一种体声波谐振器制造技术

技术编号:33673039 阅读:19 留言:0更新日期:2022-06-02 20:59
本实用新型专利技术提供一种体声波谐振器,包括:衬底;声反射层,设置在所述衬底上,所述声反射层远离所述衬底的一侧形成有开口;第一电极层,设置在所述声反射层上,且与所述声反射层的所述开口形成空腔;压电层,设置在所述第一电极层上;第二电极层,设置在所述压电层上。设置在所述压电层上。设置在所述压电层上。

【技术实现步骤摘要】
一种体声波谐振器


[0001]本技术涉及谐振器
,具体涉及一种体声波谐振器。

技术介绍

[0002]体声波谐振器是使用诸如硅的衬底、借助微型电子机械技术以及薄膜技术而制造出来的。具有尺寸小、性能好、可集成等优势,在无线收发器中实现镜像消除、寄生滤波和信道选择等功能。
[0003]现有技术中的体声波谐振器,如图10所示,通常包括形成有空腔的衬底1、形成在空腔上方的底电极3、形成在底电极3上的压电层4以及形成在压电层4上的上电极5。当电压施加在底电极3与上电极5之间时,压电层4由于逆压电效应产生机械变型并在薄膜内激励出体声波,并在第一电极层3和第二电极层5之间来回反射,形成机械谐振。体声波谐振器的振动能量会通过底电极3与衬底1的接触部分,如图10中的A所示,泄露到衬底1导致谐振器的Q值降低。

技术实现思路

[0004]因此,本技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的体声波谐振器中的能量容易发生泄漏的缺陷。
[0005]为此,本技术提供本技术提供一种体声波谐振器,包括:衬底;声反射层,设置在所述衬底上,所述声反射层远离所述衬底的一侧形成有开口;第一电极层,设置在所述声反射层上,且与所述声反射层的所述开口形成空腔;压电层,设置在所述第一电极层上;第二电极层,设置在所述压电层上。
[0006]进一步地,所述开口的底部保留有所述声反射层。
[0007]本技术提供的体声波谐振器,还包括:至少一个支撑结构,形成在所述开口内,用于支撑所述第一电极层。
[0008]进一步地,所述支撑结构与所述声反射层由相同材料构成。
[0009]本技术提供的体声波谐振器,所述第一电极层靠近所述空腔至少一侧边缘的部分向上弯曲,以形成空气桥结构。
[0010]进一步地,所述空气桥结构内填充有高阻材料。
[0011]本技术提供的体声波谐振器,所述第一电极层和/或所述第二电极层包括钨或钼。
[0012]进一步地,所述压电层包括氮化铝或掺杂氮化铝。
[0013]本技术提供的体声波谐振器,所述声反射层包括至少一组交叠设置的高阻材料层和低阻材料层。
[0014]进一步地,所述高阻材料层包括氧化硅层,所述低阻材料层包括金属钨层。
[0015]本技术技术方案,具有如下优点:
[0016]1.本技术提供的体声波谐振器,包括:衬底;声反射层,设置在所述衬底上,所
述声反射层远离所述衬底的一侧形成有开口;第一电极层,设置在所述声反射层上,且与所述声反射层的所述开口形成空腔;压电层,设置在所述第一电极层上;第二电极层,设置在所述压电层上。
[0017]本技术中,声反射层设置在所述衬底上,所述声反射层远离所述衬底的一侧形成有开口。通过设置声反射层,可以有效地对通过第一电极层中流出的能量进行反射,从而避免能量的散失。
[0018]2.本技术提供的体声波谐振器,所述第一电极层靠近所述空腔至少一侧边缘的部分向上弯曲,以形成空气桥结构。通过上述的设置方式,使得在空气桥结构中可以填充一些高阻材料,从而起到声阻抗的作用;或者可以直接在空气桥结构中填充空气,此时可以在第一电极层与空腔之间形成一定的不连续的声阻抗,从而降低声音损失。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本技术的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本技术实施例1中步骤S1对应的结构示意图;
[0021]图2为本技术实施例1中步骤S2对应的结构示意图;
[0022]图3为本技术实施例1中步骤S3对应的结构示意图;
[0023]图4为本技术实施例1中步骤S3对应的结构示意图;
[0024]图5为本技术实施例1中步骤S4对应的结构示意图;
[0025]图6为本技术实施例1中步骤S6对应的结构示意图;
[0026]图7为本技术实施例1中步骤S7对应的结构示意图;
[0027]图8为本技术提供的一种体声波谐振器的结构示意图;
[0028]图9为本技术提供的一种体声波谐振器的结构示意图;
[0029]图10为本技术
技术介绍
中提供的体声波谐振器的结构示意图。
[0030]附图标记说明:
[0031]1、衬底;2、声反射层;21、高阻材料层;22、低阻材料层;23、开口;24、支撑结构;3、第一电极层;31、空气桥结构;4、压电层;5、第二电极层;7、硅元素。
具体实施方式
[0032]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0033]在本技术的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。此外,术语“第
一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0034]在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0035]此外,下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0036]本实施例提供一种体声波谐振器,如图7所示,包括:
[0037]衬底1,具体地,衬底1可以由硅制成;
[0038]声反射层2,设置在所述衬底1上,所述声反射层2远离所述衬底1的一侧形成有开口23。如图1所示,声反射层2设置在衬底1上。
[0039]作为一种实施方式,如图8所示,可以在开口内形成多个支撑结构24,通过支撑结构以实现对第一电极层的支撑作用。具体的,对支撑结构的形状不进行限定,其可以采用点式结构,也可以采用线式结构,通过多个支撑结构,可以形成不同排布的矩阵结构。
[0040]同时,对支撑结构自身的材质不进行限定,作为一种实施方式,支撑结构自身采用与声反射层相同的材料制成。例如,当声反射层设置为本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器,其特征在于,包括:衬底;声反射层,设置在所述衬底上,所述声反射层远离所述衬底的一侧形成有开口;第一电极层,设置在所述声反射层上,且与所述声反射层的所述开口形成空腔;压电层,设置在所述第一电极层上;第二电极层,设置在所述压电层上。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述开口的底部保留有所述声反射层。3.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,还包括:至少一个支撑结构,形成在所述开口内,用于支撑所述第一电极层。4.根据权利要求3所述的体声波谐振器,其特征在于,所述支撑结构与所述声反射层由相同材料构成。5.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐滨赖志国杨清华
申请(专利权)人:苏州汉天下电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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