一种曝光装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种曝光装置，包括：吸盘、吸盘支撑组件以及升降机构，所述吸盘连接于所述吸盘支撑组件的上表面，所述升降机构通过升降将硅片承载于所述吸盘的上表面，其中，所述吸盘及所述升降机构依次传导静电形成第一静电传导路径；所述吸盘支撑组件包括吸盘座及连接于所述吸盘座的接地端子，所述吸盘、所述吸盘座及所述接地端子依次传导静电形成第二静电传导路径。本实用新型专利技术提供的曝光装置，升降机构将硅片运输至吸盘的过程中，将硅片的静电传导到大地，以及在将硅片放置于吸盘后，吸盘及吸盘支撑组件接着将硅片的静电传导到大地，如此，便可将硅片的静电耗散掉，避免因静电导致芯片损坏。致芯片损坏。致芯片损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种曝光装置


[0001]本技术涉及光刻
，特别涉及一种曝光装置。

技术介绍

[0002]芯片制造的众多工艺过程会导致芯片的载体硅片带有大量的电荷，这些电荷在不加以任何控制的从硅片传导到其他与硅片接触的导体上时，接触瞬间会产生很大的电流，甚至会产生电火花，无论是大电流还是电火花都会对硅片上面承载的芯片造成无法弥补的损坏，这样就会导致光刻机的良率大大降低，从而使得芯片成本的上升。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种曝光装置，以避免因静电导致芯片损坏，从而提升光刻机的良率，降低芯片的制造成本。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供的曝光装置，包括：吸盘、吸盘支撑组件以及升降机构，所述吸盘连接于所述吸盘支撑组件的上表面，所述升降机构通过升降将硅片承载于所述吸盘的上表面，其中，
[0005]所述吸盘及所述升降机构依次传导静电形成第一静电传导路径；
[0006]所述吸盘支撑组件包括吸盘座及连接于所述吸盘座的接地端子，所述吸盘、所述吸盘座及所述接地端子依次传导静电形成第二静电传导路径。
[0007]可选的，在所述的曝光装置中，所述吸盘支撑组件还包括第一传导件，所述第一传导件的一端于所述吸盘座内与所述吸盘座弹性连接，在所述吸盘连接于所述吸盘座之前，所述第一传导件的另一端凸出于所述吸盘座的上表面；所述吸盘、所述第一传导件、所述吸盘座及所述接地端子依次传导静电形成构成所述第二静电传导路径的第一子传导路径。
[0008]可选的，在所述的曝光装置中，所述吸盘通过锁紧销锁紧于所述吸盘座；所述吸盘、所述锁紧销、所述吸盘座及所述接地端子依次传导静电形成构成所述第二静电传导路径的第二子传导路径。
[0009]可选的，在所述的曝光装置中，所述第一传导件为弹簧。
[0010]可选的，在所述的曝光装置中，所述第一传导件包括弹簧和钢珠，所述弹簧的一端与所述吸盘座相接，所述弹簧的另一端与所述钢珠连接，在所述吸盘连接于所述吸盘座之前，所述钢珠部分凸出于所述吸盘座的上表面。
[0011]可选的，在所述的曝光装置中，所述吸盘支撑组件还包括钢珠挡板，所述钢珠挡板可拆卸连接于所述吸盘座，且所述钢珠挡板的上表面不高于所述吸盘座的上表面，所述钢珠挡板具有自上表面至下表面直径逐渐增大的圆台状的通孔，所述通孔供所述钢珠穿设，所述通孔的最小直径不大于所述钢珠的直径。
[0012]可选的，在所述的曝光装置中，所述吸盘的表面电阻率为106～109ohms/sq。
[0013]可选的，在所述的曝光装置中，所述升降机构包括：吸附组件、基板、电机、电机底座及第二传导件；其中，所述吸附组件、所述基板、所述电机及所述电机底座依次连接，且所
述基板与所述电机底座之间通过所述第二传导件连接；所述吸盘、所述吸附组件、所述基板、所述第二传导件及所述电机底座依次传导静电形成所述第一静电传导路径。
[0014]可选的，在所述的曝光装置中，所述吸附组件包括吸嘴及吸柱，所述吸嘴通过所述吸柱固定于所述基板上，所述吸嘴的表面电阻率为106～109ohms/sq。
[0015]可选的，在所述的曝光装置中，所述第二传导件为弹簧或导线。
[0016]综上所述，本技术提供的曝光装置，包括：吸盘、吸盘支撑组件以及升降机构，所述吸盘连接于所述吸盘支撑组件的上表面，所述升降机构通过升降将硅片承载于所述吸盘的上表面，其中，所述吸盘及所述升降机构依次传导静电形成第一静电传导路径；所述吸盘支撑组件包括吸盘座及连接于所述吸盘座的接地端子，所述吸盘、所述吸盘座及所述接地端子依次传导静电形成第二静电传导路径。即，本技术提供的曝光装置，所述吸盘、所述吸盘支撑组件、所述升降机构的材料选用可传导静电的材料，从而升降机构将硅片运输至吸盘的过程中，将硅片的静电传导到大地，以及在将硅片放置于吸盘后，吸盘及吸盘支撑组件接着将硅片的静电传导到大地，如此，便可将硅片的静电耗散掉，避免因静电导致芯片损坏，从而提升光刻机的良率，降低芯片的制造成本。
[0017]进一步的，由于直接与硅片接触的吸嘴及吸盘，均采用表面电阻率为106～109ohms/sq的材料，如此，便可对硅片上静电传导的速度进行控制，避免静电传导瞬间产生大电流或电火花，提高光刻机的良率。
[0018]进一步的，由于吸盘座多采用铝材，其表面容易氧化，本技术提供的所述曝光装置，所述吸盘支撑组件还包括第一传导件，所述第一传导件于所述吸盘座内，一端于所述吸盘座内与所述吸盘座连接，一端用于与所述吸盘连接，如此，便可解决铝制材料表面氧化后不导通的问题，另外，由于所述第一传导件于自由状态时，凸出于所述吸盘座的上表面，因此，实现了吸盘与吸盘座时刻导通。
附图说明
[0019]图1为本技术实施例提供的曝光装置的结构示意图；
[0020]图2为本技术实施例中吸盘支撑组件的结构示意图；
[0021]图3为本技术实例中吸盘支撑组件剖视图的局部放大图；
[0022]图4为本技术实施例中升降机构的结构示意图；
[0023]其中，各附图标记说明如下：
[0024]1‑
吸盘；2
‑
吸盘支撑组件；3
‑
升降机构；
[0025]201
‑
吸盘座；202
‑
定位销；203
‑
第一传导件；204
‑
钢珠挡板；205
‑
第一螺栓；
[0026]206
‑
气管插头；207
‑
接地端子；208
‑
第二螺栓；209
‑
锁紧销；
[0027]2031
‑
钢珠；2032
‑
弹簧；
[0028]301
‑
吸嘴；302
‑
吸柱；303
‑
基板；304
‑
第一连接柱；305
‑
第二传导件；306
‑
第二连接柱；307
‑
电机；308
‑
电机底座。
具体实施方式
[0029]以下结合附图和具体实施例对本技术提出的曝光装置作进一步详细说明。根据下面说明，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式
且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0030]如图1所示，本实施例提供一种曝光装置，包括：吸盘1、吸盘支撑组件2以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曝光装置，其特征在于，包括：吸盘、吸盘支撑组件以及升降机构，所述吸盘连接于所述吸盘支撑组件的上表面，所述升降机构通过升降将硅片承载于所述吸盘的上表面，其中，所述吸盘及所述升降机构依次传导静电形成第一静电传导路径；所述吸盘支撑组件包括吸盘座及连接于所述吸盘座的接地端子，所述吸盘、所述吸盘座及所述接地端子依次传导静电形成第二静电传导路径。2.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述吸盘支撑组件还包括第一传导件，所述第一传导件的一端于所述吸盘座内与所述吸盘座弹性连接，在所述吸盘连接于所述吸盘座之前，所述第一传导件的另一端凸出于所述吸盘座的上表面；所述吸盘、所述第一传导件、所述吸盘座及所述接地端子依次传导静电形成构成所述第二静电传导路径的第一子传导路径。3.如权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述吸盘通过锁紧销锁紧于所述吸盘座；所述吸盘、所述锁紧销、所述吸盘座及所述接地端子依次传导静电形成构成所述第二静电传导路径的第二子传导路径。4.如权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述第一传导件为弹簧。5.如权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述第一传导件包括弹簧和钢珠，所述弹簧的一端与所述吸盘座相接，所述弹簧的另一...

【专利技术属性】
技术研发人员：冒鹏飞，蔡晨，杨博光，温振坤，姜晓飞，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：