一种硅电极气孔刻蚀装置及气孔刻蚀方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种硅电极气孔刻蚀装置，包括带有酸液循环结构的治具组件，所述的治具组件内部设置有卡接装置，所述的卡接装置内部卡接有多层分流板，多层分流板上方的卡接装置上设置有硅电极压槽；所述的分流板上设置有若干连通酸液循环结构的液孔，相邻两层分流板上的液孔错位设置。还公开了一种利用硅电极气孔刻蚀装置进行硅电极气孔刻蚀的方法。该硅电极气孔刻蚀装置，解决了硅电极刻蚀时气孔刻蚀不到和不均匀的问题；酸液从底部进入，在内循环流动，酸液槽及分流板的设置，既能够降低酸液的压力，又能够有效阻挡杂质，并通分流板上下错位转动，调节酸液的流速，使整体更加均匀；装置采用耐腐蚀性好的塑料材质，有效避免杂质离子的代入和掺杂。的代入和掺杂。的代入和掺杂。

【技术实现步骤摘要】
一种硅电极气孔刻蚀装置及气孔刻蚀方法


[0001]本专利技术属于半导体蚀刻
，尤其是涉及一种硅电极气孔刻蚀装置及利用该装置进行硅电极气孔刻蚀的方法。

技术介绍

[0002]半导体的蚀刻即是将半导体浸入蚀刻液中清除其表面附着的不需要的物质，保证其洁净纯度，现有的蚀刻装置中，针对硅电极气孔，通常是将硅电极挂在一般的工装上，再将硅电极整体下沉到蚀刻槽中的蚀刻液里进行刻蚀。然后由于硅电极结构上的气孔孔径微小，各气孔在受到的蚀刻液的压力时，其内部气体无法及时逸出，导致气孔内部无法被蚀刻到，最终造成喷淋头气孔内蚀刻不均匀，从而降低了产品的良品率。同时悬挂式的工装存在掉落的风险，不利于喷淋头的批量化刻蚀。因此，随着半导体科技的发展,现有的硅电极刻蚀装置已经逐渐无法适应高标准硅电极的刻蚀工艺作业生产需要，需要开发更高标准的硅电极蚀刻装置来解决这些问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是为了克服现有硅电极刻蚀工艺作业中，硅电极各气孔因受到的蚀刻液的压力作用不同，导致刻蚀液无法进入，最终导致硅电极气孔内刻蚀不均匀的问题，提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅电极气孔刻蚀装置，其特征在于：包括带有酸液循环结构的治具组件（2），所述的治具组件（2）内部设置有卡接装置（3），所述的卡接装置（3）内部卡接有多层分流板（4），多层分流板（4）上方的卡接装置（3）上设置有硅电极压槽（5）；所述的分流板（4）上设置有若干连通酸液循环结构的液孔（6），相邻两层分流板（4）上的液孔（6）错位设置。2.根据权利要求1所述的一种硅电极气孔刻蚀装置，其特征在于：所述的治具组件（2）包括治具本体（7）和盖设在治具本体（7）上的顶盖（8）。3.根据权利要求2所述的一种硅电极气孔刻蚀装置，其特征在于：所述的酸液循环结构包括设置在治具本体（7）内部的酸液槽（9）、连通酸液槽（9）的进酸口（10）和出酸口（11）；所述的进酸口（10）设置在酸液槽（9）的底部。4.根据权利要求1所述的一种硅电极气孔刻蚀装置，其特征在于：所述的酸液循环结构连通设置在治具本体（7）外部的酸液储存器（12），所述的酸液储存器（12）通过酸液泵（13）、输入管路（14）和输出管路（15）与酸液循环结构连通。5.根据权利要求1所述的一种硅电极气孔刻蚀装置，其特征在于：所述的卡接装置（3）包括周向相互卡接的公套环（31）和母套环（32），所述的公套环（31）和母套环（32）的环壁上自下向下沿轴向设置有多道周向分流板卡槽（33），所述的硅电极压槽（5）设置在公套环（31）和母套环（32）的内壁顶端。6.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴翔鹰，叶天爱，李长苏，
申请(专利权)人：杭州盾源聚芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：