非易失性存储器装置和包括其的数据存储系统制造方法及图纸

提供了非易失性存储器装置和包括其的数据存储系统。所述非易失性存储器装置包括：第一结构，包括至少一个第一存储器平面；以及第二结构，接合到第一结构并且包括至少一个第二存储器平面，其中，包括在第一结构中的所述至少一个第一存储器平面的数量与包括在第二结构中的所述至少一个第二存储器平面的数量不同。同。同。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器装置和包括其的数据存储系统
[0001]本申请基于于2020年11月30日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0165067号韩国专利申请并要求其优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]专利技术构思涉及存储器装置和数据存储系统。更具体地，专利技术构思涉及非易失性存储器装置和包括非易失性存储器装置的数据存储系统。

技术介绍

[0003]非易失性存储器装置正变得更加高度集成。为了实现更高的集成度，可以减小非易失性存储器装置的平面面积。因此，提出一种包括堆叠的多个结构的非易失性存储器装置，所述多个结构彼此直接接合。

技术实现思路

[0004]专利技术构思提供了具有提高的设计自由度的非易失性存储器装置以及包括非易失性存储器装置的数据存储系统。
[0005]根据专利技术构思的一个实施例，提供一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：第一结构，包括至少一个第一存储器平面；以及第二结构，接合到第一结构并且包括至少一个第二存储器平面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：第一结构，包括至少一个第一存储器平面；以及第二结构，接合到第一结构并且包括至少一个第二存储器平面，其中，包括在第一结构中的所述至少一个第一存储器平面的数量与包括在第二结构中的所述至少一个第二存储器平面的数量不同。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述非易失性存储器装置包括三维NAND闪存装置。3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第二结构直接接合到第一结构。4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述至少一个第一存储器平面和所述至少一个第二存储器平面中的每个分别包括多个块，并且其中，所述多个块中的每个是删除操作的最小单元。5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第一结构的平面面积与第二结构的平面面积相同。6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置还包括接合到第一结构的第三结构，其中，第三结构包括外围电路。7.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第一结构和第二结构中的至少一个还包括外围电路。8.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，包括在第二结构中的所述至少一个第二存储器平面的数量是包括在第一结构中的所述至少一个第一存储器平面的数量的偶数倍。9.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，包括在第一结构中的所述至少一个第一存储器平面的数量为1。10.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：第一结构；以及第二结构，在第一结构上，其中，第一结构包括：至少一个第一存储器平面；以及多个第一接合垫，在第一结构的第一表面上并且连接到所述至少一个第一存储器平面，其中，第二结构包括：至少一个第二存储器平面；以及多个第二接合垫，在第二结构的第二表面上并且连接到所述至少一个第二存储器平面，其中，所述多个第一接合垫分别与所述多个第二接合垫接触，并且其中，包括在第一结构中的所述至少一个第一存储器平面的数量与包括在第二结构中的所述至少一个第二存储器平面的数量不同。11.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置还包括在第二结构上的第三结构，
其中，第三结构包括：外围电路；以及多个第三接合垫，在第三结构的第三表面上并且连接到外围电路，其中，第二结构还包括多个第四接合垫，所述多个第四接合垫在第二结构的第四表面上并且连接到所述至少一个第二存储器平面，第二结构的第四表面与第二结构的第二表面相对，并且其中，所述多个第三接合垫分别与所述多个第四接合垫接触。12.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置还包括在第一结构与第二结构之间的第三结构，其中，第三结构包括：外围电路；多个第三接合垫，在第三结构的第三表面上并且连接到外围电路；以及多个第四接合垫，在第三结构的第四表...

【专利技术属性】
技术研发人员：安在昊，金智源，黄盛珉，任峻成，成锡江，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：