光掩模版缺陷处理设备、曝光机以及光掩模版缺陷处理方法技术

本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种光掩模版缺陷处理设备、曝光机以及光掩模版缺陷处理方法，光掩模版缺陷处理设备包括装载装置、检测装置、清除装置和控制装置，装载装置设置成装载光掩模版，检测装置设置成对光掩模版进行检测，清除装置设置成对光掩模版上的缺陷进行清除，装载装置、检测装置和清除装置分别与控制装置电连接。根据发明专利技术实施例的光掩模版缺陷处理设备，在曝光机具有曝光的功能上增加缺陷处理的功能，缺陷处理过程在曝光机的内部进行，无需将光掩模版取出，避免频繁的取放造成的损坏和二次污染。在曝光前通过检测装置对光掩模版进行检测，检测完成后通过清除装置对缺陷进行处理，降低因缺陷超过允许范围导致的生产损失。致的生产损失。致的生产损失。

【技术实现步骤摘要】
光掩模版缺陷处理设备、曝光机以及光掩模版缺陷处理方法


[0001]本申请属于半导体制造
，具体涉及一种光掩模版缺陷处理设备、曝光机以及光掩模版缺陷处理方法。

技术介绍

[0002]本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。
[0003]随着现代半导体制造业的发展，光刻技术在芯片制造工艺流程中的作用越来越重要。光刻技术主要是使用光刻机将光掩模版(reticle)上的图形转移到硅片上，光掩模版包含了整个硅片的芯片阵列。光刻工艺中使用的光掩模版有很高的清洁度要求，微尘缺陷(particle)、黏着性缺陷和雾缺陷(haze)都会在光刻工艺中投影到硅片上形成多余图形，从而破坏芯片电路图形，对产品质量造成影响。
[0004]为了避免上述问题，现有的光刻工艺中使用的光掩模版在曝光前和曝光后，工作人员都会利用IRIS(Integrated Reticle Inspection System,光掩模版综合检查系统)进行缺陷检测。如果检测出的缺陷是微尘缺陷，且数量超过允许值，则将光掩模版从设备中取出，然后采用人工肉眼的方式在光掩模版上找出微尘缺陷并去除，在光掩模版取出进行缺陷清除的过程中，极易出现微尘掉落和光掩模版破损。

技术实现思路

[0005]本申请的第一方面提出了一种光掩模版缺陷处理设备，设置在曝光机内部，包括：
[0006]装载装置，所述装载装置设置成装载光掩模版；
[0007]检测装置，所述检测装置设置成对所述光掩模版进行检测；
[0008]清除装置，所述清除装置设置成对所述光掩模版上的缺陷进行清除；
[0009]控制装置，所述装载装置、所述检测装置和所述清除装置分别与所述控制装置电连接。
[0010]本申请的第二方面提出了一种曝光机，包括上述技术方案中的光掩模版缺陷处理设备。
[0011]本申请的第三方面提出了一种光掩模版缺陷处理方法，包括：
[0012]将光掩模版装载到光掩模版缺陷处理设备中；
[0013]对所述光掩模版进行检测；
[0014]根据检测结果为所述光掩模版上的缺陷未超过允许范围，将所述光掩模版移送至曝光区域的曝光平台后，对所述光掩模版进行曝光；
[0015]根据检测结果为所述光掩模版上的缺陷超过允许范围，对所述光掩模版进行清除。
附图说明
[0016]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通
技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0017]图1为本申请实施例的光掩模版缺陷处理设备的部分立体结构示意图；
[0018]图2为本申请实施例的光掩模版缺陷处理设备的连接框图；
[0019]图3为本申请实施例的光掩模版缺陷处理方法的流程图；
[0020]图4为图1所示的将光掩模版装载到光掩模版缺陷处理设备中的流程图；
[0021]图5为图1所示的对所述光掩模版进行检测的流程图；
[0022]图6为图1所示的根据检测结果为所述光掩模版上的缺陷超过允许范围，对所述光掩模版进行清除的流程图；
[0023]图7为图1所示的根据检测结果为所述光掩模版上的缺陷超过允许范围，对所述光掩模版进行清除之后步骤的流程图；
[0024]图8为图7所示的对所述光掩模版进行二次检测的流程图；
[0025]图9为本申请实施例的光掩模版缺陷处理方法的完整流程图。
[0026]附图标记：
[0027]1、装载装置；
[0028]2、检测装置；21、第一光源；22、第二光源；23、第一检测器；24、第二检测器；25、第一平面反射镜；26、第二平面反射镜；27、第一扩束镜；28、第二扩束镜；
[0029]3、清除装置；31、吹气装置；32、抽气装置；
[0030]4、控制装置；
[0031]5、光掩模版。
具体实施方式
[0032]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0033]应理解的是，文中使用的术语仅出于描述特定示例实施方式的目的，而无意于进行限制。除非上下文另外明确地指出，否则如文中使用的单数形式“一”、“一个”以及“所述”也可以表示包括复数形式。术语“包括”、“包含”、“含有”以及“具有”是包含性的，并且因此指明所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除存在或者添加一个或多个其它特征、步骤、操作、元件、部件、和/或它们的组合。
[0034]尽管可以在文中使用术语第一、第二、第三等来描述多个元件、部件、区域、层和/或部段，但是，这些元件、部件、区域、层和/或部段不应被这些术语所限制。这些术语可以仅用来将一个元件、部件、区域、层或部段与另一区域、层或部段区分开。除非上下文明确地指出，否则诸如“第一”、“第二”之类的术语以及其它数字术语在文中使用时并不暗示顺序或者次序。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部段在不脱离示例实施方式的教导的情况下可以被称作第二元件、部件、区域、层或部段。
[0035]为了便于描述，可以在文中使用空间相对关系术语来描述如图中示出的一个元件或者特征相对于另一元件或者特征的关系，这些相对关系术语例如为“内部”、“外部”、“内
侧”、“外侧”、“下面”、“下方”、“上面”、“上方”等。这种空间相对关系术语意于包括除图中描绘的方位之外的在使用或者操作中装置的不同方位。例如，如果在图中的装置翻转，那么描述为“在其它元件或者特征下面”或者“在其它元件或者特征下方”的元件将随后定向为“在其它元件或者特征上面”或者“在其它元件或者特征上方”。因此，示例术语“在
……
下方”可以包括在上和在下的方位。装置可以另外定向(旋转90度或者在其它方向)并且文中使用的空间相对关系描述符相应地进行解释。
[0036]如图1至图2所示，本申请的实施例提供了一种光掩模版缺陷处理设备，设置在曝光机内部，包括：
[0037]装载装置1，装载装置1设置成装载光掩模版5；
[0038]检测装置2，检测装置2设置成对光掩模版5进行检测；
[0039]清除装置3，清除装置3设置成对光掩模版5上的缺陷进行清除；
[0040]控制装置4，所述装载装置1、所述检测装置2和所述清除装置3分别与所述控制装置4电连接。
[0041]根据本申请实施例的光掩模版缺陷处理设备，在曝光机具有曝光的功能上增加缺陷处理的功能，缺陷处理过程在曝光机的内部进行，无需将光掩模版5取出，避免频繁的取放造成的损坏和二次污染。在曝光前通过检测装置2对光掩模版5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光掩模版缺陷处理设备，设置在曝光机内部，其特征在于，包括：装载装置，所述装载装置设置成装载光掩模版；检测装置，所述检测装置设置成对所述光掩模版进行检测；清除装置，所述清除装置设置成对所述光掩模版上的缺陷进行清除；控制装置，所述装载装置、所述检测装置和所述清除装置分别与所述控制装置电连接。2.根据权利要求1所述的光掩模版缺陷处理设备，其特征在于，所述清除装置包括：吹气装置，所述吹气装置设置成向所述光掩模版输送气体以清除所述光掩模版上的缺陷；抽气装置，所述吹气装置的出风口与所述抽气装置的进风口相对。3.根据权利要求1所述的光掩模版缺陷处理设备，其特征在于，所述检测装置包括：光源，所述光源设置成为所述光掩模版提供光线；检测器，所述检测器设置成检测是否存在经所述光掩模版散射的光线以确定所述光掩模版上的缺陷是否超过允许范围。4.一种曝光机，其特征在于，包括权利要求1
‑
3任一项所述的光掩模版缺陷处理设备。5.一种光掩模版缺陷处理方法，其特征在于，包括：将光掩模版装载到光掩模版缺陷处理设备中；对所述光掩模版进行检测；根据检测结果为所述光掩模版上的缺陷未超过允许范围，将所述光掩模版移送至曝光区域的曝光平台后，对所述光掩模版进行曝光；根据检测结果为所述光掩模版上的缺陷超过允许范围，对所述光掩模版进行清除。6.根据权利要求5所述的光掩模版缺陷处理方法，其特征在于，所述将光掩模版装载到光掩模版缺陷处理设备中包括：将所述光掩模版放入传送盒中；将所述传送盒放入曝光机中；控制机械抓手取出所述光掩模版并移...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔栽荣，丁明正，贺晓彬，刘强，王桂磊，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：