System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 基板加热装置及半导体机台制造方法及图纸_技高网

基板加热装置及半导体机台制造方法及图纸

技术编号:40925159 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-18 14:48
本发明专利技术提供了一种基板加热装置及半导体机台,基板加热装置包括加热盘及至少两个举升单元;加热盘上设有接触面,用于承载及加热基板;每个举升单元包括升降部及承接部,升降部设于加热盘的外侧,承接部与升降部连接,用于支撑并举升基板。本发明专利技术中,通过将举升基板的避让空间从加热盘内移至加热盘的外侧,减少了接触面内的开孔数量及开口面积,即提高加热盘与基板的接触面积,从而提高加热盘加热的温度均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,特别涉及一种基板加热装置及半导体机台


技术介绍

1、随着集成电路技术的不断发展,集成电路的制造工艺也相应不断更迭,其对相关工艺的要求也愈加严格。其中,某些工艺(例如cvd工艺、pvd工艺、激光退火工艺或键合工艺等)需要在先对基板预先加热到一定温度,再对基板执行相应的处理,而处理前基板的温度均匀性将直接影响后续的处理效果。

2、以激光退火设备为例,采用兼具加热功能的基板台以实现承载及加热基板,而且,基板台中还具有pin避让空间,以实现基板的输送及交接。该些pin避让空间可为若干设于基板台中的孔洞,该些孔洞对加热盘加热时的温度均匀性存在较大影响,进而影响激光退火后基板的电阻均匀性,即退火均匀性。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种基板加热装置及半导体机台,以提高加热盘加热的温度均匀性,进而提升退火均匀性。

2、为解决上述技术问题,本专利技术提供的基板加热装置,包括加热盘及至少两个举升单元;

3、所述加热盘上设有接触面,用于承载及加热基板;

4、每个所述举升单元包括升降部及承接部,所述升降部设于所述加热盘的径向外侧,所述承接部与所述升降部连接,用于支撑并举升所述基板。

5、可选的,所述承接部包括相对的连接端及承接端,所述连接端用于与所述升降部连接,所述承接端包括用于承接所述基板的承接面。

6、可选的,所述承接面与所述基板靠近所述加热盘的一面相接触,所述加热盘上设有由所述加热盘的外侧向内延伸的凹槽,用于容纳所述承接部。

7、可选的,所述举升单元的数量为至少三个,至少三个所述举升单元沿所述加热盘的外侧圆周均匀环绕布置。

8、可选的,所述承接部位于所述基板的上方,所述承接面与所述基板远离所述加热盘的一面相接触,所述承接面上设有吸附单元,用于在举升所述基板时固定所述基板。

9、可选的,所述举升单元的数量为至少两个,至少两个所述举升单元布置于环绕所述加热盘的半个外侧圆周内。

10、可选的,至少两个所述承接面共用一个所述吸附单元,所述吸附单元呈环状且沿所述基板的边缘周向设置。

11、可选的,所述承接端还包括与所述承接面连接的导向面,所述导向面倾斜朝向所述基板,用于将所述基板从所述导向面引导至所述承接面。

12、可选的,所述加热盘包括盘体及加热单元,所述盘体朝向所述基板的一面为加热面,所述接触面设于所述加热面内。

13、可选的,还包括光线传感器及真空传感器,若所述光线传感器触发且所述真空传感器未触发以判定所述基板位于所述举升单元上,若所述光线传感器与所述真空传感器同时触发以判定所述基板位于所述接触面上。

14、基于本专利技术的另一方面,还提供一种半导体机台,包括基板加热装置,所述基板加热装置包括加热盘及至少两个举升单元;所述加热盘设有接触面,用于承载及加热基板;每个所述举升单元包括升降部及承接部,所述升降部设于所述加热盘的径向外侧,所述承接部与所述升降部连接,用于支撑并举升所述基板。

15、综上所述,本专利技术通过将举升单元的升降部设于加热盘的径向外侧,承接部与升降部连接且朝向基板的边缘,用以从基板的边缘与基板相接触以升降基板,以此将举升基板的避让空间从加热盘内移至加热盘的外侧,减少了接触面内的开孔数量及开口面积,且提高加热盘与基板的接触面积,从而提高加热盘加热的温度均匀性,进而提升退火均匀性。

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【技术保护点】

1.一种基板加热装置,其特征在于,包括加热盘及至少两个举升单元;

2.根据权利要求1所述的基板加热装置,其特征在于,所述承接部包括相对的连接端及承接端,所述连接端用于与所述升降部连接,所述承接端包括用于承接所述基板的承接面。

3.根据权利要求2所述的基板加热装置,其特征在于,所述承接面与所述基板靠近所述加热盘的一面相接触,所述加热盘上设有由所述加热盘的外侧向内延伸的凹槽,用于容纳所述承接部。

4.根据权利要求3所述的基板加热装置,其特征在于,所述举升单元的数量为至少三个,至少三个所述举升单元沿所述加热盘的外侧圆周均匀环绕布置。

5.根据权利要求2所述的基板加热装置,其特征在于,所述承接部位于所述基板的上方,所述承接面与所述基板远离所述加热盘的一面相接触,所述承接面上设有吸附单元,用于在举升所述基板时固定所述基板。

6.根据权利要求5所述的基板加热装置,其特征在于,所述举升单元的数量为至少两个,至少两个所述举升单元布置于环绕所述加热盘的半个外侧圆周内。

7.根据权利要求6所述的基板加热装置,其特征在于,至少两个所述承接面共用一个所述吸附单元,所述吸附单元呈环状且沿所述基板的边缘周向设置。

8.根据权利要求2至7中任一项所述的基板加热装置,其特征在于,所述承接端还包括与所述承接面连接的导向面,所述导向面倾斜朝向所述基板,用于将所述基板从所述导向面引导至所述承接面。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的基板加热装置,其特征在于,所述加热盘包括盘体及加热单元,所述盘体朝向所述基板的一面为加热面,所述接触面设于所述加热面内。

10.根据权利要求2至7中任一项所述的基板加热装置,其特征在于,还包括光线传感器及真空传感器,若所述光线传感器触发且所述真空传感器未触发以判定所述基板位于所述举升单元上,若所述光线传感器与所述真空传感器同时触发以判定所述基板位于所述接触面上。

11.一种半导体机台,其特征在于,包括基板加热装置,所述基板加热装置包括加热盘及至少两个举升单元;所述加热盘设有接触面,用于承载及加热基板;每个所述举升单元包括升降部及承接部,所述升降部设于所述加热盘的径向外侧,所述承接部与所述升降部连接,用于支撑并举升所述基板。

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【技术特征摘要】

1.一种基板加热装置,其特征在于,包括加热盘及至少两个举升单元;

2.根据权利要求1所述的基板加热装置,其特征在于,所述承接部包括相对的连接端及承接端,所述连接端用于与所述升降部连接,所述承接端包括用于承接所述基板的承接面。

3.根据权利要求2所述的基板加热装置,其特征在于,所述承接面与所述基板靠近所述加热盘的一面相接触,所述加热盘上设有由所述加热盘的外侧向内延伸的凹槽,用于容纳所述承接部。

4.根据权利要求3所述的基板加热装置,其特征在于,所述举升单元的数量为至少三个,至少三个所述举升单元沿所述加热盘的外侧圆周均匀环绕布置。

5.根据权利要求2所述的基板加热装置,其特征在于,所述承接部位于所述基板的上方,所述承接面与所述基板远离所述加热盘的一面相接触,所述承接面上设有吸附单元,用于在举升所述基板时固定所述基板。

6.根据权利要求5所述的基板加热装置,其特征在于,所述举升单元的数量为至少两个,至少两个所述举升单元布置于环绕所述加热盘的半个外侧圆周内。

7.根据权利要求6所述的基板加热装置,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:王刚付红艳孙泽江丁宗月
申请(专利权)人:上海微电子装备集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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