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本发明提供一种图像传感器及其制备方法、电子设备,图像传感器包括:半导体基底;第一改进栅极结构,包括第一栅极结构及侧墙改善层;第一源漏,与第一栅极结构之间具有第一距离;第二改进栅极结构,包括第二栅极结构及侧墙改善层;第二源漏,与第二栅极结构之...该专利属于思特威(上海)电子科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过思特威(上海)电子科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种图像传感器及其制备方法、电子设备,图像传感器包括:半导体基底;第一改进栅极结构,包括第一栅极结构及侧墙改善层;第一源漏,与第一栅极结构之间具有第一距离;第二改进栅极结构,包括第二栅极结构及侧墙改善层;第二源漏,与第二栅极结构之...