声表面波谐振器及其制造方法、以及声表面波滤波器技术

本发明专利技术提供一种声表面波谐振器及其制造方法、以及声表面波滤波器，具有高品质因素Q、高机电耦合系数、良好的TCF特性和耐功率性。本发明专利技术的声表面波谐振器，包括：复合压电衬底，该复合压电衬底具有SiC基底层和形成在所述SiC基底层之上的ZnO压电层，该ZnO压电层由c轴择优取向的单晶ZnO形成；以及形成在所述ZnO压电层上的叉指电极。层上的叉指电极。层上的叉指电极。

【技术实现步骤摘要】
声表面波谐振器及其制造方法、以及声表面波滤波器


[0001]本专利技术涉及声表面波器件
更具体地，涉及一种使用复合压电衬底的声表面波谐振器及其制造方法、以及声表面波滤波器

技术介绍

[0002]声表面波(SAW：surface acoustic wave)器件是基于压电材料的压电效应，利用压电材料表面的声表面波工作的电子器件，其利用形成于压电材料表面的叉指换能器(IDT：interdigital transducer)将电输入信号转换为声表面波。
[0003]声表面波器件具有体积小、质量轻、可靠性高以及能在苛刻环境下稳定工作等特点，已被广泛应用于各类通讯设备、数据传输设备、视听设备和定位导航设备等。特别是，半导体技术的日渐成熟满足了人们对高性能、小型化声表面波器件的制造要求，以及射频前端模块的需求量与日俱增，都为声表面波器件的发展带来良好的市场前景和机遇。
[0004]作为评价声表面波器件之一的声表面波滤波器性能的指标，有品质因素Q、有效机电耦合系数、插入损耗、带宽、TCF(频率温度系数)、耐功率性等，这些指标直接取决于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：复合压电衬底，该复合压电衬底具有SiC基底层和形成在所述SiC基底层之上的ZnO压电层，该ZnO压电层由c轴择优取向的单晶ZnO形成；以及形成在所述ZnO压电层上的叉指电极。2.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，形成所述ZnO压电层的所述单晶ZnO的(0002)衍射峰的半高宽在250弧秒以内。3.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述SiC基底层与所述ZnO压电层通过通过在键合后减薄所述ZnO压电层至规定厚度,形成所述复合压电衬底。4.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述ZnO压电层通过PVD、MOCVD、MBE、ALD中的任一种方式形成在所述SiC基底层上。5.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述ZnO压电层的厚度在20λ以内，λ是所述叉指电极激发的声表面波波长。6.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指电极由Ti、Al、Cu、Au、Pt、Ag、Pd中的任一种金属、或它们的合金、或它们的层叠体构成。7.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，还包括形成于所述叉指电极表面的保护层。8.如权利要求7所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述保护层由SiO2、Si3N4、SiFO、SiOC中的任一种形成。9.一种用于制造声表面波谐振器的方法，其特征在于，包括：准备SiC基...

【专利技术属性】
技术研发人员：许欣，
申请(专利权)人：广东广纳芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：