【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于图像获取，特别是涉及一种图像传感器及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、图像传感器是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同，可以分为ccd(电荷耦合元件)和cmos(金属氧化物半导体元件)两大类。随着cmos集成电路制造工艺特别是cmos图像传感器设计及制造工艺的不断发展，cmos图像传感器已经逐渐取代ccd图像传感器成为主流。cmos图像传感器相比较具有低电压、低功耗、低成本以及高集成度等优势，在机器视觉、消费电子、高清监控和医学成像等领域具有重要应用价值。
2、然而，现有技术图像传感器制备中往往存在工艺步骤单一等问题，难以得到不同需求的器件。例如，在晶体管的制备过程中，传统工艺的源漏极形成都是在侧墙(spacer)工艺之后，由统一的侧墙作为晶体管源漏极注入的阻挡层，得到的晶体管对应的源漏极结构一致，对应的晶体管的性能以及可以满足的需求较为类似，从而难以满足传感器对不同结构及性能晶体管的需求。
3、因此，如何提供一种图像传感器及其制备方法、电子设备，以解决现有技术中传感器的晶体管制备工艺步...
【技术保护点】
1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，于所述半导体基底上制备所述多个初始栅极结构的方法包括：
3.如权利要求2所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，形成所述初始侧墙的方法包括：于所述初始栅极显露的表面及所述初始栅极周围的所述半导体基底的表面形成侧墙材料层，对所述侧墙材料层执行刻蚀工艺，以得到位于所述初始栅极侧壁且连续延伸至所述初始掺杂区的所述初始侧墙；和/或，所述初始侧墙包括ONO结构、ON结构及氧化物层中的至少一种；和/或，所述初始掺杂区的深度和/或浓度小于所述...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，于所述半导体基底上制备所述多个初始栅极结构的方法包括：
3.如权利要求2所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，形成所述初始侧墙的方法包括：于所述初始栅极显露的表面及所述初始栅极周围的所述半导体基底的表面形成侧墙材料层，对所述侧墙材料层执行刻蚀工艺，以得到位于所述初始栅极侧壁且连续延伸至所述初始掺杂区的所述初始侧墙；和/或，所述初始侧墙包括ono结构、on结构及氧化物层中的至少一种；和/或，所述初始掺杂区的深度和/或浓度小于所述第一源漏，所述初始掺杂区的深度和/或浓度小于所述第二源漏；和/或，所述第一源漏的深度和/或浓度等于所述第二源漏。
4.如权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，自所述半导体基底的第一面执行所述第一源漏注入工艺的方法包括：
5.如权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，至少于所述第二栅极结构的表面制备所述侧墙改善层的步骤包括：
6.如权利要求5所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述侧墙改善层包括氧化硅层及氮化硅层中的至少一种；和/或，所述侧墙改善层的形成方式包括化学气相沉积工艺及炉管沉积工艺中的至少一种；和/或，所述侧墙改善层的厚度介于50-500埃之间。
7.如权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，得到所述第二晶体管结构之后，所述制备方法还包括步骤：
8.如权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述图像传感器包括若干个呈阵列排布的像素单元，每个所述像素单元包括光电转换元件、传输晶体管、浮动扩散区及像素电路晶体管，其中，所述传输晶体管对应所述第二栅极结构，至少一个所述像素电路晶体管对应所述第一栅极结构。
9.如权利要求8所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述图像传感器包括像素区和外围逻辑区，所述像素单元位于所述像素区，所述外围逻辑区包括多个逻辑电路晶体管；其中，所述逻辑电路晶体管对应所述第一栅极结构及所述第二栅极结构中的至少一种；和/或，所述外围逻辑区与所述像素区中同种类型的晶体管结构基于同一工艺制备。
10.如权利要求1-9中任意一项所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，自所述半导体基底的第一面形成所述初始栅极之前还包括步骤：
11.如权利要求10所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述隔离结构与所述第二栅极结构之间的距离大于所述隔离结构与所述第一栅极...
【专利技术属性】
技术研发人员：戚德奎，张豪轩，张利东，刘伯勋，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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