声表面波谐振器及其制造方法、以及声表面波滤波器技术

本发明专利技术提供一种声表面波谐振器及其制造方法、以及声表面波滤波器，具有高品质因素Q、高机电耦合系数、良好的TCF特性和耐功率性。本发明专利技术的声表面波谐振器，包括：复合压电衬底，该复合压电衬底具有：LGS基底层，该LGS基底层由单晶LGS形成，及形成在所述LGS基底层之上的ZnO压电层，该ZnO压电层由c轴择优取向的单晶ZnO形成；以及形成在所述ZnO压电层上的叉指电极。极。极。

【技术实现步骤摘要】
声表面波谐振器及其制造方法、以及声表面波滤波器


[0001]本专利技术涉及声表面波器件
更具体地，涉及一种使用复合压电衬底的声表面波谐振器及其制造方法、以及声表面波滤波器

技术介绍

[0002]随着信息技术的高速发展，尤其是在无线通信领域，广泛应用于各类通讯设备、数据传输设备、视听设备和定位导航设备等的射频前端显得愈发重要。射频前端是指射频收发器和天线之间的功能区域，由功率放大器、天线开关、滤波器、双工器和低噪声放大器等器件组成。而为了适应通信领域的飞速发展，对于射频前端的各种性能提出了更高要求。
[0003]声表面波(SAW：surface acoustic wave)滤波器作为射频前端的关键器件，基于压电材料的压电效应并通过声表面波来进行工作，其利用形成于压电材料表面的叉指换能器(IDT：interdigital transducer)将输入的电信号转换为声波信号或将声波信号转换为电信号，以此来提取和处理信号，具有尺寸小、成本低、轻量化、一致性好以及兼容半导体工艺而适于大批量生产的优势。
[0004]其中，压电材料的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：复合压电衬底，该复合压电衬底具有：硅酸镓镧即LGS基底层，该LGS基底层由单晶LGS形成，及形成在所述LGS基底层之上的ZnO压电层，该ZnO压电层由c轴择优取向的单晶ZnO形成；以及形成在所述ZnO压电层上的叉指电极。2.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述LGS基底层在声波传播方向欧拉角(0
°
,138.5
°
,26.5
°
)下具有0温度系数。3.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述LGS基底层与所述ZnO压电层通过在键合后减薄所述ZnO压电层至规定厚度，从而形成所述复合压电衬底。4.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述ZnO压电层通过PVD、MOCVD、MBE、ALD中的任一种方式形成在所述LGS基底层上。5.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述ZnO压电层的厚度在20λ以下，λ是所述叉指电极激发的声表面波波长。6.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指电极由Ti、Al、Cu、Au、Pt、Ag、Pd中的任一种金属、或它们的合金、或它们的层叠体构成。7.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，还包括形成于所述叉指电极表面的保护层。8.如权利要求7所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述保护层由SiO2、Si3N4、SiFO、SiOC中的任一种形成。9.一种用于制造声表面波谐振器的方法，其特征在于，包括：准备LGS基底层，该LGS基底层由单晶LGS形成；在所述LGS...

【专利技术属性】
技术研发人员：许欣，
申请(专利权)人：广东广纳芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：