装座安装于所述炉体的所述开口处，所述安装口、所述通孔和所述氢气通道均设置于所述安装座，所述透镜与所述安装座连接，所述喷嘴安装于所述安装座。
>[0013]可选地：所述安装座呈环形，所述安装座围成所述通孔，所述安装口设置于所述安装座的端壁，所述氢气通道设置于所述安装座的侧壁。
[0014]可选地：所述氢气通道包括：
[0015]入口段；
[0016]气腔段，所述气腔段沿所述通孔的周向呈环形，所述气腔段与所述入口段连通；以及
[0017]连接段，所述连接段的一端与所述气腔段连通，所述连接段的另一端与所述通孔连通，所述喷嘴与所述连接段连通。
[0018]可选地：所述连接段设置为多个，多个所述连接段沿所述通孔的周向间隔设置，所述喷嘴设置为多个，多个所述喷嘴与多个所述连接段一一对应设置。
[0019]可选地：所述喷嘴的输出端与所述通孔的轴线倾斜设置。
[0020]可选地：所述喷嘴朝向所述安装口倾斜，且所述喷嘴与所述通孔的轴线的夹角为65
°
～75
°
。
[0021]可选地：所述喷嘴的输出端朝向背离所述安装口的方向倾斜，且所述喷嘴与所述通孔的轴线的夹角为30
°
～45
°
。
[0022]可选地：所述氢气通道设置为多个，多个所述氢气通道均与所述通孔连通，且多个所述氢气通道沿所述通孔的周向间隔设置，所述喷嘴设置为多个，多个所述喷嘴与多个所述氢气通道一一对应设置。
[0023]可选地：所述还原炉本体上设置有挡块，所述挡块位于所述通孔内，且所述挡块和所述喷嘴沿所述通孔的轴线方向错开设置。
[0024]与现有技术相比，本技术实现的有益效果是：
[0025]本技术公开的多晶硅还原炉视镜装置设置喷嘴后，其喷出的氢气能够改变还原炉本体内透镜附近的流场，对透镜形成保护，避免还原炉本体内产生的气体和硅粉靠近透镜的表面，从而避免硅粉贴附到透镜表面，以此来保证还原炉本体在运行过程中透镜表面的洁净。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0027]图1示出了本技术实施例1公开的第一种多晶硅还原炉视镜装置的示意图；
[0028]图2示出了本技术实施例1公开的第二种多晶硅还原炉视镜装置的示意图；
[0029]图3示出了本技术实施例1公开的安装座示意图；
[0030]图4示出了本技术实施例2公开的第一种多晶硅还原炉视镜装置的示意图；
[0031]图5示出了本技术实施例2公开的第二种多晶硅还原炉视镜装置的示意图；
[0032]图6示出了本技术实施例2公开的安装座示意图。
[0033]图中：
[0034]110
‑
还原炉本体；111
‑
炉体；112
‑
安装座；113
‑
通孔；114
‑
氢气通道；1141
‑
入口段；1142
‑
气腔段；1143
‑
连接段；115
‑
安装口；120
‑
喷嘴；130
‑
透镜。
具体实施方式
[0035]下面通过具体的实施例子并结合附图对本技术做进一步的详细描述。
[0036]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0037]因此，以下对在附图中公开的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0038]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相
互组合。
[0039]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0040]在本申请实施例的描述中，需要说明的是，指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0041]在本申请实施例的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉视镜装置，其特征在于，包括：还原炉本体，所述还原炉本体上设置有安装口、通孔和氢气通道，所述安装口和所述氢气通道均与所述通孔连通，且所述安装口和所述氢气通道间隔设置；喷嘴，所述喷嘴安装于所述氢气通道朝向所述通孔的一端，且所述喷嘴的输出端与所述通孔连通；以及透镜，所述透镜安装于所述还原炉本体，所述透镜安装于所述还原炉本体上，且所述透镜位于所述安装口处。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉视镜装置，其特征在于，所述还原炉本体包括：炉体，所述炉体上设置有开口；以及安装座，所述安装座安装于所述炉体的所述开口处，所述安装口、所述通孔和所述氢气通道均设置于所述安装座，所述透镜与所述安装座连接，所述喷嘴安装于所述安装座。3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉视镜装置，其特征在于，所述安装座呈环形，所述安装座围成所述通孔，所述安装口设置于所述安装座的端壁，所述氢气通道设置于所述安装座的侧壁。4.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉视镜装置，其特征在于，所述氢气通道包括：入口段；气腔段，所述气腔段沿所述通孔的周向呈环形，所述气腔段与所述入口段连通；以及连接段，所述连接段的一端与所述气腔段连通，所述连接段的另一端与所述通孔连通，所述喷嘴与所述连接段连通。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨明财，宗冰，丁小海，王生红，任长春，
申请(专利权)人：亚洲硅业青海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：