存储器件及包括其的存储器系统技术方案

一种存储器件包括存储单元阵列以及控制逻辑，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元在相对于衬底的垂直方向上形成多个串，所述控制逻辑被配置为：响应于写入命令从多个串检测未打开的串(N/O串)，以及对要被编程在所述N/O串中的多个目标存储单元上的多条目标数据进行转换，使得所述多条目标数据具有限制向所述多个目标存储单元施加编程电压的次数的值。电压的次数的值。电压的次数的值。

【技术实现步骤摘要】
存储器件及包括其的存储器系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年7月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0092557的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。


[0003]本专利技术构思涉及一种存储器件，并且更具体地，涉及一种包括至少一个未打开的串(not
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open string)的存储器件及包括存储器件的存储器系统。

技术介绍

[0004]随着数据技术的发展，需要以高可靠性存储大量数据。因此，已经开发了具有高集成度的三维存储器件。由于在形成三维存储器件时的工艺错误，可能存在没有沟道的未打开的串(或关闭的串)。未打开的串会不利地影响三维存储器件，因为未打开的串的存储单元不会被正确地编程，并且未打开的串的存储单元会对相邻的存储单元产生负面影响。

技术实现思路

[0005]根据本专利技术构思的示例性实施例，提供了一种存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元在相对于衬底的垂直方向上形成多个串；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为响应于写入命令从多个串检测未打开的串(N/O串)，以及对要被编程在所述N/O串中的多个目标存储单元上的多条目标数据进行转换，使得所述多条目标数据具有限制向所述多个目标存储单元施加编程电压的次数的值。
[0006]根据本专利技术构思的示例性实施例，提供了一种存储器件的操作方法，所述存储器件包括多个存储单元，所述多个存储单元在相对于衬底的垂直方向上形成多个串，所述操作方法包括：响应于写入命令，从所述多个串检测未打开的串(N/O串)；将要被编程在所述N/O串中的多个目标存储单元上的多条目标数据转换为具有特定值；以及对所述多个存储单元执行编程操作。
[0007]根据本专利技术构思的示例性实施例，提供了一种存储器系统，包括：存储器件，所述存储器件包括多个块，每个块包括多个存储单元，所述多个存储单元在相对于衬底的垂直方向上布置；以及存储器控制器，所述存储器控制器被配置为控制所述存储器件的存储操作，其中，所述存储器件被配置为：在响应于从所述存储器控制器接收到的写入命令而对目标块进行编程时，对要被编程在所述目标块的至少一个未打开的串(N/O串)中的多个目标存储单元上的多条目标数据执行转换操作，使得所述多条目标数据具有限制向所述多个目标存储单元施加编程电压的次数的值。
[0008]根据本专利技术构思的示例性实施例，提供了一种存储器件，包括：存储单元区域，所述存储单元区域包括第一金属焊盘；外围电路区域，所述外围电路区域包括第二金属焊盘，并且被配置为通过所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘垂直地连接到所述存储单元区域；存储单元阵列，所述存储单元阵列位于所述存储单元区域中并且包括多个存储单元，所
述多个存储单元在相对于衬底的垂直方向上形成多个串；以及控制逻辑，所述控制逻辑位于所述外围电路区域中并且被配置为响应于写入命令从所述多个串检测N/O串，并对要被编程在检测到的所述N/O串中的多个目标存储单元上的多条目标数据进行转换，使得所述多条目标数据具有限制向所述多个目标存储单元施加编程电压的次数的值。
[0009]根据本专利技术构思的示例性实施例，提供了一种存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元在与衬底垂直的方向上形成多个串；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为响应于编程命令检测所述存储单元阵列的存储块中的N/O串，将要被编程在所述N/O串上的目标数据转换为禁止数据，并将转换后的目标数据编程在所述N/O串中的目标存储单元上。
附图说明
[0010]通过结合附图对本专利技术构思的示例性实施例进行详细描述，将更加清楚地理解本专利技术构思的上述以及其他特征。
[0011]图1是根据本专利技术构思的示例性实施例的存储器件的框图；
[0012]图2是用于描述根据本专利技术构思的示例性实施例的存储器件的操作的示图；
[0013]图3A是图1的存储单元阵列的框图，图3B是图1的存储单元阵列的透视截面图的第一示例，图3C是图1的存储单元阵列的正视截面图的第二示例；
[0014]图4是根据本专利技术构思的示例性实施例的存储器件的操作方法的流程图；
[0015]图5是图4的操作S100的示例的详细流程图；
[0016]图6A、图6B、图6C、图6D、图6E和图6F是用于描述根据本专利技术构思的示例性实施例的存储器件的操作方法的示图；
[0017]图7是图4的操作S120的详细流程图；
[0018]图8A、图8B和图8C是用于描述根据本专利技术构思的示例性实施例的对与存储器件的未打开的串(N/O串)相对应的多条目标数据的转换操作的表；
[0019]图9是图4的操作S100的另一示例的流程图；
[0020]图10A和图10B是用于描述反映了参照图9描述的实施例的存储器件的操作方法的示图；
[0021]图11是根据本专利技术构思的示例性实施例的存储器件的操作方法的流程图；
[0022]图12A和图12B是根据本专利技术构思的示例性实施例的存储器系统的框图；
[0023]图13A、图13B和图13C是用于描述根据本专利技术构思的示例性实施例的存储器系统的操作方法的信令图；以及
[0024]图14是根据本专利技术构思的示例性实施例的应用于存储器件的芯片对芯片(C2C)结构的示图。
具体实施方式
[0025]在下文中，将参照附图详细描述本专利技术构思的示例性实施例。在下文中，可以参考NAND闪存来描述本专利技术构思的实施例。然而，本专利技术构思不限于NAND闪存。例如，本专利技术构思可以应用于各种非易失性存储器件，诸如，电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、NOR闪存器件、相变随机存取存储器(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。
[0026]图1是根据本专利技术构思的示例性实施例的存储器件100的框图，图2是用于描述根据本专利技术构思的示例性实施例的存储器件100的操作的示图。
[0027]参照图1，存储器件100可以包括存储单元阵列110、页面缓冲电路120、控制逻辑130、电压发生器140、地址译码器150和数据输入/输出(I/O)电路160。另外，控制逻辑130可以包括未打开的串(N/O串)编程模块132，以根据本专利技术构思的示例性实施例进行操作。存储器件100还可以包括与存储器操作相关联的各种其他种类的功能块。N/O串编程模块132可以通过硬件逻辑或软件逻辑来实现。另外，N/O串编程模块132可以被包括在存储器控制器中。
[0028]存储单元阵列110可以包括在衬底上沿行和列方向布置的多个串(或单元串)。每个串可以包括在垂直于衬底的方向上堆叠的多个存储单元。换句话说，存储单元可以在垂直于衬底的方向上堆叠以形成三维(3D)结构。每个存储单元可以是诸如单阶单元(single
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元在相对于衬底的垂直方向上形成多个串；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为：响应于写入命令从所述多个串检测未打开的串，即N/O串，以及对要被编程在所述N/O串中的多个目标存储单元上的多条目标数据进行转换，使得所述多条目标数据具有限制向所述多个目标存储单元施加编程电压的次数的值。2.根据权利要求1所述的存储器件，还包括电压发生器，所述电压发生器被配置为生成要提供给所述存储单元阵列的多个电压，其中，所述控制逻辑还被配置为控制所述电压发生器向连接到所述多个存储单元的多条字线施加高于参考电压的校验电压。3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述参考电压用于验证所述多个存储单元的最高阶编程状态。4.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述参考电压用于验证所述多个存储单元的擦除状态。5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述多个存储单元形成一个子块或一个块，并且所述控制逻辑还被配置为在检测所述N/O串之前控制对所述多个存储单元的擦除操作。6.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述控制逻辑还被配置为通过检测所述多个目标存储单元中的被所述校验电压关断的目标存储单元来检测所述N/O串。7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述值与用于形成擦除状态的阈值电压分布的禁止数据相匹配。8.根据权利要求1所述的存储器件，还包括页面缓冲电路，所述页面缓冲电路被配置为锁存所述多条目标数据，其中，所述控制逻辑还被配置为将锁存在所述页面缓冲电路中的所述多条目标数据转换为具有所述值。9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，所述控制逻辑还被配置为控制将所述页面缓冲电路中的转换后的多条目标数据编程在所述多个目标存储单元上的操作。10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述控制逻辑还被配置为通过从所述存储单元阵列读取所述N/O串的串信息来检测所述N/O串。11.一种存储器件的操作方法，所述存储器件包括多个存储单元，所述多个存储单元在相对于衬底的垂直方向上形成多个串，所述操作方法包括：响应于写入命令，从所述多个串检测未打开的串，即N/O串；将要被编程在所述N/O串中的多个目标存储单元上的多条目标数据转换为具有特定值；以及对所述多个存储单元执行编程操作。...

【专利技术属性】
技术研发人员：金甫昌，郑原宅，高贵汉，郑宰镛，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：