【技术实现步骤摘要】
至初级开关以编程存储器单元的电源电压的选择性过驱动
[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更确切地说，涉及去往初级开关以编程存储器单元的电源电压的选择性过驱动。
技术介绍
[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可以利用存储器子系统在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。
技术实现思路
[0003]本申请的一方面涉及一种电路，其包括：线性调节器，其以操作方式与存储器阵列耦合，所述线性调节器包括初级开关，用以产生可用于编程所述存储器阵列的存储器单元的调节电压；第一数模转换器(DAC)，其具有与所述线性调节器耦合的输出；泵调节器，其以操作方式与电荷泵耦合，其中所述电荷泵将电源电压提供到所述线性调节器；第二DAC，其具有与所述泵调节器耦合的输出；及控制逻辑，其以操作方式与所述第一DAC和所述第二DAC耦合，所述控制逻辑执行包括以下各项的操作：使第一数字输入值提供到所述第一DAC，以选择性地使所述电源电压...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电路，其包括：线性调节器，其以操作方式与存储器阵列耦合，所述线性调节器包括初级开关，用以产生能够用于编程所述存储器阵列的存储器单元的调节电压；第一数模转换器DAC，其具有与所述线性调节器耦合的输出；泵调节器，其以操作方式与电荷泵耦合，其中所述电荷泵将电源电压提供到所述线性调节器；第二DAC，其具有与所述泵调节器耦合的输出；及控制逻辑，其以操作方式与所述第一DAC和所述第二DAC耦合，所述控制逻辑执行包括以下各项的操作：使第一数字输入值提供到所述第一DAC，以选择性地使所述电源电压上的噪声平滑；及使第二数字输入值提供到所述第二DAC，以基于可编程偏移值选择性地调整所述电源电压。2.根据权利要求1所述的电路，其进一步包括加法器，所述加法器用于将所述第一数字输入值与所述可编程偏移值组合以产生所述第二数字输入值。3.根据权利要求1所述的电路，其中所述泵调节器包括：比较器，其用于驱动所述电荷泵，所述比较器接收来自所述电荷泵的反馈电压和来自所述第二DAC的参考电压作为输入；一或多个二极管，其与所述电荷泵和所述线性调节器耦合；及分压器，其耦合于所述一或多个二极管与地之间，其中所述分压器的输出为所述反馈电压。4.根据权利要求1所述的电路，其中所述初级开关为晶体管，且其中所述线性调节器进一步包括：运算放大器，其用于驱动所述晶体管的栅极，所述运算放大器接收来自所述晶体管的源极的反馈电压和来自所述第一DAC的参考电压作为输入，所述参考电压被编程有目标编程电压；及分压器，其耦合于所述晶体管的所述源极与地之间，其中所述分压器的输出为所述反馈电压。5.根据权利要求4所述的电路，其中所述初级开关为n型互补金属氧化物半导体NMOS晶体管，其具有与所述运算放大器的输出耦合的栅极。6.根据权利要求1所述的电路，其中所述操作进一步包括在所述可编程偏移值内对以下各者中的一者进行编码：对与所述电荷泵耦合的串驱动器复制晶体管与串驱动器晶体管之间的体效应失配的校正；或补偿所述存储器阵列的温度的温度系数值。7.根据权利要求1所述的电路，其中所述操作进一步包括在所述可编程偏移值内对延长脉冲进行编码，以使得所述电荷泵将所述电源电压驱动得更高，从而提高对所述存储器单元的编程性能。8.根据权利要求1所述的电路，其中所述操作进一步包括在所述可编程偏移值内对以下各者中的一者进行编码：
迭代地使所述电荷泵增加所述电源电压的脉冲计数阶跃函数；线性地使所述电荷泵增加所述电源电压的脉冲计数线性函数；依据脉冲计数值选择性地使所述电荷泵增加所述电源电压的脉冲计数选择函数；或其组合。9.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括存储器单元；线性调节器，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，所述线性调节器包括初级开关，用以产生能够用于编程所述存储器单元的调节电压；第一数模转换器DAC，其具有与所述线性调节器耦合的输出；比较器，其具有耦合到电荷泵的输出，所述电荷泵用于将电源电压提供到所述线性调节器；第二DAC，其具有与所述比较器耦合的输出；及控制逻辑，其以操作方式与所述第一DAC和所述第二DAC耦合，所述控制逻辑执行包括以下各项的操作：使第一数字输入值提供到所述第一DAC，以选择性地使所述电源电压上的噪声平滑；及使第二数字输入值提供到所述第二DAC，以基于可编程偏移值选择性地调整所述电源电压。10.根据权利要求9所述的存储器装置，其进一步包括加法器，所述加法器用于将所述第一数字输入值与所述可编程偏移值组...
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