用于存储操作数据的存储器单元制造技术

本申请涉及用于存储操作数据的存储器单元。存储器装置可包含具有用于存储数据的不同单元集的存储器单元阵列。第一存储器单元集可存储用于操作所述存储器装置的数据，且相关联存储器单元可各自含有硫属化物存储元件。第二存储器单元集可存储主机数据。包含在所述第一集中的一些存储器单元可编程以存储第一逻辑状态，且所述第一集中的其它存储器单元可保持未编程(且可表示第二逻辑状态)。感测电路可与所述阵列耦合，且可确定由所述第一存储器单元集存储的数据的值。集存储的数据的值。集存储的数据的值。

【技术实现步骤摘要】
用于存储操作数据的存储器单元
[0001]交叉引用
[0002]本专利申请案要求伯尼拉迪(Boniardi)等人的在2020年12月1日提交的名称为“用于存储操作数据的存储器单元(MEMORY CELLS FOR STORING OPERATIONAL DATA)”的美国专利申请案第17/108,783号的优先权，所述专利申请案让与给本受让人且明确地以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本
涉及用于存储操作数据的存储器单元。

技术介绍

[0004]存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程到两个支持状态中的一个，通常由逻辑1或逻辑0来标示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个状态，可存储所述状态中的任一个。为了存取所存储信息，组件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
[0005]存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫属化物存储器技术等。存储器单元可为易失性的或非易失性的。

技术实现思路

[0006]描述一种设备。在一些实例中，设备可包含：第一存储器单元集，其各自包括硫属化物元件且配置成用于存储与操作第二存储器单元集相关联的数据，其中第一存储器单元集中的第一存储器单元包括写入到第一逻辑状态的已编程存储器单元，且其中第一存储器单元集中的第二存储器单元包括存储第二逻辑状态的未编程存储器单元；用于存储主机数据的第二存储器单元集；感测电路，其与第一存储器单元集耦合且配置成识别由第一存储器单元和第二存储器单元存储的相应逻辑状态；以及控制器，其与第一存储器单元集、第二存储器单元集和感测电路耦合，且配置成至少部分地基于由第一存储器单元和第二存储器单元存储的相应逻辑状态而存取第二存储器单元集。
[0007]描述一种方法。在一些实例中，方法可包含：施加编程脉冲以将存储器装置的第一存储器单元集中的第一存储器单元编程到第一逻辑状态，其中存储器装置包括用于存储主机数据的第二存储器单元集和用于存储与操作存储器装置相关联的数据的第一存储器单元集；至少部分地基于施加编程脉冲以将第一存储器单元编程到第一逻辑状态而识别第一存储器单元集中的第二存储器单元存储与未编程存储器单元相关联的第二逻辑状态；以及至少部分地基于识别第二存储器单元存储第二逻辑状态而操作第二存储器单元集以存储
主机数据。
[0008]描述一种设备。在一些实例中，设备可包含：第一存储器单元集，其各自包括硫属化物元件且配置成用于存储与操作第二存储器单元集相关联的数据；第二存储器单元集；以及控制器，其与第一存储器单元集、第二存储器单元集耦合，其中控制器配置成：施加编程脉冲以将第一存储器单元集中的第一存储器单元编程到第一逻辑状态；至少部分地基于施加编程脉冲以将第一存储器单元编程到第一逻辑状态而识别第一存储器单元集中的第二存储器单元存储与未编程存储器单元相关联的第二逻辑状态；以及至少部分地基于识别第二存储器单元存储第二逻辑状态而操作第二存储器单元集以存储主机数据。
附图说明
[0009]图1说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储操作数据的存储器单元的系统的实例。
[0010]图2说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储操作数据的存储器单元的存储器阵列的实例。
[0011]图3说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储操作数据的存储器单元的框图的实例。
[0012]图4说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储操作数据的存储器单元的流程图的实例。
[0013]图5A和5B说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储操作数据的存储器单元的实例流程图。
[0014]图6展示根据如本文中所公开的实例的支持用于存储操作数据的存储器单元的控制器的框图。
[0015]图7展示说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储操作数据的存储器单元的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
[0016]存储器装置可采用多种不同技术来存储数据。在一些情况下，存储器装置可在装置处永久地存储数据，使得数据甚至在装置失去功率的情况下仍可不被覆写或丢失。这类数据可为由存储器装置用以操作存储器装置的信息的实例(例如用于操作存储器装置的微调参数或其它信息)。在一些情况下，这类数据可由熔丝(fuse)阵列存储以确保数据不丢失。熔丝阵列可为只读存储器(ROM)或可编程只读存储器(PROM)的实例，且可适用于不可更改数据或指令存储在存储器中的情况。在一些情况下，对ROM或PROM进行编程可包含“熔断(blowing)”特定熔丝或反熔丝。熔断的熔丝和未熔断的熔丝的组合可表示熔丝数据的特定状态(例如，“1”或“0”二进制状态)。在一些实施方案中，熔丝阵列可集成为位于存储器装置或阵列的外围处的专用结构或电路，或集成为与存储器装置或阵列的较大部分分离的熔丝阵列。
[0017]然而，这类熔丝架构和写入过程可具有数个缺点。举例来说，用于熔丝和驱动器的存储器装置的部分可占据大量面积，且用于熔断熔丝的驱动器(例如，MOSFET晶体管、双极晶体管等)可使用相对较高编程电流，从而增大存储器装置的总体功率消耗。此外，在相关
联存储器阵列焊接到存储器芯片之前，可对熔丝进行编程。焊接过程可在延长的持续时间内使存储器阵列暴露于相对较高的温度，这可能影响存储到熔丝的数据。
[0018]替代存储器阵列的外围处的专用熔丝或反熔丝阵列，存储器阵列可配置在存储器装置内以存储用于操作相关联存储器装置的数据。在一些情况下，存储熔丝的阵列可以是存储器装置内含有的存储器单元的子阵列或部分。在一些情况下，存储数据的阵列可与存储其它类型的数据(例如用户数据)的存储器阵列的部分分离。在任一情况下，包含在用于存储操作数据的阵列中的存储器单元可各自包含硫属化物存储元件。存储器单元中的一些可一次性地编程(例如，存储器单元可为“第一激发”存储器单元)且可存储第一逻辑状态，而其它存储器单元可保持未编程(例如，存储器单元可尚未编程为存储第一逻辑状态)且可存储第二逻辑状态。一次性地编程一些单元且使其它单元未编程可能加宽单元的不同状态之间的读取容限。利用较宽的读取容限(例如，相应逻辑状态的阈值电压之间的电距离)，可减少在焊接操作期间可能以其它方式引发的数据损坏和丢失。举例来说，焊接期间的存储器装置的加热可使得各种存储器单元的阈值电压偏移或漂移，但当使用未编程存储器单元时，两个状态的阈值电压之间的距离可配置成减少可能由于这种偏移或漂移而发生的错误。另外，由于用于存储数据的阵列的单元不同于熔丝，因此可减少用于对单元进行编程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：第一存储器单元集，其各自包括硫属化物元件且配置成用于存储与操作第二存储器单元集相关联的数据，其中所述第一存储器单元集中的第一存储器单元包括写入到第一逻辑状态的已编程存储器单元，且其中所述第一存储器单元集中的第二存储器单元包括存储第二逻辑状态的未编程存储器单元；用于存储主机数据的所述第二存储器单元集；感测电路，其与所述第一存储器单元集耦合且配置成识别由所述第一存储器单元和所述第二存储器单元存储的相应逻辑状态；以及控制器，其与所述第一存储器单元集、所述第二存储器单元集和所述感测电路耦合，且配置成至少部分地基于由所述第一存储器单元和所述第二存储器单元存储的所述相应逻辑状态而存取所述第二存储器单元集。2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：所述第一存储器单元集的第一子集，其包括写入到所述第一逻辑状态的已编程存储器单元，其中写入到所述第一逻辑状态的所述第一存储器单元集的所述第一子集表示与操作所述第二存储器单元集相关联的单个数据位。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一存储器单元集的所述第一子集包括比写入到所述第一逻辑状态的第二已编程存储器单元更高的阈值电压。4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：所述第一存储器单元集的第一存储器单元子集，其包括写入到所述第一逻辑状态的已编程存储器单元；所述第一存储器单元集的第二存储器单元子集，其包括存储所述第二逻辑状态的未编程存储器单元。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制器配置成至少部分地基于写入到所述第一逻辑状态的所述第一存储器单元子集和存储所述第二逻辑状态的所述第二存储器单元子集的模式而存取所述第二存储器单元集。6.根据权利要求1所述的设备，其中：所述第一存储器单元集中的所述第一存储器单元一次性地编程到所述第一逻辑状态；且所述第一存储器单元集中的所述第二存储器单元从未编程到任何逻辑状态。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一存储器单元集中的所述第一存储器单元配置成编程到与第一阈值电压相关联的所述第一逻辑状态，或编程到与不同于所述第一阈值电压的第二阈值电压相关联的所述第一逻辑状态。8.根据权利要求1所述的设备，其中第一存储器单元阵列包括所述第一存储器单元集，且与包括所述第二存储器单元集的第二存储器单元阵列分离。9.根据权利要求8所述的设备，其中：与操作所述第二存储器单元集相关联的所述数据的第一部分存储在所述第一存储器单元阵列中；且与操作所述第二存储器单元集相关联的所述数据的第二部分存储在所述第二存储器单元阵列中。
10.根据权利要求1所述的设备，其中所述主机数据包括用于存储在所述第二存储器单元集中的从主机装置接收到的信息。11.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一存储器单元集中的所述第一存储器单元包括比所述第一存储器单元集中的所述第二存储器单元更低的阈值电压。12.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一存储器单元集中的所述已编程第一存储器单元与第一阈值电压相关联，且所述第一存储器单元集中的第二已编程存储器单元与第二阈值电压相关联，所述第二阈值电压至少部分地基于漂移到所述第二阈值电压的所述第一阈值电压。13.一种方法，其包括：施加编程脉冲以将存储器装置的第一存储器单元集中的第一存储器单元编程到第一逻辑状态，其中所述存储器装置包括用于存储主机数据的第二存储器单元集和用于存储与操作所述存储器装置相关联的数据的所述第一存储器单元集；至少部分地基于施加所述编程脉冲以将所述第一存储器单元编程到所述第一逻辑状态而识别所述第一存储器单元集中的第二存储器单元存储与未编程存储器单元相关联的第二逻辑状态；以及至少部分地基于识别所述第二存储器单元存储所述第二逻辑状态而操作所述第二存储器单元集以存储所述主机数据。14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：至少部分地基于施加所述编程脉冲以将所述第一存储器单元编程到所述第一逻辑状态而识别所述第一存储器单元集中的所述第一存储器单元存储与已编程存储器单元相关联的所述第一逻辑状态，其中操作所述第二存储器单元集以存储所述主机数据至少部分地基于识别所述第一存储器单元存储所述第一逻辑状态。15.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：识别所述第一存储器单元集的第一子集以供利用所述编程脉冲进行编程；至少部分地基于识别所述第一存储器单元集的所述第一子集以供编程而确定所述第一存储器单元集的所述第一子集中的存储器单元的第一数量；以及至少部分地基于所述第一子集中的存储器单元的所述第一数量满足...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：