【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于图像传感器，特别是涉及一种光电转换元件及图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同，可分为ccd(charge coupled device，电荷耦合元件)和cmos(complementary metal-oxidesemiconductor，金属氧化物半导体元件)两大类。随着cmos集成电路制造工艺特别是cmos图像传感器设计及制造工艺的不断发展，cmos图像传感器已经逐渐取代ccd图像传感器成为主流。cmos图像传感器相比较具有工业集成度更高、功率更低等优点。
2、电荷在cmos图像传感器像素中的传输依赖于像素中的电势分布，对于较大尺寸的像素例如像素区大于3微米的像素，由于传输栅处于像素一侧或者一角，当传输栅开启时，位于传输栅对侧的电势梯度较为平缓，远处电子的传输速度较慢，会导致远离传输栅区域电子传输效率较低或者难以传输至传输栅的问题。
3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐...
【技术保护点】
1.一种光电转换元件，其特征在于，所述光电转换元件包括：
2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于：所述传输晶体管设置于所述光电转换区的侧边区域或角区域，所述第一调制区和所述第二调制区设置于远离所述传输晶体管的光电转换区的中部区域或/及边缘区域，降低所述中部区域或/及边缘区域对应区域的电势。
3.根据权利要求2所述的光电转换元件，其特征在于：所述光电转换区包括相对的第一侧边区域和第二侧边区域，所述传输晶体管设置于所述光电转换区的第一侧边区域，所述反掺杂调制区设置于所述光电转换区的中部区域和所述光电转换区的第二侧边区域。
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【技术特征摘要】
1.一种光电转换元件，其特征在于，所述光电转换元件包括：
2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于：所述传输晶体管设置于所述光电转换区的侧边区域或角区域，所述第一调制区和所述第二调制区设置于远离所述传输晶体管的光电转换区的中部区域或/及边缘区域，降低所述中部区域或/及边缘区域对应区域的电势。
3.根据权利要求2所述的光电转换元件，其特征在于：所述光电转换区包括相对的第一侧边区域和第二侧边区域，所述传输晶体管设置于所述光电转换区的第一侧边区域，所述反掺杂调制区设置于所述光电转换区的中部区域和所述光电转换区的第二侧边区域。
4.根据权利要求3所述的光电转换元件，其特征在于：所述反掺杂调制区包括自所述第二侧边区域朝所述中部区域延伸的梯形掺杂部以及自所述梯形顶边朝所述中部区域延伸的矩形掺杂部，所述第一调制区包括所述梯形掺杂部，所述第二调制区包括所述矩形掺杂部；或者，所述反掺杂调制区包括沿所述第二侧边延伸的梳脊形掺杂部以及自所述梳脊形掺杂部朝所述中部区域延伸的多个梳齿形掺杂部，所述第一调制区包括所述梳脊形掺杂部，所述第二调制区包括所述梳齿形掺杂部。
5.根据权利要求2所述的光电转换元件，其特征在于：所述光电转换区包括相对的第一角区域和第二角区域，所述传输晶体管设置于所述光电转换区的第一角区域，所述反掺杂调制区设置于所述光电转换区的中部区域和所述光电转换区的第二角区域。
6.根据权利要求5所述的光电转换元件，其特征在于：所述反掺杂调制区包括自所述第二角区域朝所述中部区域延伸的第一掺杂部以及位于所述中部区域的第二掺杂部，所述第一调制区包括所述第一掺杂部，所述第二调制区包括所述第二掺杂部；或者，所述反掺杂调制区包括设置于所述第二角区域的角部掺杂部以及自所述角部掺杂部的一边朝所述中部区域延伸的多个梳齿形掺杂部，所述第一调制区包括所述角部掺杂部，所述第二调制区包括所述多个梳齿形掺杂部。
7.根据权利要求2所述的光电转换元件，其特征在于，所述第一调制区和所述第二调制区基于同一掩膜版制备。
8.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于：所述反掺杂调制区包括第一至第n调制区，多个调制区在所述光电转换区中呈纵向排布或者横向排布，且第一至第n调制区朝向所述传输晶体管设置以调制对应位置的电势，其中，n为大于或等于2的整数。
9.根据权利要求8所述的光电转换元件，其特征在于：各纵向排布的所述调制区的横向尺寸相同且掺杂浓度不同或各横向排布的所述调制区的纵向尺寸相同且掺杂浓度不同；或者，各纵向排布的所述调制区的...
【专利技术属性】
技术研发人员：高巍，王倩，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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